类别是'category.存储器' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 93C86A-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | 97 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2006 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 93C86A | 8 | 5V | 5V | Serial | 16Kb 2K x 8 | 3mA | 3MHz | EEPROM | SPI | 1KX16 | 16 | 2ms | 16 kb | 0.000001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 2ms | 200 | SOFTWARE | 8 | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAV25128YE-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | 12101 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago) | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | Automotive grade | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | Automotive, AEC-Q100 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.65mm | 未说明 | 8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | SPI, Serial | 128Kb 16K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | 40 ns | EEPROM | SPI | 无卤素 | 8 | 5ms | 1 Mb | 0.000003A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1061G30-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 1 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.B | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.41 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 30 | CY7C1061 | 3.6V | 2.2V | 16Mb 1M x 16 | SRAM | Parallel | 1MX16 | 16 | 10ns | 16777216 bit | 10 ns | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST39LF200A-55-4C-B3KE | Microchip Technology | 数据表 | 15 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2000 | SST39 MPF™ | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | SST39LF200A | 48 | 3.3V | 3.6V | 3V | 2Mb 128K x 16 | 30mA | 55ns | FLASH | Parallel | 16b | 128KX16 | 16 | 20μs | 17b | 2 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 3V | YES | YES | YES | 64 | 2K | YES | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL064LABBHV030 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 28 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2017 | FL-L | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | IT ALSO HAVE X1 MEMORY WIDTH | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 108MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 16MX4 | 4 | 67108864 bit | SERIAL | 3V | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAT25128VP2E-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28C64B-15DC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 28 | AT28C64B-15DC | 8192 words | 5 V | DIP | RECTANGULAR | Atmel Corporation | Obsolete | ATMEL CORP | 5.23 | DIP | DIP, DIP28,.6 | IN-LINE | 8000 | CERAMIC, GLASS-SEALED | DIP28,.6 | 未说明 | 150 ns | 70 °C | 无 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION; DATA RETENTION = 10 YEARS | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | THROUGH-HOLE | 未说明 | 1 | 2.54 mm | compliant | 28 | R-GDIP-T28 | 不合格 | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | ASYNCHRONOUS | 0.06 mA | 8KX8 | 3-STATE | 5.72 mm | 8 | 0.0001 A | 65536 bit | PARALLEL | EEPROM | 5 V | 100000 Write/Erase Cycles | 2 ms | 10 | YES | YES | NO | 64 words | 37.25 mm | 15.24 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAT93C76WI-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AM29F080B-90ED | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAT28F001LI-90B | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5962-3829415MZA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) | 28-CDIP | Renesas Electronics America Inc | N | Volatile | 活跃 | Tube | 5962-3829415 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 13 | 4.5 V | 通孔 | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 64Kbit | 25 ns | SRAM | Parallel | 8 k x 8 | 25ns | SRAM | SRAM | 8K x 8 | 3.56 mm | 37.72 mm | 7.62 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | K4S281632I-UC75 | Samsung | 数据表 | 100 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 54 | 70 °C | 有 | K4S281632I-UC75 | 133 MHz | 8388608 words | 3.3 V | TSOP2 | RECTANGULAR | 三星半导体 | Obsolete | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | 8.33 | TSOP2, TSOP54,.46,32 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 3 | 8000000 | PLASTIC/EPOXY | TSOP54,.46,32 | 未说明 | 5.4 ns | e6 | 有 | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) | AUTO/SELF REFRESH | DRAMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | R-PDSO-G54 | 不合格 | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 0.2 mA | 8MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 0.002 A | 134217728 bit | COMMON | 同步剧 | 4096 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 22.22 mm | 10.16 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST25VF080B-80-4C-SAE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST25 | e3 | yes | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | 3A991.B.1.A | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1.27mm | 40 | SST25VF080B | 3.3V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | 20mA | 80MHz | 6 ns | FLASH | SPI | 8b | 8 | 10μs | 1b | 8 Mb | 0.00002A | Synchronous | 8b | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1011CV33-10ZSXAT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | Automotive grade | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1996 | e4 | yes | Discontinued | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 3.3V | 0.8mm | CY7C1011 | 3.3V | 2Mb 128K x 16 | 1 | 100mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 10ns | 17b | 2 Mb | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M24C64-FMB6TG | STMicroelectronics | 数据表 | 240000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 1.8V | 0.5mm | M24C64 | 8 | 5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 64Kb 8K x 8 | 800μA | 1MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 64 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 0.6mm | 3mm | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29GL01GS10DHA020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 1612 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2006 | Automotive, AEC-Q100, GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 1Gb 64M x 16 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 128MX8 | 8 | 60ns | 1073741824 bit | 3V | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST26VF032BAT-104I/MF | Microchip Technology | 数据表 | 1601 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | 未说明 | 未说明 | SST26VF032 | 不合格 | 3V | SPI, Serial | 32Mb 4M x 8 | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 1.5ms | 32 Mb | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL256LAGBHV020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 57 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2016 | FL-L | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 64MX4 | 4 | 268435456 bit | SERIAL | 3V | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25AA040AXT-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | 14 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 25AA040A | 8 | 5V | SPI, Serial | 4Kb 512 x 8 | 5mA | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 4 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT25XE011-XMHN-T | Adesto Technologies | 数据表 | 6 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Cut Tape (CT) | 2013 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.65V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.65mm | 未说明 | 3.6V | 1.65V | SPI, Serial | 1Mb 128K x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 1MX1 | 1 | 12μs, 3ms | 8 Mb | 256B | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RC28F128P33B85A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 64-TBGA | 64 | 64-EasyBGA (8x10) | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.3V~3.6V | 28F128P33 | 2.3V | Parallel, Serial | 3.6V | 2.3V | 128Mb 8M x 16 | 28mA | 52MHz | 85ns | FLASH | Parallel | 85ns | 23b | 128 Mb | Asynchronous | 16b | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1368C-166AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 41 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2006 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | unknown | 20 | CY7C1368 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 8Mb 256K x 32 | 4 | 180mA | 166MHz | 3.5ns | SRAM | Parallel | 256KX32 | 3-STATE | 32 | 18b | 8 Mb | COMMON | Synchronous | 32b | 1.6mm | 20mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BR24T32FV-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | 90 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-LSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) | 1.6V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | BR24T32 | 不合格 | 5.5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900 ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.35mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25AA256T-E/MF | Microchip Technology | 数据表 | 1000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 5 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 25AA256 | 8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 6mA | SYNCHRONOUS | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 256 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1mm | 5.99mm | 4.92mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S71WS256PC0HH3YR3 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 15 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | Non-Volatile | -25°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | WS-P | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.71 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | R-PBGA-B84 | 1.8V | 1.95V | 1.7V | 256Mbit Flash 64Mbit RAM | 80MHz | FLASH, RAM | Parallel | 16MX16 | 16 | 268435456 bit | 80 ns | 1.2mm | 11.6mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant |
93C86A-I/MS
Microchip Technology
分类:Memory
CAV25128YE-GT3
ON Semiconductor
分类:Memory
11.233358
CY7C1061G30-10BVXI
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
SST39LF200A-55-4C-B3KE
Microchip Technology
分类:Memory
S25FL064LABBHV030
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
CAT25128VP2E-GT3
ON Semiconductor
分类:Memory
AT28C64B-15DC
Atmel
分类:Memory
CAT93C76WI-GT3
ON Semiconductor
分类:Memory
AM29F080B-90ED
Cypress Semiconductor
分类:Memory
CAT28F001LI-90B
ON Semiconductor
分类:Memory
5962-3829415MZA
Renesas Electronics America Inc
分类:Memory
K4S281632I-UC75
Samsung
分类:Memory
SST25VF080B-80-4C-SAE-T
Microchip Technology
分类:Memory
CY7C1011CV33-10ZSXAT
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
M24C64-FMB6TG
STMicroelectronics
分类:Memory
S29GL01GS10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
SST26VF032BAT-104I/MF
Microchip Technology
分类:Memory
S25FL256LAGBHV020
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
25AA040AXT-I/ST
Microchip Technology
分类:Memory
AT25XE011-XMHN-T
Adesto Technologies
分类:Memory
RC28F128P33B85A
Micron Technology Inc.
分类:Memory
CY7C1368C-166AXC
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
BR24T32FV-WE2
ROHM Semiconductor
分类:Memory
25AA256T-E/MF
Microchip Technology
分类:Memory
S71WS256PC0HH3YR3
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
