category.集成电路IC_category.集成电路IC品牌厂家，型号_价格_规格

类别是'category.存储器' (10000)

所有品牌

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	包装/外壳	表面安装	终端数量																																							操作温度	包装	系列	JESD-609代码	类型	端子表面处理	子类别	技术	端子位置	终端形式	端子间距	Reach合规守则	JESD-30代码	资历状况	电源	内存宽度
GS8672D36BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II			有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672D36BE		SigmaQuad-II		Memory & Data Storage										72 Mbit		1.86 A			2 M x 36			SRAM			72									SRAM
GS8182D36BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR			有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8182D36BD		SigmaQuad-II		Memory & Data Storage										18 Mbit		390 mA			512 k x 36			SRAM												SRAM
GS8161E32DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	SDR			有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8161E32DD		DCD Pipeline/Flow Through		Memory & Data Storage										18 Mbit		230 mA	6.5 ns		512 k x 32			SRAM												SRAM
GS816236DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR			有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS816236DGD		Pipeline/Flow Through		Memory & Data Storage										18 Mbit		200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36			SRAM												SRAM
GS816132DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR			有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS816132DGD		Pipeline/Flow Through		Memory & Data Storage										18 Mbit		230 mA	6.5 ns		512 k x 32			SRAM												SRAM
GS8672Q18BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	1.9 V			N	400 MHz	Parallel	1.7 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15		Tray	GS8672Q18BE		SigmaQuad-II												72 Mbit		1.36 A			4 M x 18						72
GS84032CGB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SyncBurst	3.6 V			Details	200 MHz	Parallel	2.3 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	SDR	有	84		Tray	GS84032CGB		Pipeline/Flow Through												4 Mbit		160 mA, 190 mA	6.5 ns		128 k x 32
GS8182S09BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165		300 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	DDR	有	18	SigmaSIO DDR-II	1.9 V			Tray	GS8182S09BD		SigmaSIO DDR-II												18 Mbit		495 mA			2 M x 9
GS84018CB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119		250 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V			Tray	GS84018CB		Pipeline/Flow Through												4 Mbit		145 mA, 180 mA	5.5 ns		256 k x 18
GS84036CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SyncBurst	3.6 V			Details	250 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	72		Tray	GS84036CGT		Pipeline/Flow Through												4 Mbit		155 mA, 195 mA	5.5 ns		128 k x 36
GS8672Q19BE-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II			有	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672Q19BE		SigmaQuad-II+		Memory & Data Storage										72 Mbit		1.32 A			4 M x 18			SRAM			72									SRAM
GS8182D18BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR			有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18		Tray	GS8182D18BGD		SigmaQuad-II		Memory & Data Storage										18 Mbit		430 mA			1 M x 18			SRAM												SRAM
GS8160E36DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR			有	250 MHz	+ 100 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS8160E36DGT		Pipeline/Flow Through		Memory & Data Storage										18 Mbit		250 mA, 270 mA	5.5 ns		512 k x 36			SRAM												SRAM
GS8161E32DGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR			有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS8161E32DGT		DCD Pipeline/Flow Through		Memory & Data Storage										18 Mbit		200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 32			SRAM												SRAM
GS8672D18BE-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	QDR-II			有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672D18BE		SigmaQuad-II		Memory & Data Storage										72 Mbit		1.36 A			4 M x 18			SRAM			72									SRAM
GS8672Q18BGE-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel			200 MHz	+ 85 C																	72 Mbit		870 mA			4 M x 18						72
GS8672D18BE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II			有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8672D18BE		SigmaQuad-II		Memory & Data Storage										72 Mbit		1.12 A			4 M x 18			SRAM			72									SRAM
GS8672Q36BGE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	QDR-II			有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672Q36BGE		SigmaQuad-II		Memory & Data Storage										72 Mbit		1.48 A			2 M x 36			SRAM			72									SRAM
24LCS52ISTG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	TSSOP8,.25	-40 °C	85 °C	有	24LCS52-I/STG	256 words	TSSOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	活跃	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.21		SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	1	256	PLASTIC/EPOXY				e3		Matte Tin (Sn)	EEPROMs	CMOS	DUAL	鸥翼	0.635 mm	compliant	R-PDSO-G8	不合格	2.5/5 V	INDUSTRIAL			0.003 mA			256X8	8				0.000001 A	2048 bit		SERIAL	EEPROM	I2C	1000000 Write/Erase Cycles	200	HARDWARE/SOFTWARE	1010DDDR
GS882Z18CGB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR			有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	42		Tray	GS882Z18CGB		NBT Pipeline/Flow Through		Memory & Data Storage										9 Mbit		150 mA, 175 mA	6.5 ns		512 k x 18			SRAM												SRAM
GS8182S08BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR			有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT		Tray	GS8182S08BD		SigmaSIO DDR-II		Memory & Data Storage										18 Mbit		325 mA			2 M x 8			SRAM												SRAM
GS8342T36BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	Commercial grade			表面贴装	1.9 V	36 Bit	1 MWords	Synchronous	1.7 V	1.8000 V	DDR	250 MHz	有	250 MHz	+ 70 C	0 to 85 °C	Tray	GS8342T36BD		SigmaDDR-II B2		Memory & Data Storage										36 Mbit	1	575 mA		Pipelined	1 M x 36		20 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial	SRAM
GS8160E18DGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR			有	200 MHz	+ 100 C	3.6 V	- 40 C	36		Tray	GS8160E18DGT		Pipeline/Flow Through		Memory & Data Storage										18 Mbit		215 mA	6.5 ns		1 M x 18			SRAM												SRAM
GS8672D38BGE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II			有	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15		Tray	GS8672D38BGE		SigmaQuad-II+ B4		Memory & Data Storage										72 Mbit		2.25 A			2 M x 36			SRAM			72									SRAM
GS8672D20BGE-633	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II			有	633 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15		Tray	GS8672D20BGE		SigmaQuad-II+ B4		Memory & Data Storage										72 Mbit		1.95 A			4 M x 18			SRAM			72									SRAM