类别是'category.FIFO内存' (9205)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

厂商

操作温度

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

功能

最大电流源

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

配置

电路数量

最大电源电压

最小电源电压

内存大小

元素配置

电源电流

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

数据率

数据总线宽度

方向

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

最高频率

筛选水平

并行/串行

同步/异步

字长

内存IC类型

总线定向

重传能力

FWFT支持

可编程标志支持

输出启用

扩展类型

周期

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

无铅

CY7C462A-10JC
CY7C462A-10JC
Rochester Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.67(Min)

11.51(Max)

14.05(Max)

32

LCC

PLCC

J-Lead

供应商未确认

EAR99

8542.39.00.01

144K

9

Asynchronous

10

4.5

5

5.5

60

0

70

Commercial

活跃

32

表面贴装

Dual

16Kx9

Uni-Directional

Depth|Width

5962-9312403MYA
5962-9312403MYA
Rochester Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

不合规

3A001.a.2.c

18K

9

Asynchronous

14

4.5

5

5.5

150

-55

125

Military

表面贴装

32

LCC

LCC

Obsolete

32

Single

2Kx9

Uni-Directional

IDT7201LA25J8
IDT7201LA25J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

PLASTIC, LCC-32

CHIP CARRIER

1

512

PLASTIC/EPOXY

LDCC32,.5X.6

20

25 ns

70 °C

IDT7201LA25J8

28.5 MHz

512 words

5 V

QCCJ

RECTANGULAR

Integrated Device Technology Inc

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

5.06

QFJ

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

FIFOs

CMOS

QUAD

J BEND

225

1

1.27 mm

not_compliant

32

R-PQCC-J32

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

512X9

3-STATE

3.55 mm

9

0.0005 A

4608 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

35 ns

13.97 mm

11.43 mm

7203L12PDG
7203L12PDG
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

28-DIP (0.600, 15.24mm)

28-PDIP

0°C ~ 70°C

7200

活跃

4.5V ~ 5.5V

Asynchronous

120mA

18K (2K x 9)

12ns

50MHz

Uni-Directional

Depth, Width

IDT7203L15J8
IDT7203L15J8
Integrated Device Technology (IDT) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

32

PLASTIC, LCC-32

CHIP CARRIER

1

2000

PLASTIC/EPOXY

LDCC32,.5X.6

20

15 ns

70 °C

IDT7203L15J8

40 MHz

2048 words

5 V

QCCJ

RECTANGULAR

Integrated Device Technology Inc

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

5.09

QFJ

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

FIFOs

CMOS

QUAD

J BEND

225

1

1.27 mm

not_compliant

32

R-PQCC-J32

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.12 mA

2KX9

3-STATE

3.556 mm

9

0.002 A

18432 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

25 ns

13.9954 mm

11.4554 mm

723641L20PF
723641L20PF
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

120

723641L20PF

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

TQFP

TQFP-120

PN120

5.77

13 ns

50 MHz

4

1024 words

1000

70 °C

PLASTIC/EPOXY

LFQFP

QFP120,.63SQ,16

SQUARE

FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH

5 V

20

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

MAIL BOX; RETRANSMIT

8542.32.00.71

QUAD

鸥翼

240

1

0.4 mm

not_compliant

120

S-PQFP-G120

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

SYNCHRONOUS

1KX36

1.6 mm

36

36864 bit

PARALLEL

其他先进先出

YES

20 ns

14 mm

14 mm

7204L25SOI
7204L25SOI
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

7204L25SOI

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.24

25 ns

28.5 MHz

3

4096 words

4000

85 °C

-40 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5.5 V

5 V

INDUSTRIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.12 mA

4KX9

3.048 mm

9

0.002 A

36864 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

35 ns

18.3642 mm

8.763 mm

7201LA15SOI8
7201LA15SOI8
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

7201LA15SOI8

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.17

15 ns

40 MHz

3

512 words

512

85 °C

-40 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.4

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5.5 V

5 V

INDUSTRIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.08 mA

512X9

3.048 mm

9

0.005 A

4608 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

25 ns

18.3642 mm

8.763 mm

7202LA25SOI8
7202LA25SOI8
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

YES

28

28

7202LA25SOI8

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.32

25 ns

28.5 MHz

3

1024 words

1000

85 °C

-40 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

Compliant

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

85 °C

-40 °C

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5 V

5.5 V

5 V

INDUSTRIAL

4.5 V

5.5 V

4.5 V

Dual

80 mA

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

25 ns

9 b

单向

1KX9

3.048 mm

9

9 kb

0.0005 A

9216 bit

PARALLEL

Asynchronous

9 b

其他先进先出

单向

NO

35 ns

18.3642 mm

8.763 mm

2.62 mm

含铅

7201LA20SO8
7201LA20SO8
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

7201LA20SO8

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.49

20 ns

33.33 MHz

3

512 words

512

70 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

512X9

3.048 mm

9

0.0005 A

4608 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

30 ns

18.3642 mm

8.763 mm

7202LA12SO
7202LA12SO
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

7202LA12SO

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.21

12 ns

50 MHz

3

1024 words

1000

70 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

1KX9

3.048 mm

9

0.0005 A

9216 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

20 ns

18.3642 mm

8.763 mm

7202LA25SO
7202LA25SO
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

7202LA25SO

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.31

25 ns

28.5 MHz

3

1024 words

1000

70 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

1KX9

3.048 mm

9

0.0005 A

9216 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

35 ns

18.3642 mm

8.763 mm

7204L12SO8
7204L12SO8
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

7204L12SO8

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.07

12 ns

50 MHz

3

4096 words

4000

70 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.12 mA

4KX9

3.048 mm

9

0.002 A

36864 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

20 ns

18.3642 mm

8.763 mm

7201LA35JG
7201LA35JG
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Tin

表面贴装

YES

32

32

QCCJ, LDCC32,.5X.6

5.32

35 ns

22.2 MHz

1

512 words

512

70 °C

PLASTIC/EPOXY

QCCJ

LDCC32,.5X.6

RECTANGULAR

CHIP CARRIER

5 V

30

Compliant

7201LA35JG

活跃

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

e3

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70 °C

0 °C

RETRANSMIT

8542.32.00.71

QUAD

J BEND

260

1

1.27 mm

compliant

32

R-PQCC-J32

不合格

QFJ

5 V

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

5.5 V

4.5 V

Dual

80 mA

ASYNCHRONOUS

0.08 mA

35 ns

单向

512X9

3.55 mm

9

4.5 kb

0.005 A

4608 bit

PARALLEL

Asynchronous

9 b

其他先进先出

NO

45 ns

13.97 mm

11.43 mm

7200L12SO8
7200L12SO8
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

28

7200L12SO8

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.21

12 ns

50 MHz

3

256 words

256

70 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

256X9

3.048 mm

9

0.0005 A

2304 bit

PARALLEL

其他先进先出

NO

20 ns

18.3642 mm

8.763 mm

7201LA35SO
7201LA35SO
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

YES

28

28

7201LA35SO

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOP, SOP28,.5

PE28

5.47

35 ns

22.2 MHz

3

512 words

512

70 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

Compliant

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70 °C

0 °C

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5 V

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

5.5 V

4.5 V

Dual

80 mA

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

35 ns

9 b

单向

512X9

3.048 mm

9

4.5 kb

0.0005 A

4608 bit

PARALLEL

Asynchronous

9 b

其他先进先出

单向

NO

45 ns

18.3642 mm

8.763 mm

2.62 mm

含铅

5962-8956804XA
5962-8956804XA
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

28-CDIP (0.600, 15.24mm)

NO

28-CDIP

28

Renesas Electronics America Inc

TEMIC SEMICONDUCTORS

Obsolete

5962-8956804XA

Tube

最后一次购买

Military grade

5 V

IN-LINE

RECTANGULAR

DIP

CERAMIC, GLASS-SEALED

-55 °C

125 °C

4000

4096 words

50 ns

5.45

-55°C ~ 125°C

7200

e0

锡铅

RETRANSMIT

4.5 V ~ 5.5 V

DUAL

THROUGH-HOLE

1

2.54 mm

unknown

R-GDIP-T28

Asynchronous

150mA

不合格

CERAMIC, DIP-28

5.5 V

MILITARY

4.5 V

4K x 9

ASYNCHRONOUS

50ns

15MHz

9 Bit

4KX9

5.08 mm

9

36864 bit

MIL-STD-883

PARALLEL

Uni-Directional

NO

Depth, Width

65 ns

37.1475 mm

7.62 mm

72413L25P
72413L25P
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

NO

20

20

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

PDIP

DIP, DIP20,.3

PD20

5.84

20 ns

1

64 words

64

70 °C

PLASTIC/EPOXY

DIP

DIP20,.3

RECTANGULAR

IN-LINE

5 V

未说明

Compliant

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70 °C

0 °C

FALL THRU 40NS

8542.32.00.71

DUAL

THROUGH-HOLE

245

1

2.54 mm

not_compliant

20

R-PDIP-T20

不合格

72413L25P

5 V

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

5.5 V

4.5 V

Dual

60 mA

ASYNCHRONOUS

0.06 mA

5 b

单向

64X5

4.191 mm

5

320 b

0.00006 A

320 bit

PARALLEL

Asynchronous

5 b

其他先进先出

单向

YES

40 ns

26.162 mm

7.62 mm

3.3 mm

含铅

74F403ASPC
74F403ASPC
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

24

5 V

74F403ASPC

活跃

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

DIP,

5.71

20 ns

16 words

16

70 °C

PLASTIC/EPOXY

DIP

RECTANGULAR

e0

EAR99

锡铅

8542.32.00.71

DUAL

THROUGH-HOLE

1

2.54 mm

unknown

R-PDIP-T24

IN-LINE

5.5 V

COMMERCIAL

4.5 V

SYNCHRONOUS

16X4

5.08 mm

4

64 bit

PARALLEL/SERIAL

YES

31.915 mm

7.62 mm

72V831L15PFI8
72V831L15PFI8
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

64

72V831L15PFI8

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

TQFP

PLASTIC, TQFP-64

PN64

5.23

10 ns

66.7 MHz

3

2048 words

2000

85 °C

-40 °C

PLASTIC/EPOXY

LQFP

QFP64,.66SQ,32

SQUARE

FLATPACK, LOW PROFILE

3.3 V

20

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

8542.32.00.71

QUAD

鸥翼

240

1

0.8 mm

not_compliant

64

S-PQFP-G64

不合格

3.6 V

3.3 V

INDUSTRIAL

3 V

SYNCHRONOUS

0.04 mA

2KX9

1.6 mm

9

0.01 A

18432 bit

PARALLEL

其他先进先出

YES

15 ns

14 mm

14 mm

72825LB15PFI8
72825LB15PFI8
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

128

72825LB15PFI8

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

TQFP

TQFP-128

PK128

5.18

10 ns

66.7 MHz

3

1024 words

1000

85 °C

-40 °C

PLASTIC/EPOXY

LFQFP

QFP128,.63X.87,20

RECTANGULAR

FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

8542.32.00.71

QUAD

鸥翼

225

1

0.5 mm

not_compliant

128

R-PQFP-G128

不合格

5.5 V

5 V

INDUSTRIAL

4.5 V

SYNCHRONOUS

0.1 mA

1KX18

1.6 mm

18

0.01 A

18432 bit

PARALLEL

其他先进先出

YES

15 ns

20 mm

14 mm

72V805L15PFI
72V805L15PFI
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

128

FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH

RECTANGULAR

QFP128,.63X.87,20

LFQFP

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

85 °C

256

256 words

3

10 ns

5.92

PK128

TQFP-128

TQFP

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Obsolete

72V805L15PFI

未说明

3.3 V

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

8542.32.00.71

QUAD

鸥翼

225

1

0.5 mm

not_compliant

128

R-PQFP-G128

不合格

3.6 V

3.3 V

INDUSTRIAL

3 V

SYNCHRONOUS

0.06 mA

256X18

1.6 mm

18

0.01 A

4608 bit

PARALLEL

其他先进先出

YES

15 ns

20 mm

14 mm

72825LB15PFI
72825LB15PFI
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

128

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Obsolete

72825LB15PFI

TQFP

TQFP-128

PK128

5.18

10 ns

66.7 MHz

3

1024 words

1000

85 °C

-40 °C

PLASTIC/EPOXY

LFQFP

QFP128,.63X.87,20

RECTANGULAR

FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

8542.32.00.71

QUAD

鸥翼

225

1

0.5 mm

not_compliant

128

R-PQFP-G128

不合格

5.5 V

5 V

INDUSTRIAL

4.5 V

SYNCHRONOUS

0.1 mA

1KX18

1.6 mm

18

0.01 A

18432 bit

PARALLEL

其他先进先出

YES

15 ns

20 mm

14 mm

72805LB15PFI
72805LB15PFI
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

128

72805LB15PFI

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

TQFP

TQFP-128

PK128

5.37

10 ns

66.7 MHz

3

256 words

256

85 °C

-40 °C

PLASTIC/EPOXY

LFQFP

QFP128,.63X.87,20

RECTANGULAR

FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH

5 V

未说明

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

8542.32.00.71

QUAD

鸥翼

225

1

0.5 mm

not_compliant

128

R-PQFP-G128

不合格

5.5 V

5 V

INDUSTRIAL

4.5 V

SYNCHRONOUS

0.1 mA

256X18

1.6 mm

18

0.01 A

4608 bit

PARALLEL

其他先进先出

YES

15 ns

20 mm

14 mm

7201LA15SO
7201LA15SO
Renesas Electronics America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

YES

28

28

7201LA15SO

Obsolete

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

SOIC

SOIC-28

PE28

5.14

15 ns

40 MHz

3

512 words

512

70 °C

PLASTIC/EPOXY

SOP

SOP28,.5

RECTANGULAR

小概要

5 V

未说明

Compliant

集成设备技术

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn85Pb15)

70 °C

0 °C

RETRANSMIT

8542.32.00.71

DUAL

鸥翼

225

1

1.27 mm

not_compliant

28

R-PDSO-G28

不合格

5 V

5.5 V

5 V

COMMERCIAL

4.5 V

1

5.5 V

4.5 V

512 B

Dual

80 mA

ASYNCHRONOUS

0.125 mA

15 ns

9 b

双向

512X9

3.048 mm

9

4.5 kb

0.0005 A

4608 bit

40 MHz

PARALLEL

Asynchronous

9 b

其他先进先出

单向

NO

25 ns

18.3642 mm

8.763 mm

2.62 mm

含铅