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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	质量	Current - Supply (Nom)						操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	终端	ECCN 代码	最高工作温度	最小工作温度	HTS代码	最大功率耗散	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	最大电流源	输出的数量	资历状况	输出电压	最大输出电流	工作电源电压	电源	最大电源电压	最小电源电压	工作电源电流	功率耗散	输出电流	传播延迟	静态电流	输入类型	接通延迟时间	上升时间	下降时间（典型值）	输出极性	发布时间	输入特性	上升/下降时间(Typ)	接口IC类型	信道型	驱动器数量	接通时间	输出峰值电流限制-名	闸门类型	峰值输出电流（源极，漏极）	高边驱动器	关断时间	内置保护器	高压侧电压-最大值(自举)	高度	座位高度(最大)	长度	宽度	辐射硬化	达到SVHC
IR2113SPBF	Infineon Technologies	数据表	10223 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	YES		Half-Bridge	6V 9.5V				-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		最后一次购买	3 (168 Hours)	16		EAR99		Matte Tin (Sn)			3.3V~20V	DUAL	鸥翼	260	1	15V			30	IR2113SPBF		R-PDSO-G16			不合格				15V								Non-Inverting							25ns 17ns		Independent	2	0.15 μs	2.5A	IGBT, N-Channel MOSFET	2A 2A	YES			600V			10.3mm	7.5mm			ROHS3 Compliant
HIP2104FRAANZ-T7A	Renesas Electronics America Inc.	数据表	9 In Stock	1: ¥17.956037 10: ¥16.939657 100: ¥15.980808 500: ¥15.076235 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	12-VFDFN Exposed Pad			Half-Bridge	1.63V 2.06V				-40°C~125°C TJ	Tape & Reel (TR)	2010				活跃	3 (168 Hours)								4.5V~14V										12																Non-Inverting							8ns 2ns		Independent	2			N-Channel MOSFET	1A 1A				60V							ROHS3 Compliant
IRS2118SPBF	Infineon Technologies	数据表	6000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	340μA	High-Side	6V 9.5V	105 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier		625mW	10V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS2118SPBF			340μA	1		620V	600mA						625mW	290mA	200 ns		Inverting	125 ns	130ns	65 ns		105 ns		75ns 35ns	基于缓冲器或反相器的外设驱动器	Single		0.2 μs		IGBT, N-Channel MOSFET	290mA 600mA			TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
MAX5078BATT T	Maxim Integrated	数据表	5000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	表面贴装	6-WDFN Exposed Pad	6	40μA	Low-Side	0.8V 2.1V	35 ns			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2012		e3	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	6		EAR99		Matte Tin (Sn)		1.454W	4V~15V	DUAL		260	1	15V	0.95mm			MAX5078	6						4A										Inverting, Non-Inverting	35 ns	85ns	75 ns				32ns 26ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Single	1	0.034 µs	4A	N-Channel MOSFET	4A 4A	NO	0.034 µs				0.8mm	3mm	3mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS2004STRPBF	Infineon Technologies	数据表	258 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	15 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	270μA	Half-Bridge	0.8V 2.5V	150 ns			-40°C~150°C TJ	Cut Tape (CT)	1996		e3		不用于新设计	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier		625mW	10V~20V	DUAL	鸥翼	260	1	15V			30	IRS2004SPBF			270μA				600mA		15V				625mW	130mA	820 ns		Non-Inverting	680 ns	170ns	90 ns				70ns 35ns		Synchronous	2			IGBT, N-Channel MOSFET	290mA 600mA			TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	200V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS21864SPBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	14	240μA	170 ns	0.8V 2.5V	High-Side or Low-Side			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	14	SMD/SMT	EAR99		Tin (Sn)		1W	10V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS21864SPBF			240μA	2		20V	4A		15V				1W	4A	250 ns		Non-Inverting	170 ns	38ns	30 ns				22ns 18ns	基于缓冲器或反相器的外设驱动器	Independent			4A	IGBT, N-Channel MOSFET	4A 4A			TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		8.7376mm	3.9878mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
IRS2127SPBF	Infineon Technologies	数据表	120 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	300μA	High-Side	0.8V 2.5V	150 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier		625mW	12V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS2127SPBF			120μA	1		20V	600mA						625mW	200mA	200 ns	60μA	Non-Inverting	150 ns	130ns	65 ns		150 ns		80ns 40ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Single		0.2 μs	0.6A	IGBT, N-Channel MOSFET	290mA 600mA	YES	0.2 μs		600V	1.5mm		5mm	4mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
IRS21814STRPBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	26 Weeks	表面贴装	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	14	240μA	Half-Bridge	0.8V 2.5V	35 ns			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	14		EAR99		Tin (Sn)		1W	10V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS21814SPBF			240μA			10V	2.3A						1W	1.9A	330 ns		Non-Inverting	35 ns	60ns	35 ns				40ns 20ns	基于缓冲器或反相器的外设驱动器	Independent	2			IGBT, N-Channel MOSFET	1.9A 2.3A		0.33 μs	TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		8.7376mm	3.9878mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS2110STRPBF	Infineon Technologies	数据表	1000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	16	340μA	Half-Bridge	6V 9.5V	10 ns			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996		e3		活跃	3 (168 Hours)	16		EAR99		Tin (Sn)		1.25W	10V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS2110SPBF			340μA			10V	2.5A		15V				1.25W	2.5A	160 ns		Non-Inverting	10 ns	35ns	25 ns				25ns 17ns	基于缓冲器或反相器的外设驱动器	Independent	2			IGBT, N-Channel MOSFET	2.5A 2.5A		0.15 μs	TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	500V	2.3622mm		10.4902mm	7.5946mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS2104SPBF	Infineon Technologies	数据表	656565 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	270μA	60 ns	Half-Bridge	0.8V 2.5V			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn)		625mW	10V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS2104SPBF			270μA	2		620V	600mA		15V				625mW	290mA	820 ns		Non-Inverting	60 ns	170ns	90 ns		150 ns		70ns 35ns		Synchronous				IGBT, N-Channel MOSFET	290mA 600mA			TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
MAX5064BATC T	Maxim Integrated	数据表	5000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	表面贴装	12-WQFN Exposed Pad	12	3mA	0.8V 2V			Half-Bridge	-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007		e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	12		EAR99		Matte Tin (Sn)		1.9512W	8V~12.6V	QUAD		260	1	12V	0.8mm			MAX5064	12		3mA				2A										Inverting, Non-Inverting		65ns	65 ns				65ns 65ns		Independent	2	0.063 μs	2A	N-Channel MOSFET	2A 2A	YES	0.063 μs		125V		0.8mm	4mm	4mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IR21364SPBF	Infineon Technologies	数据表	3000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	15 Weeks	表面贴装	表面贴装	28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	28		Half-Bridge	0.8V 2.5V	50 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	3 (168 Hours)	28		EAR99	100Ohm	Matte Tin (Sn)	8542.39.00.01	1.6W	11.5V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V	1.27mm			IR21364SPBF							350mA		15V				1.6W	200mA	685 ns		Non-Inverting	125 ns	190ns	75 ns				125ns 50ns		3-Phase	6		0.35A	IGBT, N-Channel MOSFET	200mA 350mA	YES			600V	2.35mm		18.0848mm	7.5946mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS4426STRPBF	Infineon Technologies	数据表	3 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8		Low-Side	0.8V 2.5V	50 ns			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006				活跃	2 (1 Year)	8		EAR99				625mW	6V~20V	DUAL	鸥翼	未说明	2	15V			未说明	IRS4426					不合格		3.3A		15V				625mW	2.3A	95 ns		Inverting	50 ns	55ns	55 ns				25ns 25ns	基于半桥的外设驱动器	Independent	2	0.095 μs		IGBT, N-Channel MOSFET	2.3A 3.3A		0.095 μs	TRANSIENT		1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm			ROHS3 Compliant
IRS21091STRPBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	540.001716mg	Half-Bridge	0.8V 2.5V	200 ns			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier		625mW	10V~20V	DUAL	鸥翼	未说明	1	15V			未说明	IRS21091SPBF			1.6mA		不合格		600mA		15V			1.6mA	625mW	290mA	950 ns		Non-Inverting	70 ns	220ns	80 ns				100ns 35ns		Synchronous	2	0.95 μs		IGBT, N-Channel MOSFET	290mA 600mA			TRANSIENT; THERMAL	600V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm			ROHS3 Compliant	无铅
IRS23364DSTRPBF	Infineon Technologies	数据表	10 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	28		Half-Bridge	0.8V 2.5V	530 ns			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996		e3		活跃	3 (168 Hours)	28		EAR99	100Ohm	Matte Tin (Sn)	8542.39.00.01	1.6W	11.5V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V	1.27mm			IRS23364DSPBF					不合格		350mA						1.6W	200mA	750 ns		Non-Inverting	530 ns	190ns	75 ns	TRUE		STANDARD	125ns 50ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	3-Phase	6	0.75 μs	0.35A	IGBT, N-Channel MOSFET	200mA 350mA	YES	0.75 μs		600V	2.3622mm		18.0848mm	7.5946mm			ROHS3 Compliant
ISL89400ABZ	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	SOIC	8	2.27W							2001		e3		活跃	1 (Unlimited)	8		EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	125°C	-40°C		DUAL	鸥翼	260	1	12V			30				2.2mA		不合格		1.25A			AUTOMOTIVE	114V	9V	2.2mA	1.25A					1μs	1 μs					基于半桥的mosfet驱动器		2	60 μs	1.25A			YES	60 μs				1.75mm	4.9mm	3.9mm			符合RoHS标准
AUIRS2112S	Infineon Technologies	数据表	13250 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	16			Half-Bridge	6V 9.5V	50 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	2011	Automotive, AEC-Q100	e3		Obsolete	3 (168 Hours)	16		EAR99		Tin (Sn)		1.25W	3V~20V	DUAL	鸥翼	260	1	15V			30	AUIRS2112S							600mA		15V				1.25W	290mA	230 ns		Non-Inverting	50 ns	140ns	60 ns				60ns 30ns		Independent	2			IGBT, N-Channel MOSFET	290mA 600mA			TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	2.35mm		10.4902mm	7.5946mm	无	无SVHC	符合RoHS标准	无铅
IR2308STRPBF	Infineon Technologies	数据表	2600 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	Half-Bridge	0.8V 2.9V				-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996			yes	活跃	2 (1 Year)	8		EAR99				625mW	10V~20V	DUAL	鸥翼	未说明	1	15V			未说明	IR2308SPBF						10V	350mA						625mW	350mA	300 ns		Non-Inverting	46 ps	220ns	80 ns				150ns 50ns		Independent	2	0.3 μs	0.35A	IGBT, N-Channel MOSFET	200mA 350mA	YES			600V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm			ROHS3 Compliant
IXDD414PI	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	8	599.989307mg	3mA	0.8V 3.5V			Low-Side	-55°C~150°C TJ	Tube	2001		e3		Obsolete	不适用	8		EAR99		Matte Tin (Sn)		833mW	4.5V~35V	DUAL		260	1	18V	2.54mm		35	IXD*414	8				不合格			35V						14A			Non-Inverting		29ns	26 ns				25ns 22ns	基于缓冲器或反相器的外设驱动器	Single	1	33 μs	14A	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	14A 14A		34 μs	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE			4.57mm	9.59mm	7.62mm			符合RoHS标准	无铅
IRS2336SPBF	Infineon Technologies	数据表	49 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)	28	2mA	Half-Bridge	0.8V 2.5V	750 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	3 (168 Hours)	28		EAR99	100Ohm	Matte Tin (Sn)	8542.39.00.01	1.6W	10V~20V	DUAL	鸥翼	260	1	15V	1.27mm		30	IRS2336SPBF					不合格	20V	350mA						1.6W	350mA	750 ns		Inverting	750 ns	125ns	50 ns	INVERTED		STANDARD	125ns 50ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	3-Phase	6	0.075 μs	0.35A	IGBT, N-Channel MOSFET	200mA 350mA	YES	0.075 μs		600V	2.35mm		18.0848mm	7.5946mm		无SVHC	ROHS3 Compliant
IRS2302STRPBF	Infineon Technologies	数据表	994 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	540.001716mg	Half-Bridge	0.8V 2.5V	50 ns			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier		625mW	5V~20V	DUAL	鸥翼	260	1	15V			30	IRS2302SPBF							350mA		15V				625mW	200mA	850 ns		Non-Inverting	50 ns	220ns	80 ns				130ns 50ns		Synchronous	2	0.95 μs		IGBT, N-Channel MOSFET	200mA 350mA			TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE	600V		1.75mm	4.9mm	3.9mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS21531DSTRPBF	Infineon Technologies	数据表	15000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	5mA	600kHz			Half-Bridge	-40°C~125°C TJ	Cut Tape (CT)	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier		625mW	10V~15.4V	DUAL	鸥翼	260	1	14V		100kHz	30	IRS21531DSPBF			5mA	2			260mA		14V				625mW	260mA			RC输入电路		220ns	80 ns				120ns 50ns		Synchronous				N-Channel MOSFET	180mA 260mA			UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS2183SPBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	1.6mA	Half-Bridge	0.8V 2.5V	220 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn)		625mW	10V~20V	DUAL	鸥翼	未说明	1	15V			未说明	IRS2183SPBF			1.6mA	2	不合格	20V	2.3A		15V				625mW	1.9A	330 ns		Inverting, Non-Inverting	180 ns	60ns	35 ns		220 ns		40ns 20ns		Independent			1.9A	IGBT, N-Channel MOSFET	1.9A 2.3A		0.33 μs	TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm		无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
IRS21844STRPBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	14	1.6mA	40 ns	Half-Bridge	0.8V 2.5V			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	14		EAR99		Tin (Sn)		1W	10V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS21844SPBF			1.6mA			10V	2.3A		15V				1W	1.9A	900 ns		Non-Inverting	90 ns	60ns	35 ns				40ns 20ns		Synchronous	2	0.9 μs		IGBT, N-Channel MOSFET	1.9A 2.3A		0.4 μs	TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		8.7376mm	3.9878mm	无		ROHS3 Compliant	无铅
IRS2186SPBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	240μA	High-Side or Low-Side	0.8V 2.5V	170 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	2 (1 Year)	8		EAR99		Matte Tin (Sn)		625mW	10V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V				IRS2186SPBF			240μA	2		620V	4A		15V				625mW	4A	250 ns		Non-Inverting	170 ns	38ns	30 ns				22ns 18ns	基于缓冲器或反相器的外设驱动器	Independent			4A	IGBT, N-Channel MOSFET	4A 4A			TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅