类别是'category.门驱动器 ICs' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

HTS代码

最大功率耗散

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

输出的数量

资历状况

输出电压

最大输出电流

工作电源电压

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

最大电源电压

最小电源电压

工作电源电流

电源电流

功率耗散

输出电流

最大电源电流

输出电流

传播延迟

输入类型

接通延迟时间

最大输出电压

电压 - 输出

输出特性

上升时间

下降时间(典型值)

输出极性

发布时间

输入特性

上升/下降时间(Typ)

接口IC类型

信道型

驱动器数量

接通时间

输出峰值电流限制-名

闸门类型

峰值输出电流(源极,漏极)

高边驱动器

关断时间

内置保护器

高压侧电压-最大值(自举)

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

器件厚度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

IRS21834SPBF
IRS21834SPBF
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

14

Half-Bridge

0.8V 2.5V

220 ns

-40°C~150°C TJ

Tube

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

14

EAR99

Tin (Sn)

1W

10V~20V

DUAL

鸥翼

1

15V

IRS21834SPBF

620V

2.3A

15V

1mA

1W

1.6mA

1.9A

330 ns

Inverting, Non-Inverting

180 ns

60ns

35 ns

220 ns

40ns 20ns

Independent

2

1.9A

IGBT, N-Channel MOSFET

1.9A 2.3A

0.33 μs

TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

600V

1.4986mm

8.7376mm

3.9878mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

AUIRS2112S
AUIRS2112S
Infineon Technologies 数据表

13250 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

16

Half-Bridge

6V 9.5V

50 ns

-40°C~150°C TJ

Tube

2011

Automotive, AEC-Q100

e3

Obsolete

3 (168 Hours)

16

EAR99

Tin (Sn)

1.25W

3V~20V

DUAL

鸥翼

260

1

15V

30

AUIRS2112S

600mA

15V

1.25W

290mA

230 ns

Non-Inverting

50 ns

140ns

60 ns

60ns 30ns

Independent

2

IGBT, N-Channel MOSFET

290mA 600mA

TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

600V

2.35mm

10.4902mm

7.5946mm

无SVHC

符合RoHS标准

无铅

HIP2100IBZ
HIP2100IBZ
Renesas Electronics America Inc. 数据表

9354 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

9 Weeks

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

Half-Bridge

4V 7V

Industrial grade

-55°C~150°C TJ

Tube

2001

e3

活跃

1 (Unlimited)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

9V~14V

DUAL

鸥翼

未说明

1

12V

未说明

HIP2100

8

R-PDSO-G8

12V

Non-Inverting

10ns 10ns

Independent

2

0.045 µs

N-Channel MOSFET

2A 2A

YES

0.045 µs

114V

1.75mm

4.9mm

3.9mm

ROHS3 Compliant

HIP4086APZ
HIP4086APZ
Renesas Electronics America Inc. 数据表

20 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

通孔

24-DIP (0.300, 7.62mm)

NO

Half-Bridge

1V 2.5V

Automotive grade

-40°C~150°C TJ

Tube

1999

e3

活跃

1 (Unlimited)

24

EAR99

Matte Tin (Sn)

8542.39.00.01

7V~15V

DUAL

未说明

1

12V

2.54mm

未说明

HIP4086

24

R-PDIP-T24

101.3V

Inverting, Non-Inverting

20ns 10ns

3-Phase

6

0.158 μs

N-Channel MOSFET

500mA 500mA

YES

0.135 μs

95V

5.33mm

31.875mm

ROHS3 Compliant

IRS2005SPBF
IRS2005SPBF
Infineon Technologies 数据表

6618 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Half-Bridge

0.8V 2.5V

-40°C~150°C TJ

Tube

1996

活跃

2 (1 Year)

EAR99

10V~20V

未说明

unknown

未说明

Non-Inverting

70ns 30ns

Independent

2

IGBT, N-Channel MOSFET

290mA 600mA

200V

ROHS3 Compliant

IRS2304STRPBF
IRS2304STRPBF
Infineon Technologies 数据表

2300 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

540.001716mg

Half-Bridge

0.7V 2.3V

150 ns

-40°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

625mW

10V~20V

DUAL

鸥翼

260

1

15V

0.635mm

30

IRS2304SPBF

600mA

15V

240μA

625mW

240μA

130mA

210 ns

Non-Inverting

150 ns

120ns

50 ns

70ns 35ns

Independent

2

IGBT, N-Channel MOSFET

290mA 600mA

TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

600V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

ROHS3 Compliant

无铅

IRS2153DSTRPBF
IRS2153DSTRPBF
Infineon Technologies 数据表

13 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

Half-Bridge

-40°C~125°C TJ

Tape & Reel (TR)

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

625mW

10V~15.4V

DUAL

鸥翼

260

1

14V

100kHz

30

IRS2153DSPBF

2

260mA

14V

5mA

625mW

5mA

260mA

RC输入电路

220ns

80 ns

120ns 50ns

Synchronous

N-Channel MOSFET

180mA 260mA

UNDER VOLTAGE

600V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

ROHS3 Compliant

无铅

IRS2106SPBF
IRS2106SPBF
Infineon Technologies 数据表

50000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

High-Side or Low-Side

0.8V 2.5V

30 ns

-40°C~150°C TJ

Tube

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

8

EAR99

Matte Tin (Sn)

625mW

10V~20V

DUAL

鸥翼

1

15V

IRS2106SPBF

2

620V

600mA

15V

180μA

625mW

180μA

290mA

300 ns

Non-Inverting

30 ns

220ns

80 ns

200 ns

100ns 35ns

基于缓冲器或反相器的外设驱动器

Independent

0.3 μs

IGBT, N-Channel MOSFET

290mA 600mA

TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

600V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

IRS2103SPBF
IRS2103SPBF
Infineon Technologies 数据表

2 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

Half-Bridge

0.8V 2.5V

60 ns

-40°C~150°C TJ

Tube

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

8

SMD/SMT

EAR99

Matte Tin (Sn)

625mW

10V~20V

DUAL

鸥翼

1

15V

IRS2103SPBF

2

20V

600mA

15V

150μA

625mW

270μA

290mA

820 ns

Inverting, Non-Inverting

60 ns

20V

70ns

35 ns

150 ns

70ns 35ns

Independent

IGBT, N-Channel MOSFET

290mA 600mA

TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

600V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

IRS2336SPBF
IRS2336SPBF
Infineon Technologies 数据表

49 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

28

Half-Bridge

750 ns

0.8V 2.5V

-40°C~150°C TJ

Tube

1996

e3

活跃

3 (168 Hours)

28

EAR99

100Ohm

Matte Tin (Sn)

8542.39.00.01

1.6W

10V~20V

DUAL

鸥翼

260

1

15V

1.27mm

30

IRS2336SPBF

不合格

20V

350mA

2mA

1.6W

350mA

750 ns

Inverting

750 ns

125ns

50 ns

INVERTED

STANDARD

125ns 50ns

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

3-Phase

6

0.075 μs

0.35A

IGBT, N-Channel MOSFET

200mA 350mA

YES

0.075 μs

600V

2.35mm

18.0848mm

7.5946mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

IR2308STRPBF
IR2308STRPBF
Infineon Technologies 数据表

2600 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

Half-Bridge

0.8V 2.9V

-40°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

1996

yes

活跃

2 (1 Year)

8

EAR99

625mW

10V~20V

DUAL

鸥翼

未说明

1

15V

未说明

IR2308SPBF

10V

350mA

625mW

350mA

300 ns

Non-Inverting

46 ps

220ns

80 ns

150ns 50ns

Independent

2

0.3 μs

0.35A

IGBT, N-Channel MOSFET

200mA 350mA

YES

600V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

ROHS3 Compliant

NCP5901EMNTBG
NCP5901EMNTBG
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-VFDFN Exposed Pad

8

Half-Bridge

1V 2V

0°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2014

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

8

EAR99

Tin (Sn)

4.5V~13.2V

DUAL

无铅

0.5mm

不合格

Non-Inverting

16ns 11ns

Synchronous

2

N-Channel MOSFET

35V

符合RoHS标准

IXDD414PI
IXDD414PI
IXYS 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

8-DIP (0.300, 7.62mm)

8

599.989307mg

Low-Side

0.8V 3.5V

-55°C~150°C TJ

Tube

2001

e3

Obsolete

不适用

8

EAR99

Matte Tin (Sn)

833mW

4.5V~35V

DUAL

260

1

18V

2.54mm

35

IXD*414

8

不合格

35V

3mA

14A

Non-Inverting

29ns

26 ns

25ns 22ns

基于缓冲器或反相器的外设驱动器

Single

1

33 μs

14A

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

14A 14A

34 μs

TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE

4.57mm

9.59mm

7.62mm

符合RoHS标准

无铅

IRS2302STRPBF
IRS2302STRPBF
Infineon Technologies 数据表

1418 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

540.001716mg

Half-Bridge

0.8V 2.5V

50 ns

-40°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

625mW

5V~20V

DUAL

鸥翼

260

1

15V

30

IRS2302SPBF

350mA

15V

625mW

200mA

850 ns

Non-Inverting

50 ns

220ns

80 ns

130ns 50ns

Synchronous

2

0.95 μs

IGBT, N-Channel MOSFET

200mA 350mA

TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE

600V

1.75mm

4.9mm

3.9mm

ROHS3 Compliant

无铅

IRS21531DSTRPBF
IRS21531DSTRPBF
Infineon Technologies 数据表

18658 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

Half-Bridge

600kHz

-40°C~125°C TJ

Cut Tape (CT)

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

625mW

10V~15.4V

DUAL

鸥翼

260

1

14V

100kHz

30

IRS21531DSPBF

2

260mA

14V

5mA

625mW

5mA

260mA

RC输入电路

220ns

80 ns

120ns 50ns

Synchronous

N-Channel MOSFET

180mA 260mA

UNDER VOLTAGE

600V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

ROHS3 Compliant

无铅

IRS2183SPBF
IRS2183SPBF
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

Half-Bridge

0.8V 2.5V

220 ns

-40°C~150°C TJ

Tube

1996

e3

活跃

2 (1 Year)

8

EAR99

Matte Tin (Sn)

625mW

10V~20V

DUAL

鸥翼

未说明

1

15V

未说明

IRS2183SPBF

2

不合格

20V

2.3A

15V

1.6mA

625mW

1.6mA

1.9A

330 ns

Inverting, Non-Inverting

180 ns

60ns

35 ns

220 ns

40ns 20ns

Independent

1.9A

IGBT, N-Channel MOSFET

1.9A 2.3A

0.33 μs

TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

600V

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

EL7222CSZ
EL7222CSZ
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

Low-Side

0.8V 2.4V

Industrial grade

-40°C~125°C TJ

Tube

2002

e3

活跃

3 (168 Hours)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

4.5V~15V

DUAL

鸥翼

未说明

1

未说明

EL7222

8

R-PDSO-G8

Inverting, Non-Inverting

7.5ns 10ns

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

Independent

2

2A

N-Channel, P-Channel MOSFET

2A 2A

NO

4.9mm

3.911mm

ROHS3 Compliant

IR2112-2
IR2112-2
International Rectifier 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

DIP

12

2005

e0

Discontinued

14

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-40°C

DUAL

225

1

15V

30

16

2

不合格

15V

AUTOMOTIVE

10V

200mA

20V

基于半桥的mosfet驱动器

180 μs

0.25A

YES

160 μs

5.33mm

符合RoHS标准

含铅

IR2110-2
IR2110-2
International Rectifier 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

DIP

16

2005

e0

14

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-40°C

DUAL

225

1

15V

30

16

2

不合格

15V

AUTOMOTIVE

10V

基于半桥的mosfet驱动器

150 μs

2.5A

YES

5.33mm

符合RoHS标准

含铅

1SD1548AI UL
1SD1548AI UL
Power Integrations 数据表

2367 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

通孔

Module

Half-Bridge

-40°C~85°C TA

Bulk

2009

SCALE™-1

活跃

15V

1

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

48A 48A

Non-RoHS Compliant

ISL6605IBZ
ISL6605IBZ
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

YES

Half-Bridge

1V 2V

Industrial grade

-40°C~125°C TJ

Tube

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

8

Matte Tin (Sn)

4.5V~5.5V

DUAL

鸥翼

未说明

1

5V

未说明

ISL6605

8

R-PDSO-G8

Non-Inverting

8ns 8ns

Synchronous

2

N-Channel MOSFET

2A 2A

YES

33V

1.75mm

4.9mm

3.9mm

ROHS3 Compliant

LM2722M/NOPB
LM2722M/NOPB
Texas Instruments 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

Half-Bridge

0.8V 2.4V

-40°C~125°C TJ

Tube

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

8

EAR99

Matte Tin (Sn)

4V~7V

DUAL

鸥翼

260

1

5V

40

LM2722

8

不合格

3.2A

5V

720mW

Non-Inverting

17ns

14 ns

17ns 12ns

Synchronous

2

3.2A

N-Channel MOSFET

3A 3.2A

YES

1.75mm

4.9mm

3.9mm

ROHS3 Compliant

2SP0115T2C0-06
2SP0115T2C0-06
Power Integrations 数据表

2613 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

表面贴装

Module

Module

Half-Bridge

-40°C~85°C TA

Tray

2014

SCALE™-2

活跃

1 (Unlimited)

14.5V~15.5V

5ns 10ns

Independent

2

IGBT

8A 15A

600V

Non-RoHS Compliant

UCC27321PE4
UCC27321PE4
Texas Instruments 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

通孔

PDIP

8

440.409842mg

350mW

e4

yes

8

EAR99

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

105°C

-40°C

DUAL

1

14V

2.54mm

8

1

9mA

INDUSTRIAL

15V

4V

650μA

350mW

650μA

9A

70 ns

70 ns

TOTEM-POLE

70ns

30 ns

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

0.07 µs

9A

NO

0.07 µs

5.08mm

9.81mm

6.35mm

3.9mm

符合RoHS标准

无铅

IXRFD615X2
IXRFD615X2
IXYS-RF 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

表面贴装

8-SMD, Flat Lead

Low-Side

0.8V 3.5V

-40°C~85°C

Tube

2015

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

8V~18V

compliant

Non-Inverting

4ns 4ns

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

Independent

2

N-Channel, P-Channel MOSFET

15A 15A

符合RoHS标准