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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装						操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	最大功率耗散	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	输出的数量	资历状况	最大输出电流	电源	最大电源电压	最小电源电压	工作电源电流	电源电流	功率耗散	输出电流	最大电源电流	输出电流	传播延迟	输入类型	接通延迟时间	输出特性	上升时间	下降时间（典型值）	输入特性	上升/下降时间(Typ)	接口IC类型	筛选水平	信道型	驱动器数量	接通时间	输出峰值电流限制-名	闸门类型	峰值输出电流（源极，漏极）	高边驱动器	关断时间	内置保护器	高压侧电压-最大值(自举)	高度	座位高度(最大)	长度	宽度
ISL2110AR4Z	Renesas Electronics America Inc.	数据表	11 In Stock	1: ¥32.253230 10: ¥30.427576 100: ¥28.705258 500: ¥27.080431 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	12-VFDFN Exposed Pad	YES		Half-Bridge	3.7V 7.4V	Industrial grade			-40°C~125°C TJ	Tube	2001		e3		活跃	2 (1 Year)	12			哑光锡				8V~14V	DUAL	无铅	未说明	1	12V	0.5mm		未说明	ISL2110	12															Non-Inverting						9ns 7.5ns			Independent	2	0.06 µs		N-Channel MOSFET	3A 4A	YES	0.06 µs		114V		1mm	4mm	4mm		ROHS3 Compliant
IR2114SSTRPBF	Infineon Technologies	数据表	40 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	表面贴装	表面贴装	24-SSOP (0.209, 5.30mm Width)	24	440 ns	0.8V 2V	Half-Bridge			-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1996		e3		活跃	3 (168 Hours)	24	EAR99	60Ohm	Matte Tin (Sn)			1.5W	11.5V~20V	DUAL	鸥翼		1	15V	0.65mm			IR2114SSPBF					3A	15V				2.5mA	1.5W	2.5mA	1A	660 ns	Non-Inverting	440 ns		24ns	7 ns		24ns 7ns			Independent	2	0.66 μs		IGBT	2A 3A		0.66 μs	TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE	600V	1.8542mm		8.4836mm	5.588mm	无	ROHS3 Compliant	无铅
MAX4420MJA/883B	Maxim Integrated	数据表	50 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	26 Weeks	通孔	通孔	8-CDIP (0.300, 7.62mm)	8	Low-Side	0.8V 2.4V	Military grade			-55°C~125°C TA	Tube	1996	Military, MIL-STD-883	e0	no	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99		锡铅			640mW	4.5V~18V	DUAL		240	1				20		8		2		6A					1.5mA			1.5mA			Non-Inverting			30ns	30 ns		25ns 25ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器		Single	1		6A	N-Channel, P-Channel MOSFET	6A 6A	NO								无	Non-RoHS Compliant
EL7242CS	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		Low-Side	0.8V 2.4V				-40°C~125°C TJ	Tube			e3		Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed				4.5V~16V	DUAL	鸥翼	未说明	2	15V			未说明	EL7242	8	R-PDSO-G8														Inverting, Non-Inverting						10ns 10ns	和基于栅极的mosfet驱动器		Independent	2		2A	N-Channel, P-Channel MOSFET	2A 2A	NO							3.9116mm		Non-RoHS Compliant
MIC4469CN	Microchip Technology	数据表	1669 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	14-DIP (0.300, 7.62mm)	NO		Low-Side	0.8V 2.4V				0°C~70°C TA	Tube	2005		e0		Obsolete	1 (Unlimited)	14	EAR99		Tin/Lead (Sn85Pb15)				4.5V~18V	DUAL		240	4			not_compliant	30	MIC4469	14			不合格												Inverting, Non-Inverting		TOTEM-POLE			STANDARD	14ns 13ns	和基于栅极的mosfet驱动器		Independent	4	0.1 μs	1.2A	N-Channel, P-Channel MOSFET	1.2A 1.2A	NO	0.1 μs				5.588mm		7.62mm		Non-RoHS Compliant
ISL6613BEIBZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad			Half-Bridge	Industrial grade				-40°C~125°C TJ	Tube			e3		Obsolete	3 (168 Hours)				Matte Tin (Sn)				7V~13.2V			未说明					未说明	ISL6613B																Non-Inverting						26ns 18ns	全桥mosfet驱动器		Synchronous	2			N-Channel MOSFET	1.25A 2A				36V						ROHS3 Compliant
IR7304SPBF	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	0.8V 2.3V				-40°C~150°C TJ	Tube	1996				最后一次购买	2 (1 Year)		EAR99						10V~20V			未说明					未说明																	Non-Inverting						200ns 100ns			Independent	2			IGBT, N-Channel MOSFET	60mA 130mA				700V						ROHS3 Compliant
MCP14A0304-E/MNY	Microchip Technology	数据表	128 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	8-WFDFN Exposed Pad	YES		High-Side or Low-Side	0.8V 2V	Automotive grade			-40°C~125°C	Tube					活跃	1 (Unlimited)	8							4.5V~18V	DUAL	无铅		2		0.5mm	compliant				R-PDSO-N8														Non-Inverting						12ns 12ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	TS 16949	Independent	2			IGBT	3A 3A	NO					0.8mm	3mm
MCP14A0303T-E/MNY	Microchip Technology	数据表	2284 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	8-WFDFN Exposed Pad	YES		High-Side or Low-Side	0.8V 2V	Automotive grade			-40°C~125°C	Tape & Reel (TR)					活跃	1 (Unlimited)	8							4.5V~18V	DUAL	无铅		2		0.5mm	compliant				R-PDSO-N8														Inverting						12ns 12ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	TS 16949	Independent	2			IGBT	3A 3A	NO					0.8mm	3mm
IR7184SPBF	Infineon Technologies	数据表	922 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	0.8V 2.7V	270 ns			-40°C~150°C TJ	Tube	1996				最后一次购买	2 (1 Year)		EAR99					625mW	10V~20V			未说明					未说明														1.6mA			Non-Inverting	680 ns					40ns 20ns			Synchronous	2			IGBT, N-Channel MOSFET	1.9A 2.3A				700V						ROHS3 Compliant
ISL6614CRZ	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	4199 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	VQFN	16				2W			2001		e3		活跃	3 (168 Hours)	16	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	0°C			QUAD	无铅	260	2	12V	0.65mm		30		16			不合格	3A	12V	OTHER	13.2V	10.8V	7.1mA			3A					26ns	18 ns			基于半桥的mosfet驱动器			4		3A			YES					1mm				符合RoHS标准	无铅
ISL6622AIRZ	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	1 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	DFN	10							2001		e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	10	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			DUAL	无铅	260	1	12V	0.5mm		未说明		10			不合格	3A		INDUSTRIAL	13.2V	6.8V		4mA		3A					26ns	18 ns			和基于栅极的mosfet驱动器			2		3A			YES					1mm	3mm	3mm		符合RoHS标准
ISL6622IBZ	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5 Weeks	表面贴装	SOIC							2001		e3		活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			DUAL	鸥翼	260	1	12V			30		10, 8	R-PDSO-G8		不合格	3A		INDUSTRIAL	13.2V	6.8V		8.2mA		3A					26ns	18 ns			和基于栅极的mosfet驱动器			2		3A			YES					1.75mm	4.9mm	3.9mm		符合RoHS标准
ISL6207HBZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC								2001		e3		活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	100°C	-10°C			DUAL	鸥翼	260	1	5V			40		8	R-PDSO-G8		不合格	4A	5V	OTHER	5.5V	4.5V				4A					8ns	8 ns			基于半桥的mosfet驱动器			2	0.03 μs	4A			YES					1.75mm	4.9mm	3.9mm		符合RoHS标准	无铅
ISL6605IRZA	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	VQFN	8							2001		e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			QUAD	无铅	260	1	5V	0.65mm		30		8			不合格	4A	5V	INDUSTRIAL	5.5V	4.5V				4A					8ns	8 ns			基于半桥的mosfet驱动器			2		4A			YES					1mm	3mm	3mm		符合RoHS标准	无铅
ISL78420ARTBZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	DFN	9	3.1W						Tape & Reel	2010				活跃						150°C	-40°C																2A			14V	8V				4mA										基于半桥的mosfet驱动器		Synchronous	2													无	符合RoHS标准
IR2153C	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1									Tube					最后一次购买	1 (Unlimited)																																																									ROHS3 Compliant
IR2130C	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1									Tube					最后一次购买	1 (Unlimited)																																																									ROHS3 Compliant
ISL6608CRZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	VQFN	8							2004		e3	yes	活跃	2 (1 Year)	8	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			QUAD	无铅	260	1	5V	0.65mm		40		8			不合格	4A	5V	COMMERCIAL	5.5V	4.5V				4A					8ns	8 ns			基于半桥的mosfet驱动器			2		4A			YES					1mm	3mm	3mm		符合RoHS标准	无铅
RT9624AZQWA	Richtek USA Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	8-WDFN Exposed Pad	8-WDFN (3x3)	Half-Bridge	0.7V 3.2V				-40°C~125°C TJ	Cut Tape (CT)	2013				Discontinued	3 (168 Hours)					125°C	-40°C		4.5V~13.2V																									Inverting, Non-Inverting						25ns 12ns			Synchronous	2			N-Channel MOSFET					15V						ROHS3 Compliant
1SP0635V2M1-CM1200HC-66H	Power Integrations	数据表	2038 In Stock	1: ¥2,815.213822 10: ¥2,655.862092 100: ¥2,505.530281 500: ¥2,363.707814 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	底座安装	Module	High-Side or Low-Side					-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-2			活跃	1 (Unlimited)								14.5V~15.5V																															9ns 30ns				1			IGBT	35A 35A										Non-RoHS Compliant
ISL6605IRZA-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	VQFN	8							2001		e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			QUAD	无铅	260	1	5V	0.65mm		40		8			不合格	4A	5V	INDUSTRIAL	5.5V	4.5V				4A					8ns	8 ns			基于半桥的mosfet驱动器			2		4A			YES					1mm	3mm	3mm		符合RoHS标准	无铅
IXDI602SITR	IXYS Integrated Circuits Division	数据表	3575 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad	8	8-SOIC-EP		Low-Side	0.8V 3V	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2011				活跃	1 (Unlimited)					125°C	-40°C		4.5V~35V												2		2A			35V	4.5V						60 ns	Inverting			15ns	15 ns		7.5ns 6.5ns			Independent	2			IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	2A 2A										ROHS3 Compliant
UC1706L883B	Texas Instruments	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	20		Military grade										no			20	EAR99			125°C	-55°C			QUAD			2	20V					20				1.5A		MILITARY	40V	5V				10mA										PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER	MIL-STD-883 Class B		2	0.14 µs	1.5A			NO	0.13 µs					8.89mm	8.89mm	无	符合RoHS标准	含铅
IXDE514D1	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	6-VDFN Exposed Pad	6	Low-Side	1V 2.5V				-55°C~150°C TJ	Bulk	2007				Obsolete	1 (Unlimited)	6	EAR99						4.5V~30V	DUAL	无铅	未说明	1	18V			未说明	IXD*514	6			不合格						3mA						Inverting			40ns	50 ns		25ns 22ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器		Single	1		14A	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	14A 14A	NO					0.9mm	5mm	4mm		符合RoHS标准