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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量				操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	最大功率耗散	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	输出的数量	资历状况	最大输出电流	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源电压-最小值(Vsup)	最大电源电压	最小电源电压	电源电流	功率耗散	输出电流	传播延迟	输入类型	接通延迟时间	输出特性	上升时间	下降时间（典型值）	输出极性	输入特性	上升/下降时间(Typ)	接口IC类型	信道型	驱动器数量	接通时间	输出峰值电流限制-名	闸门类型	峰值输出电流（源极，漏极）	高边驱动器	关断时间	高压侧电压-最大值(自举)	座位高度(最大)	长度	宽度	辐射硬化	RoHS状态
IXA531S10	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	48-VFQFN		48			Half-Bridge	0.8V 3V		-40°C~125°C TJ	Tape & Reel (TR)	2006			yes	Obsolete	1 (Unlimited)	48	EAR99						2W	8V~35V	QUAD	无铅	未说明	1	15V	0.5mm	未说明	IXA531	48		3	不合格	600mA							2W	600mA	550 ns	Inverting			190ns	75 ns			125ns 50ns		3-Phase	6	0.55 µs	0.6A	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	600mA 600mA	YES	0.55 µs	650V	1.05mm	7mm	7mm		符合RoHS标准
IXB611S1	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)								Bulk					Obsolete	1 (Unlimited)																	IX*611																																					符合RoHS标准
IX6R11M6	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	16-VDFN Exposed Pad		16			Half-Bridge	6V 9.5V		-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)	2007				Obsolete	1 (Unlimited)									10V~35V								IX6*11						35V							6A		Non-Inverting							25ns 17ns		Independent	2			IGBT, N-Channel MOSFET				600V					符合RoHS标准
IXA611M6T/R	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	16-VDFN Exposed Pad					Half-Bridge	6V 7V		-40°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2004				Obsolete	1 (Unlimited)									10V~35V								IX*611															Non-Inverting							23ns 22ns		Independent	2			IGBT, N-Channel MOSFET	600mA 600mA			650V					符合RoHS标准
IX2A11S1T/R	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8		449.991981mg					Tape & Reel (TR)					Obsolete	1 (Unlimited)																	IX2*11																																					符合RoHS标准
IXDI504D1	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	6-VDFN Exposed Pad		6			Low-Side	0.8V 3V		-55°C~150°C TJ	Tube	2007				Obsolete	1 (Unlimited)	6	EAR99							4.5V~30V	DUAL	无铅	未说明	2	18V	1mm	未说明	IXD*504	6			不合格				4.5/30V			10mA				Inverting			16ns	14 ns			9ns 8ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Independent	2		4A	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4A 4A	NO	0.05 µs		0.9mm	5mm	3.99mm		符合RoHS标准
IX2A11S1	IXYS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)								Bulk					Obsolete	1 (Unlimited)																	IX2*11																																					符合RoHS标准
2DU150806CM	Tamura	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	24 Weeks										Tray					活跃	1 (Unlimited)																																																						符合RoHS标准
2SB315A-CM800DZ-34H	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		底座安装	Module					Half-Bridge				Bulk	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)									0V~16V																																Single	2			IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
1SD312F2-CM900HC-90H	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		底座安装	Module					Half-Bridge			-40°C~85°C TA	Bulk	2016	SCALE™-1			Obsolete	不适用									15.5V~16.8V																														100ns 100ns		Single	1			IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	12A 12A
2SB315A-FF800R12KE3	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		底座安装	Module					Half-Bridge				Bulk	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)									0V~16V																																Single	2			IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
2SB315A-FF1200R17KE3_B2	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		底座安装	Module					Half-Bridge				Bulk	2009	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)									0V~16V																																Single	2			IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
2SB315B-FF800R17KF6	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		底座安装	Module					Half-Bridge				Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)									0V~16V																																Single	2			IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ADP3418KRZ-REEL	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)	SOIC	YES	8										e3	yes			8	EAR99	Tin (Sn)							DUAL	鸥翼	未说明	1	12V	1.27mm	未说明		8			不合格			13.2V	12V	OTHER	4.15V													基于半桥的mosfet驱动器							YES			1.75mm	4.9mm	3.9mm		符合RoHS标准	无铅
ISL83202IBZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	1: ¥31.945847 10: ¥30.137591 100: ¥28.431690 500: ¥26.822349 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	9 Weeks		表面贴装	16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES				Half-Bridge	1V 2.5V		-55°C~150°C TJ	Tube	1994		e3		活跃	3 (168 Hours)	16	EAR99	哑光锡						8.5V~15V	DUAL	鸥翼	未说明	1	12V	1.27mm	未说明	ISL83202	16	R-PDSO-G16													Inverting, Non-Inverting							9ns 9ns		Independent	4	150 μs	1A	N-Channel MOSFET	1A 1A	YES	100 μs	70V	1.75mm	9.9mm	3.9mm		ROHS3 Compliant
ISL6614CRZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	450 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	表面贴装	16-VQFN Exposed Pad					Half-Bridge			0°C~125°C TJ	Tube			e3		活跃	3 (168 Hours)			Matte Tin (Sn)						10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6614	16														Non-Inverting							26ns 18ns		Synchronous	4			N-Channel MOSFET	1.25A 2A			36V					ROHS3 Compliant
LTC4441EMSE#PBF	Linear Technology/Analog Devices	数据表	1000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks		表面贴装	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118, 3.00mm Width) Exposed Pad	YES				Low-Side	1.8V 2V		-40°C~125°C TJ	Tube	2011		e3		活跃	1 (Unlimited)	10	EAR99	Matte Tin (Sn)						5V~25V	DUAL	鸥翼	260	1	7.5V	0.5mm	30	LTC4441	10			不合格				7.5V							Non-Inverting							13ns 8ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Single	1		6A	N-Channel MOSFET	6A 6A	NO				3mm	3mm		ROHS3 Compliant
IXDN602SIATR	IXYS Integrated Circuits Division	数据表	1980 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8	8-SOIC		Low-Side	0.8V 3V		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2010				活跃	1 (Unlimited)				125°C	-40°C				4.5V~35V											2		2A				35V	4.5V				60 ns	Non-Inverting	60 ns		15ns	15 ns			7.5ns 6.5ns		Independent	2			IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	2A 2A							无	ROHS3 Compliant	无铅
ISL89412IBZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	150 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks			表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)					Low-Side	0.8V 2.4V	Industrial grade	-40°C~125°C TJ	Bulk	2002		e3		活跃	3 (168 Hours)		EAR99	哑光锡						4.5V~18V			未说明				未说明	ISL89412	8														Inverting, Non-Inverting							7.5ns 10ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Independent	2			N-Channel, P-Channel MOSFET	2A 2A								ROHS3 Compliant
IR2117	Infineon Technologies	数据表	150 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	NO				High-Side	6V 9.5V		-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e0		Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)						10V~20V	DUAL		未说明	1	15V	2.54mm	未说明	IR2117		R-PDIP-T8		不合格											Non-Inverting							80ns 40ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Single	1	0.2 μs	0.5A	IGBT, N-Channel MOSFET	250mA 500mA	YES		600V	5.33mm	9.88mm	7.62mm		Non-RoHS Compliant
IR2112	Infineon Technologies	数据表	50 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			通孔	14-DIP (0.300, 7.62mm)	NO				High-Side or Low-Side	6V 9.5V		-40°C~150°C TJ	Tube	1996				Obsolete	1 (Unlimited)	14	EAR99							10V~20V	DUAL		未说明	1	15V		未说明	IR2112		R-PDIP-T14		不合格											Non-Inverting							80ns 40ns	基于半桥的mosfet驱动器	Independent	2	0.18 μs	0.5A	IGBT, N-Channel MOSFET	250mA 500mA	YES	0.16 μs	600V	5.33mm	19.305mm			Non-RoHS Compliant
IR2233J	Infineon Technologies	数据表	5 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	44-LCC (J-Lead), 32 Leads	YES				Half-Bridge	0.8V 2V		125°C TJ	Tube	1996				Obsolete	1 (Unlimited)	32	EAR99				FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT	8542.39.00.01		10V~20V	QUAD	J BEND	未说明	3	15V	1.27mm	未说明	IR2233J		S-PQCC-J32		不合格											Inverting							90ns 40ns		3-Phase	6	1 μs	0.5A	IGBT, N-Channel MOSFET	250mA 500mA	YES	0.95 μs	1200V	4.57mm				Non-RoHS Compliant
IR2101	Infineon Technologies	数据表	50 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	NO				Half-Bridge	0.8V 3V		-40°C~150°C TJ	Tube	1996				Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99							10V~20V	DUAL		未说明	1	15V		未说明	IR2101		R-PDIP-T8		不合格											Non-Inverting		TOTEM-POLE			TRUE	触发器	100ns 50ns		Independent	2		0.36A	IGBT, N-Channel MOSFET	210mA 360mA	YES		600V	5.33mm	9.88mm			Non-RoHS Compliant
IR2104	Infineon Technologies	数据表	125 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	NO				Half-Bridge	0.8V 3V		-40°C~150°C TJ	Tube	1996				Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99							10V~20V	DUAL		未说明	1	15V		未说明	IR2104		R-PDIP-T8		不合格											Non-Inverting		TOTEM-POLE			TRUE	触发器	100ns 50ns		Synchronous	2		0.36A	IGBT, N-Channel MOSFET	210mA 360mA	YES		600V	5.33mm	9.88mm			Non-RoHS Compliant
IR2118	Infineon Technologies	数据表	200 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)	NO				High-Side	6V 9.5V		-40°C~150°C TJ	Tube	1996				Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99							10V~20V	DUAL		未说明	1	15V	2.54mm	未说明	IR2118		R-PDIP-T8		不合格											Inverting							80ns 40ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Single	1	0.2 μs	0.5A	IGBT, N-Channel MOSFET	250mA 500mA	YES		600V	5.33mm	9.88mm	7.62mm		Non-RoHS Compliant