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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装							操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	HTS代码	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	输出的数量	资历状况	最大输出电流	输入电压-Nom	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	界面	最大电源电压	最小电源电压	模拟 IC - 其他类型	电源电流	功率耗散	最大电源电流	输出电流	传播延迟	输入类型	接通延迟时间	电压 - 输出	输出特性	上升时间	下降时间（典型值）	切换器配置	输出极性	输入特性	上升/下降时间(Typ)	接口IC类型	开关频率-最大值	故障保护	信道型	驱动器数量	接通时间	输出峰值电流限制-名	电源电压1-额定值	闸门类型	峰值输出电流（源极，漏极）	高边驱动器	关断时间	内置保护器	高压侧电压-最大值(自举)	输出电流流向	电源电压1-最小值	高度	座位高度(最大)	长度	宽度
DGD2181MS8-13	Diodes Incorporated	数据表	30000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	0.8V 2.5V			150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e3		活跃	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn)				10V~20V			260					30																				Non-Inverting									40ns 20ns				Independent	2				IGBT, N-Channel MOSFET	1.9A 2.3A				600V									ROHS3 Compliant
DGD2184MS8-13	Diodes Incorporated	数据表	1659 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	0.8V 2.5V			150°C TJ	Tape & Reel (TR)			e3		活跃	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn)				10V~20V			260					30																				Non-Inverting									40ns 20ns				Synchronous	2				IGBT, N-Channel MOSFET	1.4A 1.8A				600V									ROHS3 Compliant
LT1166CS8#PBF	Linear Technology/Analog Devices	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES			High-Side	-40°C~150°C TJ	Tube	1996		e3		活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn)					DUAL	鸥翼	260	1				30	LT1166	8	R-PDSO-G8		不合格										模拟电路					Non-Inverting													Synchronous	2				N-Channel MOSFET									1.75mm	4.9mm	3.9mm			ROHS3 Compliant
TCK401G,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	数据表	45 In Stock	1: ¥6.314052 10: ¥5.956653 100: ¥5.619485 500: ¥5.301400 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	6-UFBGA, WLCSP		High-Side	0.4V 1.6V			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)					活跃	1 (Unlimited)							2.7V~28V																												Non-Inverting									0.2ms 1.5μs				Single	1																		符合RoHS标准
SLG55021-200010VTR	Dialog Semiconductor GmbH	数据表	811 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	8-WFDFN Exposed Pad		High-Side	0.4V 5.5V			-55°C~125°C	Tape & Reel (TR)					活跃	1 (Unlimited)							4.75V~5.25V																												CMOS										基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器			Single	1				N-Channel MOSFET	32μA 400μA													符合RoHS标准
ISL6580CR	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	QFN	YES							2005		e0			3 (168 Hours)	56	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	0°C	8542.39.00.01		QUAD	无铅	未说明	1		0.5mm		未说明		56	S-PQCC-N56	12	不合格	25A	3.3V			COMMERCIAL		I2C			开关稳压器									脉宽调制			BUCK				1000kHz	Over Temperature, Over Voltage															0.9mm	8mm	8mm			符合RoHS标准	含铅
IHD660IC1	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	36-DIP Module, 24 Leads		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Tray		SCALE™-1			最后一次购买								14V~16V																												Inverting									100ns 80ns				Independent	2				IGBT, N-Channel MOSFET
IGD616IT1	Power Integrations	数据表	300 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7 Weeks	通孔	36-DIP Module, 24 Leads	High-Side or Low-Side				-40°C~85°C TA	Tray	2016	SCALE™-1			最后一次购买								14V~16V																												Inverting									100ns 80ns	基于缓冲器或逆变器的IGBT驱动器			Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET														符合RoHS标准
1SD312F2-CM400HB-90H	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Bulk		SCALE™-1			Obsolete	不适用							15.5V~16.8V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	12A 12A
1SD418F2-CM1200HC-50H	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	9 Weeks	底座安装	Module	Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							14.5V~15.5V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
1SD418F2-CM800E2C-66H	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							14.5V~15.5V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
1SD418F2-CM1200HC-66H	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							14.5V~15.5V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
2SB315A-2MBI800VT-170E	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge					Bulk	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							0V~16V																																									Single	2				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
1SD418F2-5SNA1500E330300	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							14.5V~15.5V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
FAN6224M-T	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)								2017				活跃																																																																				符合RoHS标准
1SD418F2-CM800HB-66H	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							14.5V~15.5V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
1SD418F2-FZ1200R33KF1	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							14.5V~15.5V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	18A 18A
1SD418F2-FX800R33KF1	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C TA	Box	2016	SCALE™-1			Obsolete	1 (Unlimited)							14.5V~15.5V																																					100ns 100ns				Single	1				IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
EL7212CS-T13	Intersil Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES		8	85°C	-40°C							e0			1 (Unlimited)		EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			8542.39.00.01		DUAL	鸥翼	240	2	15V	1.27mm	not_compliant	未说明		8	R-PDSO-G8		不合格			15V	15V	INDUSTRIAL	4.5V																			基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器					0.025 µs	2A				NO	0.025 µs						1.7272mm	4.9022mm	3.9116mm			Non-RoHS Compliant
MIC4424BMTR	Micrel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	8															150°C	-40°C														2		3A							18V	4.5V					75 ns		100 ps				35ns	35 ns							Independent	2																		Non-RoHS Compliant	含铅
2SP0325T2A1-CM2500DY-24S	Power Integrations	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module		Half-Bridge				-40°C~85°C	Tray		SCALE™-2			最后一次购买								14.5V~15.5V																																					600ns 750ns				Independent	2				IGBT	25A -
CS8312YD8	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)	YES	8		125°C	-40°C								no			8	EAR99						DUAL	鸥翼		1						8			不合格					AUTOMOTIVE																				基于缓冲器或反相器的外设驱动器					10 µs						10 µs	OVER CURRENT		SINK								符合RoHS标准
IR2131J	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	PLCC	44						2004		e0		Discontinued	3 (168 Hours)	32	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-40°C			QUAD	J BEND	225	3	15V	1.27mm		30				3	不合格				15V	AUTOMOTIVE	10V							200mA				20V	TOTEM-POLE		80ns			INVERTED	STANDARD	基于半桥的mosfet驱动器					2 µs	0.5A				YES	1 µs				5V		4.57mm	16.585mm	16.585mm			符合RoHS标准	含铅
ISL6612ACBZA	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	25 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC		800mW						2001		e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	0°C			DUAL	鸥翼	260	1	12V			40		8	R-PDSO-G8		不合格	3A				OTHER			13.2V	10.8V				3A							26ns	18 ns				基于半桥的mosfet驱动器				2			12V			YES							1.75mm	4.9mm	3.9mm			符合RoHS标准	无铅
IR4428SPBF	Infineon Technologies	数据表	50 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	8		65 ns	625mW														125°C	-40°C																3.3A							20V	6V	200μA	625mW	200μA	2.3A	160 ns		85 ns	20V			35ns	25 ns				基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器				2												1.4986mm		4.9784mm	3.9878mm	无	无SVHC	符合RoHS标准	无铅