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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装							操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	输出的数量	资历状况	最大输出电流	工作电源电压	输入电压-Nom	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	最大电源电压	最小电源电压	模拟 IC - 其他类型	工作电源电流	电源电流	功率耗散	最大电源电流	传播延迟	输入类型	接通延迟时间	电压 - 输出	输入电压(Min)	输入电压(最大)	输出特性	控制技术	上升时间	下降时间（典型值）	切换器配置	输出极性	输入特性	上升/下降时间(Typ)	接口IC类型	开关频率-最大值	信道型	驱动器数量	接通时间	输出峰值电流限制-名	电源电压1-额定值	闸门类型	峰值输出电流（源极，漏极）	高边驱动器	关断时间	高压侧电压-最大值(自举)	电源电压1-最小值	座位高度(最大)	长度
ISL6615ACBZ	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC								2007	e3	yes	活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	70°C	0°C			DUAL	鸥翼	260	1	12V			30		8	R-PDSO-G8		不合格	6A				COMMERCIAL		13.2V	6.8V		4.5mA				6A								13ns	10 ns					和基于栅极的mosfet驱动器			2		6A				YES				1.75mm	4.9mm	3.9mm		符合RoHS标准
ISL89161FBEAZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	8	33.3W	25 ns							2010	e3		活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	125°C	-40°C			DUAL	鸥翼	260	1	12V			未说明					不合格	6A				AUTOMOTIVE		16V	4.5V						6A			25 ns					20ns	20 ns					和基于栅极的mosfet驱动器			2	0.05 µs	6A				YES	0.05 µs					3.9mm		符合RoHS标准
ISL6613ECB-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装									2001	e0		Discontinued	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	0°C			DUAL	鸥翼	240	1				30		8	R-PDSO-G8	2	不合格					商业扩展	5V																						基于半桥的mosfet驱动器					3A	12V			YES			10.8V	1.68mm	4.89mm	3.9mm		符合RoHS标准	含铅
PX3511BDAG-R3	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC								2005	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	0°C			DUAL	鸥翼	260	1				40		8	R-PDSO-G8		不合格	3A		12V		商业扩展		12V	5V	开关控制器					3A					10.8V		脉宽调制	26ns	18 ns	PHASE-SHIFT							2										1.75mm	4.9mm	3.9mm		符合RoHS标准
ISL89160FBEBZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	8	33.3W	25 ns							2010	e3		活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	125°C	-40°C			DUAL	鸥翼	未说明	1	12V			未说明					不合格	6A				AUTOMOTIVE		16V	4.5V						6A			25 ns					20ns	20 ns					和基于栅极的mosfet驱动器			2	0.05 µs	6A				YES	0.05 µs					3.9mm		符合RoHS标准
ISL89160FRTAZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8		33.3W	25 ns						Tape & Reel (TR)	2010	e3		活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	125°C	-40°C			DUAL	无铅	260	1	12V	0.65mm		未说明					不合格	6A				AUTOMOTIVE		16V	4.5V						6A			25 ns					20ns	20 ns					和基于栅极的mosfet驱动器			2	0.05 µs	6A				YES	0.05 µs				3mm	3mm		符合RoHS标准
ISL6613CR	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	DFN								2001	e0		Discontinued	1 (Unlimited)	10	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	0°C			DUAL	无铅	240	1		0.5mm		未说明		10	S-PDSO-N10	2	不合格					商业扩展	5V																						基于半桥的mosfet驱动器					3A	12V			YES			10.8V	1mm	3mm	3mm		符合RoHS标准	含铅
ISL6613AECB	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装									2001	e0		Discontinued	1 (Unlimited)	8	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	85°C	0°C			DUAL	鸥翼	240	1	12V			30		8	R-PDSO-G8	2	不合格					OTHER	10.8V																						基于半桥的mosfet驱动器						12V			YES			5V	1.68mm	4.89mm	3.9mm		符合RoHS标准	含铅
IR2181	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	DIP								2004	e0		活跃	2 (1 Year)	8	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-40°C			DUAL		225	1	15V			30		8		2	不合格				15V	AUTOMOTIVE	10V																						基于半桥的mosfet驱动器					2.3A				YES	0.33 μs		5V	5.33mm	9.88mm			符合RoHS标准	含铅
ISL6614BIBZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	1W							Tape & Reel	2001	e3	yes	活跃	3 (168 Hours)	14	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			DUAL	鸥翼	260	2	12V			40		14		4						INDUSTRIAL		13.2V	7V			7.1mA			3A								26ns	18 ns					基于半桥的mosfet驱动器			2						YES				1.75mm	8.65mm	3.9mm	无	符合RoHS标准
ISL89163FRTCZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8	33.3W								2010	e3		活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	125°C	-40°C			DUAL	无铅	260	1	12V	0.65mm		未说明					不合格	6A				AUTOMOTIVE		16V	7.5V						6A								20ns	20 ns					和基于栅极的mosfet驱动器			2	0.05 μs	6A				YES	0.05 μs				3mm	3mm		符合RoHS标准
ISL89168FBEAZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	8	2.27W	25 ns						Tape & Reel (TR)	2010	e3		活跃	1 (Unlimited)	8		Matte Tin (Sn) - annealed	125°C	-40°C			DUAL	鸥翼	260		12V			未说明					不合格	6A						16V	4.5V		5mA				6A			25 ns					20ns	20 ns					和基于栅极的mosfet驱动器			2												3.9005mm		符合RoHS标准
IR2182	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	DIP	NO	8					-40°C			2004					8	EAR99						DUAL	THROUGH-HOLE		1	15V					8		2	不合格					AUTOMOTIVE	10V																						基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器					2A				YES				5.33mm				Non-RoHS Compliant	含铅
HIP2123FRTBZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	9	3.1W								2010	e3		活跃		9		哑光锡	125°C	-40°C			QUAD			1	12V	0.8mm				9								AUTOMOTIVE		14V	8V			4mA		4mA	2A								600ns	600 ns					基于半桥的mosfet驱动器			2	60 μs	2A				YES	60 μs			0.75mm	4mm	4mm	无	符合RoHS标准
ISL6622IBZ-T	Intersil (Renesas Electronics America)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5 Weeks	表面贴装	SOIC							2001	e3		活跃	3 (168 Hours)	8	EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed	85°C	-40°C			DUAL	鸥翼	260	1	12V			30		10, 8	R-PDSO-G8		不合格	3A				INDUSTRIAL		13.2V	6.8V			8.2mA			3A								26ns	18 ns					和基于栅极的mosfet驱动器			2		3A				YES				1.75mm	4.9mm	3.9mm		符合RoHS标准
IR2102S	International Rectifier	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOIC	8					50 ns			2004	e0		Discontinued	2 (1 Year)	8	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	125°C	-40°C			DUAL	鸥翼	245	1	15V		unknown	30		8			不合格	360mA	15V			AUTOMOTIVE		20V	10V				625mW			220 ns		50 ns	20V		TOTEM-POLE		170ns	90 ns		INVERTED	触发器		基于半桥的mosfet驱动器			2		0.36A				YES				1.75mm	4.9mm	3.9mm		符合RoHS标准	含铅
ISL6612IRZR5238	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad	10-DFN (3x3)					Half-Bridge	-40°C~125°C TJ	Tube				Obsolete	3 (168 Hours)							10.8V~13.2V									ISL6612																				Non-Inverting											26ns 18ns			Synchronous	2				N-Channel MOSFET	1.25A 2A			36V						ROHS3 Compliant
ISL6614CRZR5238	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	16-VQFN Exposed Pad	Half-Bridge						0°C~125°C TJ	Tube				Obsolete	3 (168 Hours)							10.8V~13.2V									ISL6614																				Non-Inverting											26ns 18ns			Synchronous	4				N-Channel MOSFET	1.25A 2A			36V						ROHS3 Compliant
ISL6612CBZ-TR5238	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC					Half-Bridge	0°C~125°C TJ	Tape & Reel (TR)				Discontinued	3 (168 Hours)							10.8V~13.2V									ISL6612																				Non-Inverting											26ns 18ns			Synchronous	2				N-Channel MOSFET	1.25A 2A			36V						ROHS3 Compliant
ISL89411IPZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	8-DIP (0.300, 7.62mm)		0.8V 2.4V	Low-Side					-40°C~125°C TJ	Bulk		e3		Obsolete	1 (Unlimited)		EAR99	Matte Tin (Sn)				4.5V~18V			未说明					未说明	ISL89411	8																			Inverting											7.5ns 10ns	基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器		Independent	2				N-Channel, P-Channel MOSFET	2A 2A									ROHS3 Compliant
ISL6614CRZA-TR5214	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	16-VQFN Exposed Pad	Half-Bridge						0°C~125°C TJ	Tape & Reel (TR)				Obsolete	3 (168 Hours)							10.8V~13.2V									ISL6614																				Non-Inverting											26ns 18ns			Synchronous	4				N-Channel MOSFET	1.25A 2A			36V						ROHS3 Compliant
ZL1505ALNNT	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad	YES	Half-Bridge	1.7V 3.4V					-40°C~125°C TJ	Tube		e4		Obsolete	2 (1 Year)	10		Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)				4.5V~7.5V	DUAL	无铅	未说明	1		0.5mm		未说明	ZL1505		S-PDSO-N10					6.5V						开关控制器							Non-Inverting		4.5V	7.5V		脉宽调制						5.3ns 4.8ns		1400kHz	Independent	2				N-Channel MOSFET	3.2A 3.2A			30V		1.05mm	3mm	3mm		ROHS3 Compliant
ISL89164FBECZ-T	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP	Low-Side	2.4V 9.6V					-40°C~125°C TJ	Tape & Reel (TR)				Obsolete	1 (Unlimited)							7.5V~16V									ISL89164																				Inverting											20ns 20ns			Independent	2				N-Channel MOSFET	6A 6A									ROHS3 Compliant
ISL89165FRTCZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-VFDFN Exposed Pad		8-SOIC-EP	Low-Side	2.4V 9.6V	Industrial grade				-40°C~125°C TJ	Tube				Obsolete	3 (168 Hours)							7.5V~16V									ISL89165																				Inverting, Non-Inverting											20ns 20ns			Independent	2				N-Channel MOSFET	6A 6A									ROHS3 Compliant
ISL6611AIRZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	16-VQFN Exposed Pad	YES	Half-Bridge	0.8V 2V					-40°C~125°C TJ	Tube				Obsolete	1 (Unlimited)	16					使用专有相位加倍方案进行调制。	4.5V~5.5V	QUAD	无铅		1		0.65mm			ISL6611A		S-PQCC-N16					5V						双开关控制器							Non-Inverting			5.5V		脉宽调制						8ns 8ns		1000kHz	Synchronous	4				N-Channel MOSFET	- 4A			36V		1mm				ROHS3 Compliant