类别是'category.门驱动器 ICs' (10000)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

Current - Supply (Nom)

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

最大电流源

输出的数量

资历状况

最大输出电流

电源

温度等级

通道数量

电压

最大电源电压

最小电源电压

模拟 IC - 其他类型

工作电源电流

功率耗散

输出电流

传播延迟

输入类型

接通延迟时间

输出电流-最大值

上升时间

下降时间(典型值)

上升/下降时间(Typ)

接口IC类型

筛选水平

信道型

驱动器数量

接通时间

输出峰值电流限制-名

电源电压1-额定值

闸门类型

峰值输出电流(源极,漏极)

高边驱动器

关断时间

内置保护器

高压侧电压-最大值(自举)

输出电流流向

高度

座位高度(最大)

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FAN7888M
FAN7888M
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

20-SOIC

Half-Bridge

1V 2.5V

-40°C~150°C TJ

Tube

Obsolete

3 (168 Hours)

10V~20V

Non-Inverting

50ns 30ns

3-Phase

6

IGBT, N-Channel MOSFET

350mA 650mA

200V

ROHS3 Compliant

2DMB51008CC
2DMB51008CC
Tamura 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

通孔

Module

NO

Half-Bridge

-40°C~85°C

Bulk

活跃

1 (Unlimited)

31

3V~5.5V

DUAL

PIN/PEG

1

5V

R-XDMA-P31

Non-Inverting

500ns 500ns

Independent

2

IGBT, SiC MOSFET

5mA -

YES

19.8mm

57mm

51.5mm

ROHS3 Compliant

2DU180506MR02
2DU180506MR02
Tamura 数据表

36 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

Half-Bridge

0.8V 2V

-40°C~85°C

Bulk

活跃

1 (Unlimited)

5V

500ns 500ns

Independent

2

SiC MOSFET

20mA -

ROHS3 Compliant

2DMB51507CC
2DMB51507CC
Tamura 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

通孔

Module

Half-Bridge

-40°C~85°C

Bulk

活跃

1 (Unlimited)

3V~5.5V

Non-Inverting

500ns 500ns

Independent

2

IGBT, SiC MOSFET

5mA -

ROHS3 Compliant

MC33395TEW
MC33395TEW
NXP USA Inc. 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

32-BSSOP (0.295, 7.50mm Width)

Half-Bridge

-40°C~150°C TJ

Tube

2005

Obsolete

3 (168 Hours)

5.5V~24V

unknown

MC33395

无刷直流电机控制器

Non-Inverting

350ns 250ns

3-Phase

6

N-Channel MOSFET

ROHS3 Compliant

NCP5359ADR2G
NCP5359ADR2G
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Tape & Reel (TR)

Obsolete

1 (Unlimited)

ROHS3 Compliant

MCZ33285EF
MCZ33285EF
NXP USA Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

High-Side

0.7V 1.7V

-40°C~125°C TA

Tube

2006

Obsolete

3 (168 Hours)

7V~40V

MCZ33285

Non-Inverting

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

Synchronous

2

N-Channel MOSFET

ROHS3 Compliant

ISL89167FBEAZ
ISL89167FBEAZ
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

8-SOIC-EP

Low-Side

1.22V 2.08V

-40°C~125°C TJ

Tube

Obsolete

1 (Unlimited)

4.5V~16V

Inverting

20ns 20ns

Independent

2

N-Channel MOSFET

6A 6A

ROHS3 Compliant

LMG1025QDEETQ1
LMG1025QDEETQ1
Texas Instruments 数据表

455 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

42 Weeks

Surface Mount, Wettable Flank

6-WDFN Exposed Pad

YES

Low-Side

1.8V 1.7V

Automotive grade

-40°C~125°C TJ

Automotive, AEC-Q100

e3

yes

活跃

2 (1 Year)

6

Matte Tin (Sn)

4.75V~5.25V

DUAL

无铅

1

5V

0.65mm

S-PDSO-N6

Inverting, Non-Inverting

7A

650ps 850ps

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

Single

1

N-Channel, P-Channel MOSFET

7A 5A

NO

0.8mm

2mm

2mm

ROHS3 Compliant

NJW4832KH1-B-TE3
NJW4832KH1-B-TE3
NJR Corporation/NJRC 数据表

10 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

6-XFDFN Exposed Pad

6-DFN (1.6x1.6)

High-Side

0.9V 2.64V

-40°C~125°C

Tape & Reel (TR)

2016

活跃

4.6V~40V

Non-Inverting

10μs 10μs

Single

1

P-Channel MOSFET

IRS2008MPBFAUMA1
IRS2008MPBFAUMA1
Infineon Technologies 数据表

35 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

14-VFQFN Exposed Pad

Half-Bridge

0.8V 2.5V

-40°C~125°C TA

Tape & Reel (TR)

活跃

10V~20V

CMOS

70ns 30ns

Synchronous

1

IGBT, N-Channel MOSFET

290mA 600mA

200V

NJW4830U2-TE2
NJW4830U2-TE2
NJR Corporation/NJRC 数据表

100 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

SOT-89-5

SOT-89-5

High-Side

0.9V 2.64V

-40°C~125°C

Tape & Reel (TR)

活跃

4.6V~40V

Non-Inverting

20μs 20μs

Single

1

P-Channel MOSFET

2ED2304S06FXLLA1
2ED2304S06FXLLA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

7 Weeks

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Half-Bridge

1.1V 1.7V

-40°C~125°C TA

Tube

活跃

10V~17.5V

CMOS

48ns 24ns

Synchronous

2

IGBT, N-Channel MOSFET

360mA 700mA

650V

IXDN604SIA
IXDN604SIA
IXYS Integrated Circuits Division 数据表

2 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

8-SOIC

540.001716mg

Low-Side

0.8V 3V

-40°C~125°C TA

Tube

2010

活跃

1 (Unlimited)

125°C

-40°C

4.5V~35V

2

4A

2

35V

4.5V

10μA

4A

50 ns

Non-Inverting

9ns

8 ns

9ns 8ns

Independent

2

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

4A 4A

ROHS3 Compliant

无铅

IXDN604SI
IXDN604SI
IXYS Integrated Circuits Division 数据表

10 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

8

8-SOIC-EP

540.001716mg

0.8V 3V

Low-Side

-40°C~125°C TA

Tube

2004

活跃

1 (Unlimited)

125°C

-40°C

4.5V~35V

2

4A

2

35V

35V

4.5V

10μA

4A

40 ns

Non-Inverting

40 ns

16ns

14 ns

9ns 8ns

Independent

2

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

4A 4A

ROHS3 Compliant

无铅

IXDN602SIA
IXDN602SIA
IXYS Integrated Circuits Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

8-SOIC

540.001716mg

Low-Side

0.8V 3V

75 ns

-55°C~150°C TJ

Tube

2010

活跃

1 (Unlimited)

125°C

-40°C

4.5V~35V

2

2A

2

35V

4.5V

10μA

2A

60 ns

Non-Inverting

75 ns

15ns

15 ns

7.5ns 6.5ns

Independent

2

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

2A 2A

ROHS3 Compliant

无铅

ISL6700IRZ
ISL6700IRZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

QFN

12

2.976W

25 ns

2001

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

12

EAR99

哑光锡

125°C

-40°C

QUAD

260

1

12V

0.8mm

40

12

3mA

2

1.4A

AUTOMOTIVE

15V

9V

3mA

1.4A

20 ns

20ns

20 ns

基于半桥的mosfet驱动器

0.095 μs

1.4A

YES

0.09 μs

1mm

4mm

4mm

无SVHC

符合RoHS标准

无铅

ISL6700IRZ-T
ISL6700IRZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

VQFN

12

25 ns

2.976W

2001

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

12

EAR99

哑光锡

125°C

-40°C

QUAD

260

1

12V

0.8mm

40

12

3mA

1.4A

AUTOMOTIVE

15V

9V

3mA

1.4A

20 ns

20ns

20 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

0.095 μs

1.4A

YES

0.09 μs

1mm

4mm

4mm

符合RoHS标准

无铅

ISL6622ACBZ-T
ISL6622ACBZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

7mA

Tape & Reel (TR)

2001

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

DUAL

鸥翼

260

1

12V

未说明

8

R-PDSO-G8

不合格

3A

COMMERCIAL

13.2V

6.8V

3A

26ns

18 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

3A

YES

1.75mm

4.9mm

3.9mm

符合RoHS标准

ISL6615CBZ
ISL6615CBZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

4.5mA

2006

e3

活跃

3 (168 Hours)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

DUAL

鸥翼

未说明

1

12V

未说明

8

R-PDSO-G8

不合格

4A

COMMERCIAL

13.2V

6.8V

4A

13ns

10 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

6A

12V

YES

1.75mm

4.9mm

3.9mm

符合RoHS标准

ISL6622ACBZ
ISL6622ACBZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

7mA

2001

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

DUAL

鸥翼

260

1

12V

30

8

R-PDSO-G8

不合格

3A

COMMERCIAL

13.2V

6.8V

3A

26ns

18 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

3A

YES

1.75mm

4.9mm

3.9mm

符合RoHS标准

AUIRS2003STR
AUIRS2003STR
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

8

150μA

625mW

60 ns

Automotive grade

e3

2 (1 Year)

8

EAR99

Matte Tin (Sn)

125°C

-40°C

DUAL

鸥翼

260

1

15V

30

600mA

15V

AUTOMOTIVE

20V

10V

625mW

130mA

820 ns

60 ns

170ns

90 ns

基于全桥的外设驱动

AEC-Q100

2

TRANSIENT; UNDER VOLTAGE

水槽

1.4986mm

4.9784mm

3.9878mm

符合RoHS标准

ISL6622ACRZ
ISL6622ACRZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5 Weeks

表面贴装

DFN

10

4mA

2001

e3

活跃

3 (168 Hours)

10

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

70°C

0°C

DUAL

无铅

260

1

12V

0.5mm

未说明

10

不合格

3A

COMMERCIAL

13.2V

6.8V

3A

26ns

18 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

3A

YES

1mm

3mm

3mm

符合RoHS标准

ISL83202IBZT
ISL83202IBZT
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

9 Weeks

表面贴装

SOIC

1994

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

16

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

125°C

-55°C

DUAL

鸥翼

260

1

12V

1.27mm

30

16

R-PDSO-G16

6.4mA

不合格

1A

MILITARY

15V

8.5V

6.4mA

1A

20ns

20 ns

基于半桥的mosfet驱动器

4

150 µs

1A

YES

100 µs

1.75mm

9.9mm

3.9mm

符合RoHS标准

ISL6614BCRZ
ISL6614BCRZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

VQFN

16

7.1mA

2W

2001

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

16

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

0°C

QUAD

260

2

12V

0.65mm

30

16

4

OTHER

13.2V

7V

3A

26ns

18 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

YES

1mm

符合RoHS标准