类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

电压-隔离度

极性

配置

电压

元素配置

电流

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

APTGL475U120D4G
APTGL475U120D4G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

D4-5

4

D4

1.8 V

610 A

微芯片技术

340 ns

Bulk

610 A

APTGL475

活跃

Details

1.2 kV

2.082 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

12.345887 oz

1.2 kV

-40°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

-

175 °C

-40 °C

2.082 kW

Single

Single

160 ns

2082 W

Standard

1.2 kV

610 A

4 mA

1200 V

24.6 nF

2.2V @ 15V, 400A

610

沟渠现场停车

无

24.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无铅

APT40GF120JRDQ2
APT40GF120JRDQ2
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

80 A

100 nA

微芯片技术

Details

1200 V

347 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

螺钉安装

1

Tube

77 A

Obsolete

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

347 W

Standard

500 µA

1200 V

3V @ 15V, 40A

NPT

无

3.46 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT300A120D3G
APTGT300A120D3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

D3-11

7

D3

1.7 V

440 A

400 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

1.45 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

Bulk

440 A

APTGT300

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Bulk

-

150 °C

-40 °C

1.25 kW

Dual

Dual

1.45

1250 W

Standard

1.2 kV

440 A

8 mA

1200 V

20 nF

2.1V @ 15V, 300A

440

沟渠现场停车

无

20 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT100DA120T1G
APTGT100DA120T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

12

SP1

1.7 V

140 A

400 nA

微芯片技术

APTGT100

活跃

Details

1.2 kV

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

1.2 kV

Bulk

140 A

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

480 W

Single

Single

480 W

Standard

1.2 kV

140 A

250 µA

1200 V

7.2 nF

2.1V @ 15V, 100A

140

沟渠现场停车

有

7.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGLQ200A120T3AG
APTGLQ200A120T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

SP3F

2.05 V

400 A

480 nA

微芯片技术

活跃

1200 V

12.5 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

400 A

APTGLQ200

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

1250 W

Standard

100 µA

1200 V

2.4V @ 15V, 160A

沟渠现场停车

有

9.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT400DA60D3G
APTGT400DA60D3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

D3-11

11

D3

1.5 V

500 A

400 nA

微芯片技术

Details

600 V

1.25 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

Bulk

500 A

APTGT400

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

-

1.25 kW

Single

Single

1250 W

Standard

1.9 V

500 A

500 µA

600 V

24 nF

1.9V @ 15V, 400A

500

沟渠现场停车

无

24 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

APTGT300A170D3G
APTGT300A170D3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

D3-11

7

D3

2 V

400 A

400 nA

微芯片技术

Details

1.7 kV

1.47 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

Bulk

530 A

APTGT300

活跃

1.7 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Bulk

-

150 °C

-40 °C

1.47 kW

Dual

Dual

1470 W

Standard

1.7 kV

530 A

8 mA

1700 V

26 nF

2.4V @ 15V, 300A

400

沟渠现场停车

无

26 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APT60GT60JR
APT60GT60JR
Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOT-227-4

2 V

93 A

100 nA

600 V

378 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

螺钉安装

1

Tube

Single

IGBT硅模块

FZ2400R12HP4HOSA2
FZ2400R12HP4HOSA2
Infineon Technologies 数据表

2764 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

50 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

3460A

2

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X7

单开关

ISOLATED

12500W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

880 ns

2.05V @ 15V, 2400A

1440 ns

无

150nF @ 25V

ROHS3 Compliant

FF200R12KE4HOSA1
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2612 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

7

240A

2

-40°C~150°C TJ

2002

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

7

R-XUFM-X5

NPN

半桥

Dual

ISOLATED

1100W

不含卤素

Standard

5mA

1200V

325 ns

2.15V @ 15V, 200A

800 ns

沟渠现场停车

无

14nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

APTGT300SK170G
APTGT300SK170G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

2 V

400 A

600 nA

微芯片技术

活跃

1.7 kV

Details

1.7 kV

1.66 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

400 A

APTGT300

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.66 kW

Single

Single

1660 W

Standard

1.7 kV

400 A

750 µA

1700 V

26.5 nF

2.4V @ 15V, 300A

400

沟渠现场停车

无

26.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT600SK60G
APTGT600SK60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

1.4 V

700 A

800 nA

微芯片技术

APTGT600

活跃

600 V

250 ns

Details

600 V

2.3 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

700 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

2.3 kW

Single

Single

2.3

130 ns

2300 W

Standard

600 V

700 A

750 µA

600 V

49 nF

1.8V @ 15V, 600A

700

沟渠现场停车

无

49 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无铅

FZ2400R12HP4B9HOSA2
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies 数据表

577 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

50 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

3550A

3

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

9

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X9

单开关

ISOLATED

13500W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

3.55kA

5mA

1200V

880 ns

2.05V @ 15V, 2400A

1440 ns

Trench

无

150nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

APTGTQ50TA65T3G
APTGTQ50TA65T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3F

SP3F

1.65 V

50 A

120 nA

微芯片技术

活跃

650 V

125 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

50 A

APTGTQ50

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Hex

125 W

Standard

50 µA

650 V

2.2V @ 15V, 50A

-

有

3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT30X60T3G
APTGT30X60T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

32

SP3

1.5 V

50 A

300 nA

微芯片技术

Details

600 V

90 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

50 A

APTGT30

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

90 W

3-Phase

90 W

Standard

600 V

50 A

250 µA

600 V

1.6 nF

1.9V @ 15V, 30A

50

沟渠现场停车

有

1.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FF450R17ME4B11BOSA1
FF450R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

52 Weeks

底座安装

Module

600A

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

EAR99

未说明

未说明

2 Independent

Dual

2500W

不含卤素

Standard

3mA

1700V

2.3V @ 15V, 450A

沟渠现场停车

有

36nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APT60GT60JRDQ3
APT60GT60JRDQ3
Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOT-227-4

2 V

105 A

100 nA

600 V

379 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

螺钉安装

1

Tube

Single

IGBT硅模块

APTGT100A170TG
APTGT100A170TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

2 V

150 A

400 nA

微芯片技术

Bulk

150 A

APTGT100

活跃

Details

1.7 kV

560 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

1.7 kV

650 ns

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

560 W

Dual

Dual

560

370 ns

560 W

Standard

1.7 kV

150 A

250 µA

1700 V

9 nF

2.4V @ 15V, 100A

150

沟渠现场停车

有

9 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无铅

FF600R12ME4CBOSA1
FF600R12ME4CBOSA1
Infineon Technologies 数据表

2953 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

11

SILICON

1060A

2

-40°C~150°C TJ

2002

不用于新设计

1 (Unlimited)

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

半桥

Dual

ISOLATED

4050W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

1.06kA

3mA

1200V

300 ns

2.1V @ 15V, 600A

710 ns

沟渠现场停车

有

37nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

APTGT400A60D3G
APTGT400A60D3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

D3-11

11

D3

1.5 V

500 A

400 nA

微芯片技术

600 V

490 ns

Details

600 V

1.25 kW

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

Bulk

活跃

APTGT400

500 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

-

175 °C

-40 °C

1.25 kW

Dual

Dual

1.25

110 ns

1250 W

Standard

600 V

500 A

500 µA

600 V

24 nF

1.9V @ 15V, 400A

500

沟渠现场停车

无

24 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

无铅

APTLGT400A608G
APTLGT400A608G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

LP8

1.5 V

600 A

底座安装

1

Bulk

APTLGT400

微芯片技术

活跃

150 °C

有

APTLGT400A608G

1

活跃

MICROSEMI CORP

5.7

Details

600 V

1.25 kW

- 40 C

+ 85 C

Bulk

-

EAR99

IGBT

compliant

2500Vrms

Dual

600 V

600 A

1.25

1250 W

600 A

600

600 V

1.9 V

IGBT硅模块

APTGT300DU60G
APTGT300DU60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

NO

7

SP6

7

SILICON

Details

600 V

1.15 kW

1.4 V

430 A

- 40 C

+ 100 C

500 nA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Tube

430 A

APTGT300

活跃

600 V

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

170 ns

320 ns

未说明

175 °C

有

APTGT300DU60G

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

5.22

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

175 °C

-40 °C

雪崩 额定

1.15 kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

7

R-XUFM-X7

不合格

Dual

Dual

ISOLATED

1150 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

600 V

430 A

350 µA

600 V

24 nF

1.8V @ 15V, 300A

430 A

430

沟渠现场停车

600 V

无

24 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT150DH60TG
APTGT150DH60TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

1.5 V

225 A

400 nA

微芯片技术

活跃

600 V

Details

600 V

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

225 A

APTGT150

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

480 W

Dual

Dual

480 W

Standard

600 V

225 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

225

沟渠现场停车

有

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FS75R12W2T4BOMA1
FS75R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

19 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

18

SILICON

2.15V

1.2kV

6

-40°C~150°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

15

EAR99

375W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

33

R-XUFM-X15

不合格

全桥

375W

ISOLATED

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

107A

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 75A

490 ns

沟渠现场停车

有

4.3nF @ 25V

无SVHC

ROHS3 Compliant

含铅

APTGLQ200H65G
APTGLQ200H65G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.85 V

270 A

300 nA

微芯片技术

活跃

650 V

680 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

270 A

APTGLQ200

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Quad

680 W

Standard

75 µA

650 V

2.3V @ 15V, 200A

沟渠现场停车

无

12.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块