类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电压-隔离度 | 极性 | 配置 | 电压 | 元素配置 | 电流 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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APTGL475U120D4G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D4-5 | 4 | D4 | 1.8 V | 610 A | 微芯片技术 | 340 ns | Bulk | 610 A | APTGL475 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 2.082 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 12.345887 oz | 1.2 kV | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | 175 °C | -40 °C | 2.082 kW | Single | Single | 160 ns | 2082 W | Standard | 1.2 kV | 610 A | 4 mA | 1200 V | 24.6 nF | 2.2V @ 15V, 400A | 610 | 沟渠现场停车 | 无 | 24.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT40GF120JRDQ2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | ISOTOP® | 80 A | 100 nA | 微芯片技术 | Details | 1200 V | 347 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | 螺钉安装 | 1 | Tube | 77 A | Obsolete | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 347 W | Standard | 500 µA | 1200 V | 3V @ 15V, 40A | NPT | 无 | 3.46 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300A120D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | 7 | D3 | 1.7 V | 440 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 1.2 kV | 1.45 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 440 A | APTGT300 | 活跃 | 1.2 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | 150 °C | -40 °C | 1.25 kW | Dual | Dual | 1.45 | 1250 W | Standard | 1.2 kV | 440 A | 8 mA | 1200 V | 20 nF | 2.1V @ 15V, 300A | 440 | 沟渠现场停车 | 无 | 20 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100DA120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1-12 | 12 | SP1 | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT100 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | 1.2 kV | Bulk | 140 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 480 W | Single | Single | 480 W | Standard | 1.2 kV | 140 A | 250 µA | 1200 V | 7.2 nF | 2.1V @ 15V, 100A | 140 | 沟渠现场停车 | 有 | 7.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ200A120T3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | SP3F | 2.05 V | 400 A | 480 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1200 V | 12.5 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 400 A | APTGLQ200 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 1250 W | Standard | 100 µA | 1200 V | 2.4V @ 15V, 160A | 沟渠现场停车 | 有 | 9.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400DA60D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | 11 | D3 | 1.5 V | 500 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 1.25 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 500 A | APTGT400 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | 1.25 kW | Single | Single | 1250 W | Standard | 1.9 V | 500 A | 500 µA | 600 V | 24 nF | 1.9V @ 15V, 400A | 500 | 沟渠现场停车 | 无 | 24 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300A170D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | 7 | D3 | 2 V | 400 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 1.7 kV | 1.47 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 530 A | APTGT300 | 活跃 | 1.7 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | 150 °C | -40 °C | 1.47 kW | Dual | Dual | 1470 W | Standard | 1.7 kV | 530 A | 8 mA | 1700 V | 26 nF | 2.4V @ 15V, 300A | 400 | 沟渠现场停车 | 无 | 26 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GT60JR | Atmel (Microchip Technology) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SOT-227-4 | 2 V | 93 A | 100 nA | 600 V | 378 W | - 55 C | + 150 C | 20 V | 螺钉安装 | 1 | Tube | Single | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R12HP4HOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 2764 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 3460A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X7 | 单开关 | ISOLATED | 12500W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 880 ns | 2.05V @ 15V, 2400A | 1440 ns | 无 | 150nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF200R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2612 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 7 | 240A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | 7 | R-XUFM-X5 | NPN | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1100W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1200V | 325 ns | 2.15V @ 15V, 200A | 800 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 14nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300SK170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 2 V | 400 A | 600 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1.7 kV | Details | 1.7 kV | 1.66 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 400 A | APTGT300 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.66 kW | Single | Single | 1660 W | Standard | 1.7 kV | 400 A | 750 µA | 1700 V | 26.5 nF | 2.4V @ 15V, 300A | 400 | 沟渠现场停车 | 无 | 26.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT600SK60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 微芯片技术 | APTGT600 | 活跃 | 600 V | 250 ns | Details | 600 V | 2.3 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 700 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 2.3 kW | Single | Single | 2.3 | 130 ns | 2300 W | Standard | 600 V | 700 A | 750 µA | 600 V | 49 nF | 1.8V @ 15V, 600A | 700 | 沟渠现场停车 | 无 | 49 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R12HP4B9HOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 577 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 3550A | 3 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X9 | 单开关 | ISOLATED | 13500W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 3.55kA | 5mA | 1200V | 880 ns | 2.05V @ 15V, 2400A | 1440 ns | Trench | 无 | 150nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGTQ50TA65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | SP3F | 1.65 V | 50 A | 120 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 650 V | 125 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 50 A | APTGTQ50 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Hex | 125 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.2V @ 15V, 50A | - | 有 | 3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT30X60T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 32 | SP3 | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 90 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 50 A | APTGT30 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 90 W | 3-Phase | 90 W | Standard | 600 V | 50 A | 250 µA | 600 V | 1.6 nF | 1.9V @ 15V, 30A | 50 | 沟渠现场停车 | 有 | 1.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | 底座安装 | Module | 600A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 2 Independent | Dual | 2500W | 不含卤素 | Standard | 3mA | 1700V | 2.3V @ 15V, 450A | 沟渠现场停车 | 有 | 36nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GT60JRDQ3 | Atmel (Microchip Technology) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SOT-227-4 | 2 V | 105 A | 100 nA | 600 V | 379 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | 螺钉安装 | 1 | Tube | Single | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100A170TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 2 V | 150 A | 400 nA | 微芯片技术 | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | Details | 1.7 kV | 560 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | 1.7 kV | 650 ns | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 560 W | Dual | Dual | 560 | 370 ns | 560 W | Standard | 1.7 kV | 150 A | 250 µA | 1700 V | 9 nF | 2.4V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 有 | 9 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME4CBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2953 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 1060A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 4050W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 1.06kA | 3mA | 1200V | 300 ns | 2.1V @ 15V, 600A | 710 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 37nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400A60D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | 11 | D3 | 1.5 V | 500 A | 400 nA | 微芯片技术 | 600 V | 490 ns | Details | 600 V | 1.25 kW | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 活跃 | APTGT400 | 500 A | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | 175 °C | -40 °C | 1.25 kW | Dual | Dual | 1.25 | 110 ns | 1250 W | Standard | 600 V | 500 A | 500 µA | 600 V | 24 nF | 1.9V @ 15V, 400A | 500 | 沟渠现场停车 | 无 | 24 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTLGT400A608G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | LP8 | 1.5 V | 600 A | 底座安装 | 1 | Bulk | APTLGT400 | 微芯片技术 | 活跃 | 150 °C | 有 | APTLGT400A608G | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.7 | Details | 600 V | 1.25 kW | - 40 C | + 85 C | Bulk | - | EAR99 | IGBT | compliant | 2500Vrms | Dual | 600 V | 600 A | 1.25 | 1250 W | 600 A | 600 | 600 V | 1.9 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300DU60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | NO | 7 | SP6 | 7 | SILICON | Details | 600 V | 1.15 kW | 1.4 V | 430 A | - 40 C | + 100 C | 500 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Tube | 430 A | APTGT300 | 活跃 | 600 V | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 170 ns | 320 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGT300DU60G | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.22 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 175 °C | -40 °C | 雪崩 额定 | 1.15 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | Dual | Dual | ISOLATED | 1150 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 430 A | 350 µA | 600 V | 24 nF | 1.8V @ 15V, 300A | 430 A | 430 | 沟渠现场停车 | 600 V | 无 | 24 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||
APTGT150DH60TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 225 A | APTGT150 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 480 W | Dual | Dual | 480 W | Standard | 600 V | 225 A | 250 µA | 600 V | 9.2 nF | 1.9V @ 15V, 150A | 225 | 沟渠现场停车 | 有 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12W2T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 19 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 18 | SILICON | 2.15V | 1.2kV | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | 375W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 33 | R-XUFM-X15 | 不合格 | 全桥 | 375W | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 107A | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 4.3nF @ 25V | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ200H65G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 1.85 V | 270 A | 300 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 650 V | 680 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 270 A | APTGLQ200 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Quad | 680 W | Standard | 75 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 200A | 沟渠现场停车 | 无 | 12.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 |
APTGL475U120D4G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT40GF120JRDQ2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300A120D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100DA120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ200A120T3AG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT400DA60D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300A170D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT60GT60JR
Atmel (Microchip Technology)
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ2400R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,241.247341
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
797.434711
APTGT300SK170G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT600SK60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
6,032.613555
APTGTQ50TA65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT30X60T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF450R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT60GT60JRDQ3
Atmel (Microchip Technology)
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100A170TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R12ME4CBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,720.259410
APTGT400A60D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTLGT400A608G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300DU60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150DH60TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
351.718719
APTGLQ200H65G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
