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首页 全部商品 category.分立半导体 category.IGBT晶体管模块

类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

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品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿（最大值）

输入电容

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

连续集电极电流

关断时间-标准值（toff)

IGBT类型

NTC热敏电阻

输入电容(Cies)@Vce

产品

辐射硬化

RoHS状态

无铅
FF50R12RT4HOSA1
FF50R12RT4HOSA1
 Infineon Technologies 数据表

9800 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

2

50A

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X5

半桥

Dual

ISOLATED

285W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

185 ns

2.15V @ 15V, 50A

490 ns

沟渠现场停车

无

2.8nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

 FP40R12KT3GBOSA1
FP40R12KT3GBOSA1
 Infineon Technologies 数据表

17 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

7

55A

-40°C~125°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

210W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

140 ns

2.3V @ 15V, 401A

610 ns

有

2.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

 FS150R12KT4B11BOSA1
FS150R12KT4B11BOSA1
 Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

6

150A

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X35

三相逆变器

ISOLATED

750W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

165 ns

2.1V @ 15V, 150A

605 ns

沟渠现场停车

有

9.35nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

 APTGT75TL60T3G
APTGT75TL60T3G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

Details

600 V

250 W

1.5 V

100 A

- 40 C

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

Tube

100 A

APTGT75

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

三级逆变器

250 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 75A

75

沟渠现场停车

有

4.62 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APT100GLQ65JU3
APT100GLQ65JU3
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

Details

650 V

430 W

1.85 V

165 A

- 55 C

+ 150 C

150 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

165 A

APT100

活跃

-55°C ~ 175°C

Tube

-

Single

430 W

Standard

50 µA

650 V

2.3V @ 15V, 1000A

沟渠现场停车

无

6.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGL60TL120T3G
APTGL60TL120T3G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

32

SP3

Details

1.2 kV

280 W

1.8 V

80 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

1.2 kV

Bulk

80 A

APTGL60

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

280 W

三级逆变器

280 W

Standard

1.2 kV

80 A

1 mA

1200 V

2.77 nF

2.2V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

2.77 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

 APTGT75DA60T1G
APTGT75DA60T1G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1-12

SP1

Details

600 V

250 W

1.5 V

100 A

- 40 C

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

2.821917 oz

Bulk

100 A

APTGT75

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

250

250 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 75A

100

沟渠现场停车

有

4.62 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGL90DSK120T3G
APTGL90DSK120T3G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

Details

1.2 kV

385 W

1.85 V

110 A

- 40 C

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

Bulk

110 A

APTGL90

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

385 W

Standard

250 µA

1200 V

2.25V @ 15V, 75A

110

沟渠现场停车

有

4.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT200SK60T3AG
APTGT200SK60T3AG
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

Details

600 V

750 W

1.5 V

290 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

Bulk

290 A

APTGT200

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

750 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 200A

290

沟渠现场停车

有

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT300A170G
APTGT300A170G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

7

SP6

Details

1.7 kV

1.66 kW

2 V

400 A

- 40 C

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

400 A

APTGT300

活跃

1.7 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.66 kW

Dual

Dual

1660 W

Standard

1.7 kV

400 A

750 µA

1700 V

26.5 nF

2.4V @ 15V, 300A

400

沟渠现场停车

无

26.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT200DH120G
APTGT200DH120G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

8

SP6

Details

1.2 kV

890 W

1.7 V

280 A

- 40 C

+ 100 C

500 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

280 A

APTGT200

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

890 W

Dual

Dual

890 W

Standard

1.2 kV

280 A

350 µA

1200 V

14 nF

2.1V @ 15V, 200A

280

沟渠现场停车

无

14 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT50TL60T3G
APTGT50TL60T3G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

Details

600 V

176 W

1.5 V

80 A

- 40 C

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

Bulk

80 A

APTGT50

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

三级逆变器

176 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

3.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT225SK170G
APTGT225SK170G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

Details

1.7 kV

1.25 kW

2 V

340 A

- 40 C

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

340 A

APTGT225

活跃

1.7 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.25 kW

Single

Single

1.25

1250 W

Standard

1.7 kV

340 A

500 µA

1700 V

20 nF

2.4V @ 15V, 225A

340

沟渠现场停车

无

20 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT150A120G
APTGT150A120G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

7

SP6

Details

1.2 kV

690 W

1.7 V

220 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

220 A

APTGT150

活跃

1.2 kV

-

Tube

-

150 °C

-40 °C

690 W

Dual

Dual

690 W

Standard

1.2 kV

220 A

350 µA

1200 V

10.7 nF

2.1V @ 15V, 150A

220

沟渠现场停车

无

10.7 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT200H120G
APTGT200H120G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

12

SP6

Details

1.2 kV

890 W

1.7 V

280 A

- 40 C

+ 100 C

500 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

280 A

APTGT200

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

890 W

全桥

890 W

Standard

1.2 kV

280 A

350 µA

1200 V

14 nF

2.1V @ 15V, 200A

280

沟渠现场停车

无

14 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT35X120T3G
APTGT35X120T3G
 Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SP3-32

Details

1200 V

208 W

1.7 V

55 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

1

Tube

3-Phase Inverter

IGBT硅模块

 APTGT50DH170TG
APTGT50DH170TG
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

Details

1.7 kV

312 W

2 V

75 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

1.7 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

312 W

Dual

Dual

312 W

Standard

1.7 kV

75 A

250 µA

1700 V

4.4 nF

2.4V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

4.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

 APTGT400SK120G
APTGT400SK120G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

Details

1.2 kV

1.785 kW

1.7 V

560 A

- 40 C

+ 100 C

800 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

560 A

APTGT400

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.785 kW

Single

Single

1785 W

Standard

1.2 kV

560 A

750 µA

1200 V

28 nF

2.1V @ 15V, 400A

560

沟渠现场停车

无

28 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

 APTGLQ300A120G
APTGLQ300A120G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1200 V

1500 W

- 40 C

2.05 V

500 A

+ 125 C

20 V

480 nA

底座安装

1

微芯片技术

3.880136 oz

Bulk

500 A

APTGLQ300

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

1.5

1500 W

Standard

200 µA

1200 V

2.42V @ 15V, 300A

500

沟渠现场停车

无

17.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT150DA60T1G
APTGT150DA60T1G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP1-12

1

SP1

Details

600 V

480 W

1.5 V

225 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

2.821917 oz

Bulk

225 A

APTGT150

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

480 W

Single

Single

480 W

Standard

1.9 V

225 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

225

沟渠现场停车

有

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT50DA120TG
APTGT50DA120TG
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

Details

1.2 kV

277 W

1.7 V

75 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

277 W

Single

Single

277 W

Standard

1.2 kV

75 A

250 µA

1200 V

3.6 nF

2.1V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

 APTGT75DDA60T3G
APTGT75DDA60T3G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

Details

600 V

250 W

1.5 V

100 A

- 40 C

+ 100 C

600 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

Bulk

100 A

APTGT75

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Dual

250 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 75A

100

沟渠现场停车

有

4.62 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT50DU120TG
APTGT50DU120TG
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

Details

1.2 kV

277 W

1.7 V

75 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

277 W

Dual

Dual

277 W

Standard

1.2 kV

75 A

250 µA

1200 V

3.6 nF

2.1V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

 APTGT200DA60T3AG
APTGT200DA60T3AG
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP3-32

SP3

Details

600 V

750 W

1.5 V

290 A

- 40 C

+ 100 C

400 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

Bulk

290 A

APTGT200

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

750 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 200A

290

沟渠现场停车

有

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

 APTGT300SK60G
APTGT300SK60G
 Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

Details

600 V

1.15 kW

1.4 V

430 A

- 40 C

+ 100 C

500 nA

20 V

底座安装

微芯片技术

1

3.880136 oz

Bulk

430 A

APTGT300

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

1.15 kW

Single

Single

1150 W

Standard

600 V

430 A

350 µA

600 V

24 nF

1.8V @ 15V, 300A

430

沟渠现场停车

无

24 nF @ 25 V

IGBT硅模块