类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电压-隔离度 | 配置 | 电压 | 元素配置 | 电流 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 高度(毫米) | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FZ400R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2819 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 510A | 1 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X5 | Single | ISOLATED | 2500W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 180 ns | 3.7V @ 15V, 400A | 590 ns | 无 | 26nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100DU170TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 2 V | 150 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 1700 V | 560 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | 1.7 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 560 W | 双共源 | Dual | 560 W | Standard | 1.7 kV | 150 A | 250 µA | 1700 V | 9 nF | 2.4V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 有 | 9 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTCV50H60T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3-32 | SP3 | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 微芯片技术 | 螺钉安装 | Bulk | 80 A | APTCV50 | 活跃 | Details | 600 V | 176 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Case SP3 | 电源模块 | -40 to 150 °C | Tube | - | 32 | 全桥 | 176 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 50A | NPT, Trench Field Stop | 有 | 3.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL475DA120D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | NO | 11 | D3 | 5 | SILICON | 1.8 V | 610 A | + 125 C | 20 V | 400 nA | 底座安装 | 1 | 1.2 kV | Bulk | 微芯片技术 | 610 A | APTGL475 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 270 ns | 580 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGL475DA120D3G | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.72 | Details | 1.2 kV | 2.08 kW | - 40 C | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | EAR99 | 2.08 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 11 | R-XUFM-X5 | 不合格 | Single | Single | 2.08 | ISOLATED | 2080 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 2.2 V | 610 A | 5 mA | 1200 V | 24.6 nF | 2080 W | 2.2V @ 15V, 400A | 610 A | 610 | 沟渠现场停车 | 1200 V | 无 | 20 V | 24.6 nF @ 25 V | 2.2 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CM600DU-24NFH | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 5 V | 600 A | 2 uA | Details | 1200 V | 1500 W | - 40 C | + 150 C | 20 V | Screw | 10 | CM600DU-24NFH | Dual | IGBT硅模块 | 29 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTLGL325A1208G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | LP8 | 1.85 V | 420 A | 1 | Bulk | APTLGL325 | 活跃 | 微芯片技术 | 150 °C | 有 | APTLGL325A1208G | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 2.29 | Details | 1.2 kV | 1.5 kW | - 40 C | + 85 C | 底座安装 | Bulk | - | EAR99 | IGBT | compliant | 2500Vrms | Dual | 1.2 kV | 420 A | 1.5 | 1500 W | 420 A | 420 | 1200 V | 2.2 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100H60TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 340 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 340 W | 全桥 | 340 | 340 W | Standard | 600 V | 150 A | 250 µA | 600 V | 6.1 nF | 1.9V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 有 | 6.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT600DA60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | NO | 5 | SP6 | 5 | SILICON | 2.3 kW | - 40 C | 1.4 V | 700 A | + 100 C | 20 V | 800 nA | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 微芯片技术 | 700 A | APTGT600 | 活跃 | 600 V | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 205 ns | 400 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APTGT600DA60G | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.24 | Details | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 175 °C | -40 °C | 雪崩 额定 | 2.3 kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 5 | R-XUFM-X5 | 不合格 | Single | Single | 2.3 | ISOLATED | 2300 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600 V | 700 A | 750 µA | 600 V | 49 nF | 1.8V @ 15V, 600A | 500 A | 700 | 沟渠现场停车 | 600 V | 无 | 49 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGTQ200DA65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | SP3F | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 微芯片技术 | 650 V | 483 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 200 A | APTGTQ200 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 483 W | Standard | 200 µA | 650 V | 2.2V @ 15V, 200A | - | 有 | 12 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ50DDA65T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3F | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 微芯片技术 | 650 V | 175 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 70 A | APTGLQ50 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 175 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100H170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SP6 | 2 V | 150 A | 500 nA | 微芯片技术 | Details | 1.7 kV | 560 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | 1.7 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 560 W | 全桥 | 560 | 560 W | Standard | 1.7 kV | 150 A | 350 µA | 1700 V | 9 nF | 2.4V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 无 | 9 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75A120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1-12 | SP1 | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 357 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 110 A | APTGT75 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Dual | 357 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 75A | 110 | 沟渠现场停车 | 有 | 5.34 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12W2T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 28 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 23 | SILICON | 39A | 7 | -40°C~150°C TJ | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 175W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 47 ns | 2.25V @ 15V, 25A | 520 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 28 | SILICON | 1.7V | 1.2kV | 6 | 150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | 270W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 28 | 不合格 | 三相逆变器 | 270W | ISOLATED | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 75A | 5mA | 1200V | 140 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 610 ns | NPT | 有 | 3.5nF @ 25V | 17mm | 107.5mm | 45mm | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R17KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 30 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 130A | 6 | -40°C~125°C | 2012 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 全桥 | ISOLATED | 465W | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 450 ns | 2.45V @ 15V, 75A | 1100 ns | 有 | 6.8nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1800R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 852 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 3600A | 2 | -40°C~175°C | 2002 | PrimePACK™3+ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-PUFM-X14 | 半桥 | ISOLATED | 1800000W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1700V | 530 ns | 2.2V @ 15V, 1800A | 1060 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 105nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP100R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2372 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 35 | SILICON | 100A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 515W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 210 ns | 2.1V @ 15V, 100A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 6.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2912 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 450A | 2 | -40°C~150°C | Bulk | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1600W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 240 ns | 2.1V @ 15V, 300A | 720 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FB30R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 32 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 19 | SILICON | 2V | 39A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 23 | R-XUFM-X23 | 不合格 | 三相逆变器 | 115W | ISOLATED | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 39A | 1mA | 42 ns | 2V @ 15V, 30A | 245 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.65nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 2 | 580A | -40°C~125°C TJ | 2002 | C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | 7 | R-XUFM-X7 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 2000W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1200V | 345 ns | 2.15V @ 15V, 400A | 760 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT30TL601G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1-12 | SP1 | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 微芯片技术 | 活跃 | Details | 600 V | 90 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 50 A | APTGT30 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 三级逆变器 | 90 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 30A | 50 | 沟渠现场停车 | 无 | 1.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75H60T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3-32 | SP3 | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 250 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 100 A | APTGT75 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | 250 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 75A | 100 | 沟渠现场停车 | 有 | 4.62 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100TA120TPG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6-P | SP6-P | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 140 A | APTGT100 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 3-Phase | 480 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 100A | 140 | 沟渠现场停车 | 有 | 7.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300DU170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SP6 | 2 V | 400 A | 600 nA | 微芯片技术 | Details | 1.7 kV | 1.66 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 400 A | APTGT300 | 活跃 | 1.7 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.66 kW | Dual | Dual | 1.66 | 1660 W | Standard | 1.7 kV | 400 A | 750 µA | 1700 V | 26.5 nF | 2.4V @ 15V, 300A | 400 | 沟渠现场停车 | 无 | 26.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300DA60D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | 5 | D3 | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 940 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 400 A | APTGT300 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | 175 °C | -40 °C | 940 W | Single | Single | 940 W | Standard | 600 V | 400 A | 500 µA | 600 V | 18.5 nF | 1.9V @ 15V, 300A | 400 | 沟渠现场停车 | 无 | 18.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 |
FZ400R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
924.723563
APTGT100DU170TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTCV50H60T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL475DA120D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM600DU-24NFH
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTLGL325A1208G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100H60TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT600DA60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGTQ200DA65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ50DDA65T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100H170G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75A120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP25R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
276.936951
FS50R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF1800R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
8,070.483977
FP100R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,176.849854
FF300R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
892.231120
FB30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
187.986974
FF400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT30TL601G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75H60T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100TA120TPG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300DU170G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300DA60D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
