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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料					Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C			Gate-Emitter Leakage Current					厂商																							操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电压-隔离度	配置	电压	元素配置	电流	功率耗散	箱体转运	功率 - 最大	晶体管应用	无卤素	极性/通道类型	输入	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	最大集极截止电流	电压 - 集射极击穿（最大值）	输入电容	最大耗散功率(Abs)	接通时间	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	集电极电流-最大值(IC)	连续集电极电流	关断时间-标准值（toff)	IGBT类型	集电极-发射器电压-最大值	栅极-发射极电压-最大值
FZ400R12KS4HOSA1	Infineon Technologies	数据表	2819 In Stock	1: ¥924.723563 10: ¥872.380722 100: ¥823.000680 500: ¥776.415738 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								510A	1			-40°C~125°C		2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	5	EAR99							UPPER	UNSPECIFIED				5	R-XUFM-X5			Single					ISOLATED	2500W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard			5mA	1200V			180 ns	3.7V @ 15V, 400A			590 ns			无		26nF @ 25V							ROHS3 Compliant	无铅
APTGT100DU170TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4	20	SP4	2 V	150 A	400 nA	微芯片技术					Details	1700 V	560 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	150 A	APTGT100	活跃	1.7 kV	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-									150 °C	-40 °C		560 W										双共源		Dual				560 W				Standard	1.7 kV	150 A	250 µA	1700 V	9 nF			2.4V @ 15V, 100A		150		沟渠现场停车		有		9 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTCV50H60T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3-32	SP3	1.5 V	80 A	600 nA	微芯片技术	螺钉安装	Bulk	80 A	APTCV50	活跃								Details	600 V	176 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	Case SP3	电源模块	-40 to 150 °C	Tube		-																		32				全桥						176 W				Standard			250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 50A				NPT, Trench Field Stop		有		3.15 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGL475DA120D3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 1 month ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	D3-11	NO	11	D3	5	SILICON	1.8 V	610 A	+ 125 C	20 V	400 nA	底座安装	1	1.2 kV	Bulk	微芯片技术	610 A	APTGL475	活跃	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	FLANGE MOUNT	UNSPECIFIED	270 ns	580 ns	未说明	175 °C	有	APTGL475DA120D3G	RECTANGULAR	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.72		Details	1.2 kV	2.08 kW	- 40 C	-40°C ~ 175°C (TJ)	Bulk		-						EAR99						2.08 kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant		11	R-XUFM-X5	不合格		Single		Single		2.08	ISOLATED	2080 W	电源控制		N-CHANNEL	Standard	2.2 V	610 A	5 mA	1200 V	24.6 nF	2080 W		2.2V @ 15V, 400A	610 A	610		沟渠现场停车	1200 V	无	20 V	24.6 nF @ 25 V	2.2 V	IGBT硅模块
CM600DU-24NFH	Mitsubishi Materials U.S.A	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5 V	600 A	2 uA								Details	1200 V	1500 W	- 40 C	+ 150 C	20 V	Screw	10	CM600DU-24NFH																														Dual																												IGBT硅模块				29 mm
APTLGL325A1208G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	LP8	1.85 V	420 A	1	Bulk	APTLGL325	活跃	微芯片技术	150 °C	有	APTLGL325A1208G	1	活跃	MICROSEMI CORP	2.29									Details	1.2 kV	1.5 kW	- 40 C	+ 85 C	底座安装			Bulk		-						EAR99	IGBT									compliant					2500Vrms	Dual	1.2 kV		420 A	1.5												1500 W			420 A	420			1200 V				2.2 V	IGBT硅模块
APTGT100H60TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4	20	SP4	1.5 V	150 A	400 nA	微芯片技术					Details	600 V	340 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	150 A	APTGT100	活跃	600 V	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-									175 °C	-40 °C		340 W										全桥				340		340 W				Standard	600 V	150 A	250 µA	600 V	6.1 nF			1.9V @ 15V, 100A		150		沟渠现场停车		有		6.1 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT600DA60G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	NO	5	SP6	5	SILICON	2.3 kW	- 40 C	1.4 V	700 A	+ 100 C	20 V	800 nA	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	微芯片技术	700 A	APTGT600	活跃	600 V	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	205 ns	400 ns	未说明	175 °C	有	APTGT600DA60G	RECTANGULAR	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.24		Details	600 V	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-	e1	有				EAR99		锡银铜	175 °C	-40 °C	雪崩额定	2.3 kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant		5	R-XUFM-X5	不合格		Single		Single		2.3	ISOLATED	2300 W	电源控制		N-CHANNEL	Standard	600 V	700 A	750 µA	600 V	49 nF			1.8V @ 15V, 600A	500 A	700		沟渠现场停车	600 V	无		49 nF @ 25 V	IGBT硅模块
APTGTQ200DA65T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3F	SP3F	1.65 V	200 A	480 nA	微芯片技术							650 V	483 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	200 A	APTGTQ200	活跃		-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																						Single						483 W				Standard			200 µA	650 V				2.2V @ 15V, 200A				-		有		12 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGLQ50DDA65T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3F	1.85 V	70 A	150 nA	微芯片技术									650 V	175 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	70 A	APTGLQ50	活跃	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																						Dual						175 W				Standard			50 µA	650 V				2.3V @ 15V, 50A				沟渠现场停车		有		3.1 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT100H170G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	12	SP6	2 V	150 A	500 nA	微芯片技术					Details	1.7 kV	560 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	150 A	APTGT100	活跃	1.7 kV	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-									150 °C	-40 °C		560 W										全桥				560		560 W				Standard	1.7 kV	150 A	350 µA	1700 V	9 nF			2.4V @ 15V, 100A		150		沟渠现场停车		无		9 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT75A120T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1-12	SP1	1.7 V	110 A	400 nA	微芯片技术	活跃								Details	1.2 kV	357 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	2.821917 oz	Bulk	110 A	APTGT75	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-																						Dual						357 W				Standard			250 µA	1200 V				2.1V @ 15V, 75A		110		沟渠现场停车		有		5.34 nF @ 25 V		IGBT硅模块
FP25R12W2T4B11BOMA1	Infineon Technologies	数据表	28 In Stock	1: ¥276.936951 10: ¥261.261277 100: ¥246.472902 500: ¥232.521605 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO	23	SILICON				39A	7						-40°C~150°C TJ		2002				活跃	1 (Unlimited)	23	EAR99							UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明					三相逆变器					ISOLATED	175W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard			1mA	1200V			47 ns	2.25V @ 15V, 25A			520 ns	沟渠现场停车		有		1.45nF @ 25V							ROHS3 Compliant	含铅
FS50R12KE3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	Screw	底座安装	Module	28	SILICON	1.7V	1.2kV	6								150°C TJ		2002			no	活跃	1 (Unlimited)	28	EAR99						270W	UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	28		不合格		三相逆变器				270W	ISOLATED			不含卤素	N-CHANNEL	Standard	1.2kV	75A	5mA	1200V			140 ns	2.15V @ 15V, 50A			610 ns	NPT		有		3.5nF @ 25V			17mm	107.5mm	45mm		ROHS3 Compliant	含铅
FS75R17KE3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	30 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								130A	6			-40°C~125°C		2012			no	活跃	1 (Unlimited)	35	EAR99							UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	35	R-XUFM-X35	不合格		全桥					ISOLATED	465W			N-CHANNEL	Standard			5mA	1700V			450 ns	2.45V @ 15V, 75A			1100 ns			有		6.8nF @ 25V							ROHS3 Compliant
FF1800R17IP5PBPSA1	Infineon Technologies	数据表	852 In Stock	1: ¥8,070.483977 10: ¥7,805.110228 25: ¥7,750.854245 50: ¥7,696.975423 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	52 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								3600A	2			-40°C~175°C		2002	PrimePACK™3+			活跃	1 (Unlimited)	14	EAR99							UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明		R-PUFM-X14			半桥					ISOLATED	1800000W	电源控制		N-CHANNEL	Standard			5mA	1700V			530 ns	2.2V @ 15V, 1800A			1060 ns	沟渠现场停车		有		105nF @ 25V							ROHS3 Compliant
FP100R12KT4B11BOSA1	Infineon Technologies	数据表	2372 In Stock	1: ¥1,176.849854 10: ¥1,110.235707 100: ¥1,047.392183 500: ¥988.105828 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	底座安装	Module	NO	35	SILICON				100A	7						-40°C~150°C		2002				活跃	不适用	35	EAR99							UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明					三相逆变器					ISOLATED	515W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard			1mA	1200V			210 ns	2.1V @ 15V, 100A			620 ns	沟渠现场停车		有		6.3nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
FF300R12ME4B11BPSA1	Infineon Technologies	数据表	2912 In Stock	1: ¥892.231120 10: ¥841.727475 100: ¥794.082521 500: ¥749.134454 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								450A	2			-40°C~150°C	Bulk	2002				活跃	1 (Unlimited)	11	EAR99					UL认证		UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明		R-XUFM-X11			2 Independent		Dual			ISOLATED	1600W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard			3mA	1200V			240 ns	2.1V @ 15V, 300A			720 ns	沟渠现场停车		有		18.5nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
FB30R06W1E3BOMA1	Infineon Technologies	数据表	32 In Stock	1: ¥187.986974 10: ¥177.346204 100: ¥167.307743 500: ¥157.837493 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	Screw	底座安装	Module	19	SILICON	2V	39A	6								-40°C~150°C		2002			no	活跃	不适用	23	EAR99							UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	23	R-XUFM-X23	不合格		三相逆变器				115W	ISOLATED			不含卤素	N-CHANNEL	Standard	600V	39A	1mA				42 ns	2V @ 15V, 30A			245 ns	沟渠现场停车		有		1.65nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
FF400R12KE3HOSA1	Infineon Technologies	数据表	3000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	2											580A	-40°C~125°C TJ		2002	C		yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99							UPPER					7	R-XUFM-X7			半桥		Dual			ISOLATED	2000W		不含卤素		Standard			5mA	1200V			345 ns	2.15V @ 15V, 400A			760 ns	沟渠现场停车		无		28nF @ 25V							ROHS3 Compliant	无铅
APTGT30TL601G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1-12	SP1	1.5 V	50 A	300 nA	微芯片技术	活跃								Details	600 V	90 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	2.821917 oz	Bulk	50 A	APTGT30	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																						三级逆变器						90 W				Standard			250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 30A		50		沟渠现场停车		无		1.6 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT75H60T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3-32	SP3	1.5 V	100 A	600 nA	微芯片技术							Details	600 V	250 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	Bulk	100 A	APTGT75	活跃		-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																						全桥						250 W				Standard			250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 75A		100		沟渠现场停车		有		4.62 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT100TA120TPG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6-P	SP6-P	1.7 V	140 A	400 nA	微芯片技术	活跃								Details	1.2 kV	480 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	140 A	APTGT100	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																						3-Phase						480 W				Standard			250 µA	1200 V				2.1V @ 15V, 100A		140		沟渠现场停车		有		7.2 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT300DU170G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	7	SP6	2 V	400 A	600 nA	微芯片技术					Details	1.7 kV	1.66 kW	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	400 A	APTGT300	活跃	1.7 kV	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-									150 °C	-40 °C		1.66 kW										Dual		Dual		1.66		1660 W				Standard	1.7 kV	400 A	750 µA	1700 V	26.5 nF			2.4V @ 15V, 300A		400		沟渠现场停车		无		26.5 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT300DA60D3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	D3-11	5	D3	1.5 V	400 A	400 nA	微芯片技术			Details	600 V	940 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	Bulk	400 A	APTGT300	活跃	600 V			-40°C ~ 175°C (TJ)	Bulk		-									175 °C	-40 °C		940 W										Single		Single				940 W				Standard	600 V	400 A	500 µA	600 V	18.5 nF			1.9V @ 15V, 300A		400		沟渠现场停车		无		18.5 nF @ 25 V		IGBT硅模块