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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料				Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C			Gate-Emitter Leakage Current					厂商																						操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	功率耗散	箱体转运	功率 - 最大	晶体管应用	无卤素	上升时间	极性/通道类型	输入	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	最大重复反向电压(Vrrm)	最大集极截止电流	电压 - 集射极击穿（最大值）	输入电容	最大耗散功率(Abs)	接通时间	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	集电极电流-最大值(IC)	连续集电极电流	关断时间-标准值（toff)	IGBT类型	集电极-发射器电压-最大值	NTC热敏电阻	栅极-发射极电压-最大值	输入电容(Cies)@Vce	VCEsat-最大值	宽度
APTGT150A120TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4	20	SP4	1.7 V	220 A	400 nA	微芯片技术	活跃	1.2 kV					Details	1.2 kV	690 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	220 A	APTGT150	-	Tube		-								150 °C	-40 °C		690 W									Dual	Dual	690		690 W					Standard	1.2 kV	220 A		250 µA	1200 V	10.7 nF			2.1V @ 15V, 150A		220		沟渠现场停车		有		10.7 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT400A120G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	NO	7	SP6	7	SILICON	Details	1.2 kV	1.785 kW	1.7 V	560 A	- 40 C	+ 100 C	600 nA	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	微芯片技术	Bulk	560 A	APTGT400	活跃	1.2 kV	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	340 ns	620 ns	未说明	150 °C	有	APTGT400A120G	RECTANGULAR	2	活跃	MICROSEMI CORP	5.21		-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-	e1	有				EAR99	锡银铜	150 °C	-40 °C	雪崩额定	1.785 kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant		7	R-XUFM-X7	不合格	Dual	Dual	1.785	ISOLATED	1785 W	电源控制			N-CHANNEL	Standard	1.2 kV	560 A		750 µA	1200 V	28 nF			2.1V @ 15V, 400A	500 A	560		沟渠现场停车	1200 V	无		28 nF @ 25 V		IGBT硅模块	无
F450R07W1H3B11ABOMA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	26 Weeks	NO	SILICON						4	-40°C									2006			yes	活跃	1 (Unlimited)	20	EAR99				UL 认证		UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明		R-XUFM-X20		COMPLEX			ISOLATED		电源控制	不含卤素		N-CHANNEL				650V					32 ns		55A		203 ns													ROHS3 Compliant	含铅
APTGT100DH60TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4	20	SP4	1.5 V	150 A	400 nA	微芯片技术	活跃	600 V					Details	600 V	340 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	150 A	APTGT100	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-								175 °C	-40 °C		340 W									Dual	Dual			340 W					Standard	600 V	150 A		250 µA	600 V	6.1 nF			1.9V @ 15V, 100A		150		沟渠现场停车		有		6.1 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT100A120TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 1 month ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4	20	SP4	1.7 V	140 A	400 nA	微芯片技术	活跃	1.2 kV					Details	1.2 kV	480 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	140 A	APTGT100	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-								150 °C	-40 °C		480 W									Dual	Dual	480		480 W					Standard	1.2 kV	140 A		250 µA	1200 V	7.2 nF			2.1V @ 15V, 100A		140		沟渠现场停车		有		7.2 nF @ 25 V		IGBT硅模块
FF300R17ME4BOSA1	Infineon Technologies	数据表	2955 In Stock	1: ¥1,062.541083 10: ¥1,002.397247 100: ¥945.657779 500: ¥892.129985 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO		375A		2									-40°C~150°C TJ		2002	C		no	活跃	1 (Unlimited)	11	EAR99						UPPER					11	R-XUFM-X11	不合格	半桥	Dual		ISOLATED	1800W		不含卤素			Standard				3mA	1700V			405 ns	2.3V @ 15V, 300A			1520 ns	NPT		有										ROHS3 Compliant	含铅
FS450R12OE4BOSA1	Infineon Technologies	数据表	17 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	Screw	底座安装	Module	29										-40°C~150°C TJ	Bulk	2002			no	活跃	1 (Unlimited)		EAR99								未说明		未说明				三相逆变器				2250W		不含卤素			Standard	1.2kV	660A		3mA	1200V				2.1V @ 15V, 450A				沟渠现场停车		有		28nF @ 25V								ROHS3 Compliant	含铅
FZ600R12KE3HOSA1	Infineon Technologies	数据表	2363 In Stock	1: ¥1,148.655984 10: ¥1,083.637719 100: ¥1,022.299739 500: ¥964.433709 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	Screw	底座安装	Module	4	SILICON	1.7V			1.2kV	1						-40°C~125°C TJ		2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	3	EAR99					2.8kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	5	R-XUFM-X3	不合格	Single		2.8kW	ISOLATED	2800W	电源控制		90ns	N-CHANNEL	Standard	1.2kV	900A		5mA	1200V			400 ns	2.15V @ 15V, 600A			830 ns	沟渠现场停车		有		42nF @ 25V			36.5mm	106.4mm	61.4mm		无SVHC	ROHS3 Compliant
FF450R17ME4PBOSA1	Infineon Technologies	数据表	2798 In Stock	1: ¥1,297.260231 10: ¥1,223.830404 100: ¥1,154.556986 500: ¥1,089.204701 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON										900A	2	-40°C~150°C		2002				活跃	1 (Unlimited)	11	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明		R-XUFM-X11		半桥			ISOLATED	20mW	电源控制			N-CHANNEL	Standard				3mA	1700V			380 ns	2.3V @ 15V, 450A			1600 ns	沟渠现场停车		有		36nF @ 25V								ROHS3 Compliant
BSM100GB60DLCHOSA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	NO	SILICON		130A		2									-40°C~125°C		2000			no	最后一次购买	1 (Unlimited)	7	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED		compliant		7	R-XUFM-X7		Single			ISOLATED	445W				N-CHANNEL	Standard				500μA	600V			37 ns	2.45V @ 15V, 100A			180 ns			无										符合RoHS标准
FF300R06KE3B2HOSA1	Infineon Technologies	数据表	2193 In Stock	1: ¥888.164575 10: ¥837.891106 100: ¥790.463305 500: ¥745.720099 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module												-40°C~150°C		2002				活跃	1 (Unlimited)		EAR99														2 Independent	Dual			940W		不含卤素			Standard	600V	400A		5mA					1.9V @ 15V, 300A				沟渠现场停车		无		19nF @ 25V								符合RoHS标准	无铅
FD300R06KE3HOSA1	Infineon Technologies	数据表	2305 In Stock	1: ¥694.251877 10: ¥654.954598 100: ¥617.881693 500: ¥582.907259 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	Panel	底座安装	Module	7	SILICON						400A	1				-40°C~150°C		2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99					940W	UPPER	UNSPECIFIED				7			Single			ISOLATED			不含卤素		N-CHANNEL	Standard	600V	400A		5mA				190 ns	1.9V @ 15V, 300A			600 ns	沟渠现场停车		无		19nF @ 25V			29mm	106.4mm	61.4mm			符合RoHS标准	无铅
APTGT75DA120TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		底座安装	SP4	NO		SP4	12	SILICON	Details	1.2 kV	357 W	1.7 V	110 A	- 40 C	+ 125 C	400 nA	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	微芯片技术	Bulk	110 A	APTGT75	活跃	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	335 ns	610 ns	未说明	150 °C	有	APTGT75DA120TG	RECTANGULAR	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.19			-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-	e1	有				EAR99	锡银铜			雪崩额定		UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant		12	R-XUFM-X12	不合格	Single		357	ISOLATED	357 W	电源控制			N-CHANNEL	Standard				250 µA	1200 V				2.1V @ 15V, 75A	110 A	110		沟渠现场停车	1200 V	有		5.34 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT300DA120G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	5	SP6	1.7 V	420 A	600 nA	微芯片技术	420 A	1.2 kV					Details	1.2 kV	1.38 kW	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	活跃	APTGT300	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-								150 °C	-40 °C		1.38 kW									Single	Single			1380 W					Standard	1.2 kV	420 A		500 µA	1200 V	21 nF			2.1V @ 15V, 300A		420		沟渠现场停车		无		21 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT75H120TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP4	SP4	1.7 V	110 A	400 nA	微芯片技术	110 A	APTGT75	活跃								Details	1.2 kV	357 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-																				全桥		357		357 W					Standard				250 µA	1200 V				2.1V @ 15V, 75A		110		沟渠现场停车		有		5.34 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGL120TDU120TPG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	NO	SP6-P	23	SILICON	3.880136 oz	1	底座安装	1.8 V	140 A	20 V	+ 100 C	600 nA	- 40 C	517 W	1.2 kV	Details	微芯片技术	Bulk	140 A	APTGL120	活跃	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	FLANGE MOUNT	UNSPECIFIED	185 ns	430 ns	175 °C	有	APTGL120TDU120TPG	RECTANGULAR	6	活跃	MICROSEMI CORP	5.71					-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-						EAR99						UPPER	UNSPECIFIED		compliant		23	R-XUFM-X23	不合格	三双共源			ISOLATED	517 W	电源控制			N-CHANNEL	Standard				250 µA	1200 V		517 W		2.15V @ 15V, 100A	140 A	140		沟渠现场停车	1200 V	有	20 V	6.2 nF @ 25 V	2.15 V	IGBT硅模块
APTGT75X60T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3-32	SP3	1.5 V	100 A	600 nA	微芯片技术	活跃								Details	1	底座安装	20 V	+ 100 C	- 40 C	250 W	600 V	Bulk	100 A	APTGT75	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																				3-Phase		250		250 W					Standard				250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 75A		100		沟渠现场停车		有		4.62 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGLQ50H65T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3F	SP3F	1.85 V	70 A	150 nA	微芯片技术	活跃								650 V	175 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	70 A	APTGLQ50	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																				Quad				175 W					Standard				50 µA	650 V				2.3V @ 15V, 50A				沟渠现场停车		有		3.1 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT300A60D3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	D3-11	11	D3	1.5 V	400 A	400 nA	微芯片技术					Details	600 V	940 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	Bulk	400 A	APTGT300	活跃	600 V	-40°C ~ 175°C (TJ)	Bulk		-								175 °C	-40 °C		940 W									Dual	Dual			940 W					Standard	600 V	400 A		500 µA	600 V	18.5 nF			1.9V @ 15V, 300A		400		沟渠现场停车		无		18.5 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT600DU60G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	NO	7	SP6	7	SILICON	Details	600 V	2.3 kW	1.4 V	700 A	- 40 C	+ 100 C	800 nA	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	微芯片技术	Bulk	700 A	APTGT600	活跃	600 V	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	205 ns	400 ns	未说明	175 °C	有	APTGT600DU60G	RECTANGULAR	2	活跃	MICROSEMI CORP	5.22		-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-	e1	有				EAR99	锡银铜	175 °C	-40 °C	雪崩额定	2.3 kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant		7	R-XUFM-X7	不合格	Dual	Dual	2.3	ISOLATED	2300 W	电源控制			N-CHANNEL	Standard	600 V	700 A		750 µA	600 V	49 nF			1.8V @ 15V, 600A	500 A	700		沟渠现场停车	600 V	无		49 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT300DH60G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	8	SP6	1.4 V	430 A	500 nA	微芯片技术	活跃	600 V					Details	600 V	1.15 kW	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	430 A	APTGT300	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-								175 °C	-40 °C		1.15 kW									Dual	Dual	1.15		1150 W					Standard	600 V	430 A		350 µA	600 V	24 nF			1.8V @ 15V, 300A		430		沟渠现场停车		无		24 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT50H60RT3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3-32	SP3	1.5 V	80 A	600 nA	微芯片技术	活跃								Details	600 V	176 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	Bulk	80 A	APTGT50	-	Tube		-																				全桥				176 W					单相桥式整流器				250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 50A		80		沟渠现场停车		有		3.15 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APTGT450DA60G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	5	SP6	1.4 V	550 A	600 nA	微芯片技术	活跃	600 V					Details	600 V	1.75 kW	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	550 A	APTGT450	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-								175 °C	-40 °C		1.75 kW									Single	Single	1.75		1750 W					Standard	600 V	550 A		500 µA	600 V	37 nF			1.8V @ 15V, 450A		550		沟渠现场停车		无		37 nF @ 25 V		IGBT硅模块				无
APTGT200DA120D3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	D3-11	5	D3	1.7 V	300 A	400 nA	微芯片技术					Details	1.2 kV	1.05 kW	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	Bulk	300 A	APTGT200	活跃	1.2 kV	-40°C ~ 150°C (TJ)	Bulk		-								150 °C	-40 °C		1.05 kW									Single	Single	1.05		1050 W					Standard	1.2 kV	300 A		6 mA	1200 V	14 nF			2.1V @ 15V, 200A		300		沟渠现场停车		无		14 nF @ 25 V		IGBT硅模块
FS25R12KT3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON										40A	6	-40°C~125°C		2002	EconoPACK™ 2		no	活跃	1 (Unlimited)	28	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED	未说明		未说明	28	R-XUFM-X28	不合格	全桥			ISOLATED	145W		不含卤素		N-CHANNEL	Standard				5mA	1200V			140 ns	2.15V @ 15V, 25A			610 ns	沟渠现场停车		有		1.8nF @ 25V								ROHS3 Compliant	含铅