类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGV50H120T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 3 | SILICON | 1.2kV | 4 | 150°C | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 270W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X25 | 不合格 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 270W | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 75A | 250μA | 1200V | 3.6nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 610 ns | NPT, Trench Field Stop | 有 | 20V | 3.6nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV100H60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 3 | SILICON | 600V | 4 | 150°C | 2007 | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 340W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X25 | 不合格 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 340W | N-CHANNEL | Standard | 1.9V | 150A | 250μA | 6.1nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 370 ns | NPT, Trench Field Stop | 有 | 20V | 6.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75TA60PG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 22 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 21 | SILICON | 600V | 6 | -40°C~175°C TJ | 2006 | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 21 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 250W | UPPER | UNSPECIFIED | 21 | 三相 | ISOLATED | 250W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 100A | 250μA | 4.62nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 75A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 4.62nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50H120TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 22 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SILICON | 1.2kV | 4 | -40°C~150°C TJ | 2006 | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 14 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 277W | UPPER | UNSPECIFIED | 14 | R-XUFM-X14 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 277W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 75A | 250μA | 1200V | 3.6nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.6nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75SK120T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | SP1 | 1 | SILICON | 1.2kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2007 | e1 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 12 | 锡银铜 | 357W | UPPER | THROUGH-HOLE | 未说明 | unknown | 未说明 | 12 | 不合格 | Single | ISOLATED | 357W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 110A | 250μA | 1200V | 5.34nF | 335 ns | 2.1V @ 15V, 75A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 5.34nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DSK60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 32 | SILICON | 600V | 2 | -40°C~175°C TJ | Bulk | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 25 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 176W | UPPER | UNSPECIFIED | 25 | R-XUFM-X25 | 双降压斩波器 | Dual | ISOLATED | 176W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 80A | 250μA | 3.15nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 50A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT20DDA60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | SP3 | 3 | SILICON | 600V | 2 | -40°C~175°C TJ | 2006 | e1 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 25 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 62W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 未说明 | 25 | R-XUFM-X25 | 不合格 | 双升压斩波器 | Dual | ISOLATED | 62W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.9V | 32A | 250μA | 1.1nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 20A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 1.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT20DSK60T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | SP3 | 3 | SILICON | 600V | 2 | -40°C~175°C TJ | 2006 | e1 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 25 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 62W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 未说明 | 25 | R-XUFM-X25 | 不合格 | 双降压斩波器 | Dual | ISOLATED | 62W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.9V | 32A | 250μA | 1.1nF | 170 ns | 1.9V @ 15V, 20A | 310 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 1.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75DA120T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | SP1 | 1 | SILICON | 1.2kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2007 | e1 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 12 | 锡银铜 | 357W | UPPER | THROUGH-HOLE | 未说明 | unknown | 未说明 | 12 | 不合格 | Single | ISOLATED | 357W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 110A | 250μA | 1200V | 5.34nF | 335 ns | 2.1V @ 15V, 75A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 5.34nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL325A120D3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D-3 Module | 7 | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 1.5kW | UPPER | UNSPECIFIED | 11 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1500W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 420A | 5mA | 1200V | 18.6nF | 270 ns | 2.2V @ 15V, 300A | 530 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 18.6nF @ 25V | 2.2 V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300A170D3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D-3 Module | 7 | SILICON | 1.7kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 2012 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 锡银铜 | 1.47kW | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1470W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 530A | 8mA | 1700V | 26nF | 430 ns | 2.4V @ 15V, 300A | 1200 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 26nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
FF1500R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 610 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | 1500A | -40°C~175°C | PrimePACK™3+ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 半桥 | 1500W | Standard | 5mA | 1700V | 2.2V @ 15V, 1.5kA | 沟渠现场停车 | 有 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DA120TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SILICON | 1.2kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 277W | UPPER | UNSPECIFIED | 12 | R-XUFM-X12 | Single | ISOLATED | 277W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 75A | 250μA | 1200V | 3.6nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.6nF @ 25V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||
APTGT75DH120T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 16 | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | 357W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X11 | 不合格 | 不对称桥 | Dual | ISOLATED | 357W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 110A | 250μA | 1200V | 5.34nF | 335 ns | 2.1V @ 15V, 75A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 5.34nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||
APTGT200SK60T3AG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 18 | SP3 | 600V | 290A | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 175°C | -40°C | 750W | Single | Single | 750W | Standard | 600V | 290A | 250μA | 600V | 12.3nF | 1.9V @ 15V, 200A | 沟渠现场停车 | 有 | 12.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL60H120T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 20 | 1.2kV | 1 | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 280W | 未说明 | 未说明 | 全桥 | 280W | Standard | 1.2kV | 80A | 250μA | 1200V | 2.77nF | 2.25V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 2.77nF @ 25V | 2.25 V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150A60T3AG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 20 | SILICON | 600V | 2 | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | 600W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X10 | 不合格 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 600W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 225A | 250μA | 9.2nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 150A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9.2nF @ 25V | 1.9 V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ40DDA120CT3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 22 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 通孔 | 通孔 | SP6 | 6 | SP6 | 1.2kV | 75A | -40°C~175°C TJ | 1997 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 175°C | -40°C | 250W | 双升压斩波器 | Dual | 250W | Standard | 2.4V | 75A | 100μA | 1200V | 2.3nF | 2.4V @ 15V, 40A | 沟渠现场停车 | 有 | 2.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK170TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SILICON | 1.7kV | 1 | -40°C~150°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 560W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 12 | R-XUFM-X12 | 不合格 | Single | ISOLATED | 560W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 150A | 250μA | 1700V | 9nF | 450 ns | 2.4V @ 15V, 100A | 1100 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9nF @ 25V | 2.4 V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FF800R12KE3 | Infineon Technologies AG | 数据表 | 100 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 10 | SILICON | 2 | 150°C | icon-pbfree no | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 10 | R-XUFM-X10 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | N-CHANNEL | 3900W | 880 ns | 1200A | 1140 ns | 1200V | 20V | 2.15 V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS100R12KE3 | Infineon Technologies AG | 数据表 | 168 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 35 | SILICON | 6 | 150°C | icon-pbfree no | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | ISOLATED | N-CHANNEL | 480W | 340 ns | 140A | 610 ns | 1200V | 20V | 2.15 V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ600R17KE3 | Infineon Technologies AG | 数据表 | 2459 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | 1 | 150°C | icon-pbfree yes | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 5 | R-XUFM-X3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 3120W | 400 ns | 840A | 1200 ns | 1700V | 20V | 2.45 V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS100R07N3E4 | Infineon | 数据表 | 5000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | Module | 35 | 6 | 1.95V | yes | 35 | EAR99 | 150°C | -40°C | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 335W | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | 650V | 100A | 100 ns | 370 ns | 20V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS100R12KT4 | Infineon | 数据表 | 5000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | Module | 27 | 6 | yes | 25 | EAR99 | 150°C | -40°C | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 25 | R-XUFM-X25 | 不合格 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | 不含卤素 | N-CHANNEL | 1.2kV | 100A | 515W | 185 ns | 490 ns | 20V | 2.1 V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF400R06KE3 | Infineon Technologies AG | 数据表 | 2195 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 7 | SILICON | 2 | 175°C | icon-pbfree yes | 1 (Unlimited) | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 1250W | 190 ns | 500A | 600 ns | 600V | 20V | 1.9 V | 符合RoHS标准 |
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL325A120D3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
6,206.339110
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL60H120T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100SK170TG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF800R12KE3
Infineon Technologies AG
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R12KE3
Infineon Technologies AG
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ600R17KE3
Infineon Technologies AG
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R07N3E4
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R12KT4
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF400R06KE3
Infineon Technologies AG
分类:Transistors - IGBTs - Modules
