类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 操作温度 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 模拟 IC - 其他类型 | 元素配置 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 控制模式 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 筛选水平 | 输入电容 | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2999 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 600A | -40°C~150°C | EconoDUAL™ 3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 半桥 | 20mW | Standard | 3mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 600A | 沟渠现场停车 | 有 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P2BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 763 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 底座安装 | Module | 450A | -40°C~150°C TJ | XHP™3 | 活跃 | 2 Independent | 1000000W | Standard | 5mA | 3300V | 2.75V @ 15V, 450A | 沟渠现场停车 | 无 | 84nF @ 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZ3600R12HP4PHPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 703 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | 4930A | -40°C~150°C | 活跃 | 1 (Unlimited) | 单开关 | 19000W | Standard | 5mA | 1200V | 2.05V @ 15V, 3.6kA | Trench | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT100GT120JR | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 1 | 1.2kV | -55°C~150°C TJ | 1999 | Thunderbolt IGBT® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED | 570W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 570W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 123A | 100μA | 1200V | 6.7nF | 150 ns | 3.7V @ 15V, 100A | 747 ns | NPT | 无 | 20V | 6.7nF @ 25V | 3.7 V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ50DDA65T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago) | 底座安装 | Module | 70A | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 双升压斩波器 | 175W | Standard | 50μA | 650V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ50VDA65T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | SP3F | 70A | -40°C~175°C TJ | 活跃 | 双升压斩波器 | 175W | Standard | 50μA | 650V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGTQ100A65T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 底座安装 | Module | 100A | -40°C~175°C TJ | 2013 | 活跃 | 半桥 | 250W | Standard | 100μA | 650V | 2.2V @ 15V, 100A | 有 | 6nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGLQ75H65T1G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 通孔 | 通孔 | SP1 | 1 | 650V | 1 | 197 ns | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 250W | 全桥 | 19 ns | 250W | Standard | 2.3V | 150A | 100μA | 4.62nF | 2.3V @ 15V, 75A | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 4.62nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FAM65HR51DS2 | ON Semiconductor | 数据表 | 9000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 通孔 | 33A | -55°C~150°C TJ | e3 | yes | 活跃 | 不适用 | Tin (Sn) | 半桥逆变器 | 电源支持电路 | 135W | Standard | 650V | 无 | 4.86nF @ 400V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ50TL65T3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago) | 底座安装 | Module | 70A | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 三级逆变器 | 175W | Standard | 50μA | 650V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FAM65CR51DZ2 | ON Semiconductor | 数据表 | 3 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 通孔 | 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads | NO | 33A | Automotive grade | -55°C~150°C TJ | yes | 活跃 | 不适用 | 12 | ZIG-ZAG | 1 | R-XZFM-T12 | 2 Independent | 开关稳压器 | 160W | VOLTAGE-MODE | Standard | 650V | AEC-Q101 | 无 | 4.86nF @ 400V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100H60TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SILICON | 4 | 600V | -40°C~175°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 340W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 14 | R-XUFM-X14 | 不合格 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 340W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 150A | 250μA | 6.1nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 6.1nF @ 25V | 1.9 V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTCV60HM45RT3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 3 | 1 | 600V | -40°C~175°C TJ | 1999 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 250W | 全桥逆变器 | 250W | 单相桥式整流器 | 1.9V | 50A | 250μA | 3.15nF | 1.9V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ200A120T3AG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | SP3F | 400A | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 2 Independent | 1250W | Standard | 100μA | 1200V | 2.4V @ 15V, 160A | 沟渠现场停车 | 有 | 9.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID150A120S3B1 | SemiQ | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 底座安装 | D-3 Module | D3 | 300A | -40°C~150°C | Amp+™ | 活跃 | 2 Independent | 940W | Standard | 1mA | 1200V | 2V @ 15V, 150A | 无 | 14nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ100A120TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | SP4 | 170A | -40°C~175°C TJ | 2011 | 活跃 | 半桥 | 520W | Standard | 50μA | 1200V | 2.42V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 6.15nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 50A | 6 | 150°C TJ | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 17 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 17 | R-XUFM-X17 | 三相逆变器 | ISOLATED | 280W | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 120 ns | 3.2V @ 15V, 35A | 450 ns | 无 | 2nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID100A120T2C1A | SemiQ | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 底座安装 | Module | Module | 200A | -40°C~150°C | Amp+™ | 活跃 | 三相逆变器 | 800W | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 100A | 有 | 13.7nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID100A120T2P2 | SemiQ | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 底座安装 | Module | Module | 200A | -40°C~150°C | Amp+™ | 活跃 | 三相逆变器 | 710W | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 100A | 有 | 13.7nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG2G300US60E | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 7PM-HA | NO | SILICON | 300A | 2 | -40°C~150°C TJ | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 7 | TIN | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-PUFM-X7 | COMMERCIAL | 半桥 | ISOLATED | 892W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 250μA | 600V | 470 ns | 2.7V @ 15V, 300A | 480 ns | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT200GN60JG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | ISOTOP | ISOTOP® | 600V | 283A | -55°C~175°C TJ | 2004 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 600V | 682W | 283A | Single | Single | 682W | Standard | 1.85V | 283A | 25μA | 600V | 14.1nF | 1.85V @ 15V, 200A | 沟渠现场停车 | 无 | 14.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG2G300US60 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 7PM-IA | NO | SILICON | 300A | 2 | -40°C~150°C TJ | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 7 | TIN | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-PUFM-X7 | COMMERCIAL | 半桥 | ISOLATED | 892W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 250μA | 600V | 470 ns | 2.7V @ 15V, 300A | 480 ns | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV25H120BG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 4 | SILICON | 1.2kV | 5 | 150°C | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 21 | EAR99 | 锡银铜 | 156W | UPPER | UNSPECIFIED | 21 | R-XUFM-X21 | Boost Chopper, Full Bridge | ISOLATED | 156W | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 40A | 250μA | 1200V | 1.8nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 25A | 610 ns | NPT, Trench Field Stop | 无 | 20V | 1.8nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV50H120BTPG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 6 | SILICON | 1.2kV | 5 | 150°C | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 21 | EAR99 | 锡银铜 | 270W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 21 | R-XUFM-X21 | 不合格 | Boost Chopper, Full Bridge | ISOLATED | 270W | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 75A | 250μA | 1200V | 3.6nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 610 ns | NPT, Trench Field Stop | 有 | 20V | 3.6nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25GF120JCU2 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis, Screw, Stud | Chassis, Stud Mount | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 1.2kV | 1 | 1997 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 227W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 45A | 250μA | 1200V | 1.65nF | 110 ns | 3.7V @ 15V, 25A | 386 ns | NPT | 无 | 20V | 1.65nF @ 25V | 3.7 V | 符合RoHS标准 |
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,523.592478
FF450R33T3E3B5P2BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
8,749.996826
FZ3600R12HP4PHPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
12,561.387813
APT100GT120JR
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ50VDA65T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FAM65HR51DS2
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FAM65CR51DZ2
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
210.496800
APTGT100H60TG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
GSID150A120S3B1
SemiQ
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
GSID100A120T2C1A
SemiQ
分类:Transistors - IGBTs - Modules
GSID100A120T2P2
SemiQ
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG2G300US60E
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT200GN60JG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG2G300US60
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT25GF120JCU2
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
