类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 操作温度 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT200GT60JR | Microsemi Corporation | 数据表 | 1260 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 600V | 1 | -55°C~150°C TJ | 1999 | Thunderbolt IGBT® | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED | 500W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 500W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 195A | 25μA | 8.65nF | 228 ns | 2.5V @ 15V, 200A | 1232 ns | NPT | 无 | 8.65nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100H60TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SILICON | 600V | 4 | -40°C~175°C TJ | 2006 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 340W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 14 | R-XUFM-X14 | 不合格 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 340W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 150A | 250μA | 6.1nF | 180 ns | 1.9V @ 15V, 100A | 370 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 6.1nF @ 25V | 1.9 V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||
![]() | APTCV60HM45RT3G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3 | 3 | 600V | 1 | -40°C~175°C TJ | 1999 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 250W | 全桥逆变器 | 250W | 单相桥式整流器 | 1.9V | 50A | 250μA | 3.15nF | 1.9V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ200A120T3AG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | SP3F | 400A | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 2 Independent | 1250W | Standard | 100μA | 1200V | 2.4V @ 15V, 160A | 沟渠现场停车 | 有 | 9.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID150A120S3B1 | SemiQ | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 底座安装 | D-3 Module | D3 | 300A | -40°C~150°C | Amp+™ | 活跃 | 2 Independent | 940W | Standard | 1mA | 1200V | 2V @ 15V, 150A | 无 | 14nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ100A120TG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | SP4 | 170A | -40°C~175°C TJ | 2011 | 活跃 | 半桥 | 520W | Standard | 50μA | 1200V | 2.42V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 6.15nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM35GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 50A | 6 | 150°C TJ | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 17 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 17 | R-XUFM-X17 | 三相逆变器 | ISOLATED | 280W | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 120 ns | 3.2V @ 15V, 35A | 450 ns | 无 | 2nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID100A120T2C1A | SemiQ | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 底座安装 | Module | Module | 200A | -40°C~150°C | Amp+™ | 活跃 | 三相逆变器 | 800W | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 100A | 有 | 13.7nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GSID100A120T2P2 | SemiQ | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 底座安装 | Module | Module | 200A | -40°C~150°C | Amp+™ | 活跃 | 三相逆变器 | 710W | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 100A | 有 | 13.7nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG2G300US60E | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 7PM-HA | NO | SILICON | 300A | 2 | -40°C~150°C TJ | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 7 | TIN | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-PUFM-X7 | COMMERCIAL | 半桥 | ISOLATED | 892W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 250μA | 600V | 470 ns | 2.7V @ 15V, 300A | 480 ns | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT200GN60JG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 底座安装 | ISOTOP | ISOTOP® | 600V | 283A | -55°C~175°C TJ | 2004 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 600V | 682W | 283A | Single | Single | 682W | Standard | 1.85V | 283A | 25μA | 600V | 14.1nF | 1.85V @ 15V, 200A | 沟渠现场停车 | 无 | 14.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG2G300US60 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 7PM-IA | NO | SILICON | 300A | 2 | -40°C~150°C TJ | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 7 | TIN | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-PUFM-X7 | COMMERCIAL | 半桥 | ISOLATED | 892W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 250μA | 600V | 470 ns | 2.7V @ 15V, 300A | 480 ns | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV25H120BG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 4 | SILICON | 1.2kV | 5 | 150°C | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 21 | EAR99 | 锡银铜 | 156W | UPPER | UNSPECIFIED | 21 | R-XUFM-X21 | Boost Chopper, Full Bridge | ISOLATED | 156W | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 40A | 250μA | 1200V | 1.8nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 25A | 610 ns | NPT, Trench Field Stop | 无 | 20V | 1.8nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGV50H120BTPG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 6 | SILICON | 1.2kV | 5 | 150°C | e1 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 21 | EAR99 | 锡银铜 | 270W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 21 | R-XUFM-X21 | 不合格 | Boost Chopper, Full Bridge | ISOLATED | 270W | N-CHANNEL | Standard | 2.1V | 75A | 250μA | 1200V | 3.6nF | 140 ns | 2.1V @ 15V, 50A | 610 ns | NPT, Trench Field Stop | 有 | 20V | 3.6nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||
FP50R07U1E4BPSA1 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | Module | 75A | -40°C~150°C | Obsolete | 3 (168 Hours) | 三相逆变器 | 230W | Standard | 1mA | 650V | 1.95V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG2G75US60 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | 7PM-GA | 7PM-GA | 75A | -40°C~150°C TJ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 半桥 | 310W | Standard | 250μA | 600V | 2.8V @ 15V, 75A | 无 | 7.056nF @ 30V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100TA120TPG | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | Module | 23 | SILICON | 1.2kV | 6 | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 23 | EAR99 | 480W | UPPER | UNSPECIFIED | 23 | 三相 | ISOLATED | 480W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 140A | 250μA | 1200V | 7.2nF | 340 ns | 2.1V @ 15V, 100A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 7.2nF @ 25V | 2.1 V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||
MIXG240W1200PT-PC | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 活跃 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS200R07N3E4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2473 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 200A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | R-XUFM-X35 | 三相逆变器 | ISOLATED | 600W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 650V | 210 ns | 1.95V @ 15V, 200A | 450 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 13nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL240TL120G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 6 | 1.2kV | 1 | -40°C~175°C TJ | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 1kW | 三级逆变器 | 1000W | Standard | 2.2V | 305A | 2mA | 1200V | 12.3nF | 2.2V @ 15V, 200A | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 12.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FF600R12ME4PB72BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2078 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 600A | -40°C~150°C TJ | EconoDUAL™ 3 | 活跃 | 2 Independent | 0.2W | Standard | 3mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 600A | 沟渠现场停车 | 有 | 37nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400A120G | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 2012 | e1 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | 1.785kW | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1785W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 560A | 750μA | 1200V | 28nF | 340 ns | 2.1V @ 15V, 400A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||
FS660R08A6P2FLBBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2382 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 39 Weeks | 底座安装 | Module | 450A | -40°C~150°C TJ | HybridPACK™ | 活跃 | 三相逆变器 | 1053W | Standard | 1mA | 750V | 1.35V @ 15V, 450A | 沟渠现场停车 | 有 | 80nF @ 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 200A | -40°C~150°C | EconoPACK™2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 三级逆变器 | 20mW | Standard | 1mA | 1200V | 2.15V @ 15V, 150A | 有 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2999 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 600A | -40°C~150°C | EconoDUAL™ 3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 半桥 | 20mW | Standard | 3mA | 1200V | 2.1V @ 15V, 600A | 沟渠现场停车 | 有 | ROHS3 Compliant |
APT200GT60JR
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100H60TG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
GSID150A120S3B1
SemiQ
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ100A120TG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
GSID100A120T2C1A
SemiQ
分类:Transistors - IGBTs - Modules
GSID100A120T2P2
SemiQ
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG2G300US60E
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT200GN60JG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG2G300US60
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP50R07U1E4BPSA1
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG2G75US60
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100TA120TPG
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
MIXG240W1200PT-PC
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS200R07N3E4RB11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
789.724242
APTGL240TL120G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R12ME4PB72BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,198.030944
APTGT400A120G
Microsemi Corporation
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS660R08A6P2FLBBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,610.163253
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,523.592478
