类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 越来越多的功能 | 引脚数 | 外壳材料 | 供应商器件包装 | 质量 | 插入材料 | 终端数量 | 后壳材料,电镀 | 晶体管元件材料 | 第一种连接器安装类型 | 表面贴装的焊盘尺寸 | 第二个连接器安装类型 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | 厂商 | Voltage Rating AC | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 温度系数 | 连接器类型 | 类型 | 电阻 | 定位的数量 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 颜色 | 应用 | 功率(瓦特) | 附加功能 | 电容量 | 紧固类型 | 子类别 | 额定电流 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 方向 | 终端形式 | 屏蔽/屏蔽 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 入口保护 | 样式 | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 频率稳定性 | 输出量 | 外壳完成 | 引脚数量 | 外壳尺寸-插入 | 触点表面处理 | 终端样式 | JESD-30代码 | 功能 | 基本谐振器 | 最大电流源 | 资历状况 | 执行器类型 | ESR(等效串联电阻) | 失败率 | 引线间距 | 面板开孔尺寸 | 电流 - 电源(禁用)(最大值) | 配置 | 极化 | 负载电容 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 外壳尺寸,MIL | 箱体转运 | 频率容差 | 扩频带宽 | 功率 - 最大 | 电缆开口 | 甲板数量 | 晶体管应用 | 操作力 | 极性/通道类型 | 输入 | 产品类别 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 工作温度范围 | 最大集极截止电流 | 触点定时 | 第一个连接器 | 第二个连接器 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 索引停止 | 每层电路 | 面板后深度 | 输入电容 | 每个甲板的杆数 | 最大耗散功率(Abs) | 投掷角度 | 绝对牵引范围 (APR) | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 特征 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 触点表面处理厚度 - 配套 | 执行器长度 | 材料可燃性等级 | 辐射硬化 | 无铅 | 评级结果 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FP7G50US60 | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | EPM7 | EPM7 | Fairchild Semiconductor | 63-18421 | Miscellaneous | Tube | 50 A | Obsolete | -40°C ~ 125°C (TJ) | Power-SPM™ | 半桥 | 250 W | Standard | 250 µA | 600 V | 2.8V @ 15V, 50A | - | 无 | 2.92 nF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400DA120D3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw | Panel Mount, Through Hole | Flange | 11 | Aluminum | - | - | Amphenol Aerospace Operations | Gold | Copper Alloy | 活跃 | TVP00DZ | Metal | Bulk | - | 1.2 kV | Compliant | -65°C ~ 175°C | MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD | Solder | Receptacle, Male Pins | 121 | 150 °C | -40 °C | Black | Military | Threaded | 2.1 kW | A | Unshielded | 抗环境干扰 | - | 黑锌镍 | 21-121 | Single | - | - | Standard | 1.2 kV | 580 A | 29 nF | 无 | - | 50.0µin (1.27µm) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150H170G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 12 | EDAC Inc. | Bulk | 活跃 | 1.7 kV | Compliant | * | 150 °C | -40 °C | 890 W | Standard | 1.7 kV | 250 A | 13.5 nF | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GT60JRD | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SOT-227-4 | 2 V | 93 A | 20 V | 378 W | + 150 C | 2 oz | - 55 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | 600 V | Tube | * | 活跃 | IGBTs | Si | Single | IGBT模块 | IGBT硅模块 | IGBT模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT40GP90JDQ2 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | ISOTOP® | 3.9 | 64 A | 微芯片技术 | 活跃 | 900 V | 900 V | Compliant | 284 W | + 150 C | - 55 C | SMD/SMT | 900 V | Tube | 64 A | APT40GP90 | -55°C ~ 150°C (TJ) | POWER MOS 7® | 150 °C | -55 °C | 284 W | 100 A | Single | Single | 284 | 284 W | Standard | 900 V | 64 A | 350 µA | 900 V | 3.3 nF | 3.9V @ 15V, 40A | 64 | PT | 无 | 3.3 nF @ 25 V | IGBT碳化硅模块 | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50H170TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 4 | SP4 | 2 V | 75 A | 微芯片技术 | Compliant | 312 W | + 100 C | - 40 C | 底座安装 | 1.7 kV | Bulk | 75 A | APTGT50 | 活跃 | 1.7 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | 312 W | 全桥逆变器 | 312 W | Standard | 2.4 V | 75 A | 250 µA | 1700 V | 4.4 nF | 2.4V @ 15V, 50A | 75 | 沟渠现场停车 | 有 | 4.4 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT80GP60JDQ3 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | ISOTOP® | 2.7 | 151 A | 微芯片技术 | Compliant | 462 W | + 150 C | - 55 C | SMD/SMT | 600 V | Tube | 151 A | APT80GP60 | 活跃 | 600 V | POWER MOS 7® | 150 °C | -55 °C | 151 A | Single | Single | 462 | 462 W | Standard | 600 V | 151 A | 1.25 mA | 600 V | 2.7V @ 15V, 80A | 151 | PT | 无 | 9.84 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF360U60D4G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 4 | SILICON | MODULE | Mencom | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 250 ns | 430 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APTGF360U60D4G | RECTANGULAR | 1 | Obsolete | MICROSEMI CORP | 5.73 | e1 | 有 | EAR99 | USB-A | 锡银铜 | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 4 | R-XUFM-X4 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 1560 W | 450 A | 600 V | 20 V | 2.45 V | 15 Feet | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMM7G30US60I | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 24 | SILICON | 24PM-AA, 24 PIN | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 190 ns | 350 ns | 150 °C | 有 | FMM7G30US60I | RECTANGULAR | Fairchild Semiconductor Corporation | 7 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 5.66 | 低导通损耗 | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | THROUGH-HOLE | compliant | 24 | R-XUFM-T24 | 不合格 | COMPLEX | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 104 W | 30 A | 600 V | 20 V | 2.7 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMM7G30US60N | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 24 | SILICON | PEI-Genesis | Bulk | 活跃 | 24PM-AA, 24 PIN | FLANGE MOUNT | 5.66 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | Obsolete | 7 | Fairchild Semiconductor Corporation | RECTANGULAR | FMM7G30US60N | 有 | 150 °C | 350 ns | 190 ns | UNSPECIFIED | * | 低导通损耗 | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | THROUGH-HOLE | compliant | 24 | R-XUFM-T24 | 不合格 | COMPLEX | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 104 W | 30 A | 600 V | 20 V | 2.7 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMM6G30US60 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | NO | 24 | SILICON | Suntsu Electronics, Inc. | Bulk | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-T24 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 190 ns | 350 ns | 有 | FMM6G30US60 | RECTANGULAR | Fairchild Semiconductor Corporation | 6 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 5.71 | 0°C ~ 70°C | SXT324 | 0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm) | 兆赫晶体 | 低导通损耗 | UPPER | THROUGH-HOLE | compliant | 30 MHz | ±50ppm | 24 | R-XUFM-T24 | 不合格 | 40 Ohms | COMPLEX | 17pF | Fundamental | ISOLATED | ±25ppm | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 30 A | 600 V | 0.031 (0.80mm) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMM7G20US60N | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1210 (3225 Metric) | NO | 1210 | 24 | SILICON | KOA Speer Electronics, Inc. | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 24PM-AA, 24 PIN | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 145 ns | 360 ns | 150 °C | 有 | FMM7G20US60N | RECTANGULAR | Fairchild Semiconductor Corporation | 7 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | 5.65 | -55°C ~ 155°C | SG73S-RT | 0.126 L x 0.102 W (3.20mm x 2.60mm) | ±0.5% | 2 | ±200ppm/°C | 562 kOhms | 厚膜 | 1W | 低导通损耗 | 绝缘栅BIP晶体管 | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | 24 | R-XUFM-X24 | 不合格 | - | COMPLEX | ISOLATED | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 89 W | 20 A | 600 V | 20 V | 2.7 V | Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding | 0.028 (0.70mm) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG1G300US60HE | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 0805 (2012 Metric) | 0805 | KOA Speer Electronics, Inc. | Tape & Reel (TR) | RS73F2ART | 活跃 | Non-Compliant | -55°C ~ 155°C | RS73-RT | 0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm) | ±1% | 2 | ±25ppm/°C | 63.4 kOhms | 150 °C | -40 °C | 厚膜 | 0.25W, 1/4W | - | Single | 600 V | Automotive AEC-Q200 | 0.023 (0.60mm) | AEC-Q200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG1G200US60H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 7 | SILICON | PEI-Genesis | Bulk | 活跃 | Non-Compliant | 7PM-HA, 7 PIN | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 330 ns | 410 ns | FMG1G200US60H | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.73 | * | 未说明 | 150 °C | -40 °C | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | 7 | R-XUFM-X7 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 600 V | 200 A | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT200GN60J | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP | 4 | ISOTOP® | 30.000004 g | 1.85 | 283 A | 微芯片技术 | Tube | 283 A | APT200 | 活跃 | 20 V | 682 W | + 175 C | 1.058219 oz | - 55 C | 1 | 底座安装 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | ISOTOP | Details | 600 V | 600 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -55 °C | IGBTs | 682 W | Si | Single | Single | 682 | 682 W | Standard | IGBT模块 | 600 V | 283 A | - 55 C to + 175 C | 25 µA | 600 V | 14.1 nF | 1.85V @ 15V, 200A | 283 | 沟渠现场停车 | 无 | 14.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | IGBT模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100A60T1G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP1 | 12 | SP1 | 微芯片技术 | 600 V | Compliant | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | 175 °C | -40 °C | 340 W | 半桥 | Dual | 340 W | Standard | 600 V | 150 A | 250 µA | 600 V | 6.1 nF | 1.9V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 有 | 6.1 nF @ 25 V | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GT120JRDQ4 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP | ISOTOP® | Free Hanging (In-Line) | Free Hanging (In-Line) | 3.7 | 123 A | Huber+Suhner, Inc. | Male | Bulk | 50 Ohms | - | 活跃 | Male | 24 GHz | - | 0.086 Semi-Rigid Cable | 123 A | APT100 | 570 W | + 150 C | - 55 C | SMD/SMT | 1.2 kV | -55°C ~ 125°C | MINIBEND | Blue | - | SMA转SMA | Single | 570 | 570 W | Standard | 200 µA | SMA插头 | SMA插头 | 1200 V | 3.7V @ 15V, 100A | 123 | NPT | 无 | 7.85 nF @ 25 V | IGBT碳化硅模块 | - | 9.000 (228.60mm) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FMG2G75US60 | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | 7PM-GA | EPSON | Tape & Reel (TR) | SG-8101 | 活跃 | 75 A | -40°C ~ 85°C | SG-8101 | 0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm) | XO (Standard) | 1.8V ~ 3.3V | 161.132813 MHz | ±15ppm | CMOS | Enable/Disable | Crystal | 6.8mA (Typ) | 3.5mA | 半桥 | - | 310 W | Standard | 250 µA | 600 V | - | 2.8V @ 15V, 75A | - | 无 | 7.056 nF @ 30 V | 0.051 (1.30mm) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT47GA60JD40 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 面板安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | ISOTOP® | 87 A | 微芯片技术 | 28V | 银合金 | Tube | 87 A | APT47GA60 | 活跃 | 30 V | 283 W | + 150 C | - 55 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | Details | 600 V | 600 V | 115V | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | 44 | 活跃 | 2 | 150 °C | -55 °C | IGBTs | 283 W | Si | 1A (AC/DC) | -- | 焊片 | Flatted (6.35mm Dia) | -- | Single | Single | 283 W | 3 | 5.761 ~ 83gfm | Standard | IGBT模块 | 600 V | 87 A | 275 µA | Non-Shorting (BBM) | 600 V | 固定式 | DPDT | 43.61mm | 6.32 nF | 2 | 30° | 2.5V @ 15V, 47A | PT | 无 | 6.32 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | -- | IGBT模块 | 11.10mm | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT750U60D4G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | Axial, Can | D4 | -- | 1.5 | 1 kA | 微芯片技术 | -- | 500 Hrs @ 85°C | 100V | Bulk | 1000 A | APTGT750 | 活跃 | 2.3 kW | + 125 C | - 40 C | 底座安装 | 600 V | -20°C ~ 85°C | Bulk | 39D | 0.760 Dia x 2.642 L (19.30mm x 67.10mm) | -10%, +50% | 活跃 | -- | 通用型 | 250µF | -- | -- | Single | Polar | 2.3 | 2300 W | Standard | 1 mA | 600 V | 1.9V @ 15V, 800A | 1 | 沟渠现场停车 | 无 | 49 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | -- | -- | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM600HU-24H | Mitsubishi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Non-Compliant | 2 % | 2 | 150 ppm/°C | 1.3 kΩ | 155 °C | -55 °C | 厚膜 | 5 W | 1.2 kV | Moisture Resistant | 635 µm | 1.397 mm | 1.27 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6MS24017E33W31361NOSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Infineon Technologies | Tray | Obsolete | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT20TL601G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | SP1 | 1.5 V | 32 A | 微芯片技术 | 活跃 | 600 V | 底座安装 | - 40 C | + 100 C | 62 W | Bulk | 32 A | APTGT20 | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | 三级逆变器 | 62 W | Standard | 250 µA | 600 V | 1.9V @ 15V, 20A | 32 | 沟渠现场停车 | 无 | 1.1 pF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT600U120D4G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | D4 | NO | D4 | 4 | SILICON | 1.7 | 900 A | UNSPECIFIED | 400 ns | 830 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APTGT600U120D4G | RECTANGULAR | Microsemi Corporation | 微芯片技术 | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.56 | MODULE | Bulk | 900 A | APTGT600 | 活跃 | 2.5 kW | + 125 C | - 40 C | 底座安装 | 1.2 kV | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | FLANGE MOUNT | 1 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 4 | R-XUFM-X4 | 不合格 | Single | 2.5 | ISOLATED | 2500 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 5 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 600A | 880 A | 900 | 沟渠现场停车 | 1200 V | 无 | 40 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75DH120T3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 1.7 V | 110 A | 微芯片技术 | 活跃 | 357 W | + 100 C | - 40 C | 底座安装 | 1.2 kV | Bulk | 110 A | APTGT75 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | 不对称桥 | 357 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 75A | 110 | 沟渠现场停车 | 有 | 5.34 nF @ 25 V | IGBT硅模块 |
FP7G50US60
Fairchild
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT400DA120D3G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT150H170G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT60GT60JRD
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT40GP90JDQ2
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50H170TG
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT80GP60JDQ3
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGF360U60D4G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMM7G30US60I
Toshiba
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMM7G30US60N
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMM6G30US60
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMM7G20US60N
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG1G300US60HE
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG1G200US60H
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT200GN60J
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT100A60T1G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT100GT120JRDQ4
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FMG2G75US60
Fairchild
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT47GA60JD40
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT750U60D4G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
CM600HU-24H
Mitsubishi
分类:Transistors - IGBTs - Modules
6MS24017E33W31361NOSA1
Infineon
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT20TL601G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT600U120D4G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT75DH120T3G
Microchip
分类:Transistors - IGBTs - Modules
