类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

子类别

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

输入

产品类别

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

信道型

最大耗散功率(Abs)

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

产品类别

高度(毫米)

PS22A76
PS22A76
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.9 V

25 A

-

Details

1200 V

113.6 W

- 20 C

+ 100 C

Screw

10

6-Pack

IGBT硅模块

PS22A74
PS22A74
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.9 V

15 A

-

PS22A74

Details

1200 V

86.9 W

- 20 C

+ 100 C

Screw

10

6-Pack

IGBT硅模块

CM300DY-24A
CM300DY-24A
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.1 V

300 A

0.5 uA

20 V

Screw

10

CM300DY-24A

Details

1200 V

1890 W

- 40 C

+ 150 C

Dual

IGBT硅模块

30 mm

PM100CG1A065
PM100CG1A065
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.25 V

100 A

-

PM100CG1A065

Details

650 V

357 W

- 20 C

+ 125 C

Screw

10

6-Pack

IGBT硅模块

PM75RG1B120
PM75RG1B120
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.3 V

75 A

-

PM75RG1B120

Details

1200 V

480 W

- 20 C

+ 125 C

Screw

10

7-Pack

IGBT硅模块

CM400HA-24A
CM400HA-24A
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.1 V

400 A

1 uA

20 V

Screw

10

CM400HA-24A

Details

1200 V

2350 W

- 40 C

+ 150 C

Single

Single

IGBT硅模块

25 mm

PSS15MC1FT
PSS15MC1FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.5 V

15 A

-

Details

1200 V

-

- 30 C

+ 110 C

螺钉安装

10

3-Phase Inverter

IGBT硅模块

PSS50S71F6
PSS50S71F6
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.5 V

50 A

-

Details

600 V

100 W

- 20 C

+ 100 C

螺钉安装

10

6-Pack

IGBT硅模块

PSS05S92F6-AG
PSS05S92F6-AG
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.6 V

5 A

-

Details

600 V

20 W

- 30 C

+ 100 C

螺钉安装

10

6-Pack

IGBT硅模块

PS21A79
PS21A79
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

178 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.55 V

50 A

-

PS21A79

Details

600 V

142 W

- 20 C

+ 100 C

螺钉安装

10

6-Pack

IGBT硅模块

PSS10SA2FT
PSS10SA2FT
Mitsubishi Materials U.S.A 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.7 V

10 A

-

Details

1200 V

66.2 W

- 30 C

+ 100 C

螺钉安装

10

6-Pack

IGBT硅模块

NXH160T120L2Q2F2S1G
NXH160T120L2Q2F2S1G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

56-PIM/Q2PACK (93x47)

onsemi

3.3 V

±20 V

2.7@160A V

Case 180AK

132 A

1200 V

181 A

3000 Vrms

500 uA

螺钉安装

onsemi

onsemi

Details

Tray

181 A

活跃

-40 to 150 °C

Tray

-

IGBTs

56

三级逆变器

500 W

Standard

IGBT模块

500 µA

1200 V

N

2.7V @ 15V, 160A

-

有

38.8 nF @ 25 V

IGBT模块

5405500
5405500
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5400500
5400500
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5401200
5401200
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5407000
5407000
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5406000
5406000
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5406800
5406800
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5405900
5405900
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

APT200GN60JG
APT200GN60JG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

APTGT300A60TG
APTGT300A60TG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP4

NO

SP4

9

SILICON

1.5

430 A

370 ns

未说明

175 °C

微芯片技术

有

APTGT300A60TG

RECTANGULAR

Microsemi Corporation

2

活跃

MICROSEMI CORP

2.19

Bulk

430 A

APTGT300

活跃

935 W

+ 100 C

- 40 C

底座安装

600 V

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

180 ns

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

10

R-XUFM-X9

不合格

半桥

935

ISOLATED

935 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

350 µA

600 V

1.9V @ 15V, 300A

430 A

430

沟渠现场停车

600 V

有

18.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APT75GN120JDQ3G
APT75GN120JDQ3G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Miscellaneous

APTGLQ400A120T6G
APTGLQ400A120T6G
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

SP6

SP6

2.05

625 A

微芯片技术

C22S-DLH-R-X0-K01-24

Cutler Hammer, Div of Eaton Co

Bulk

700 A

APTGLQ400

活跃

175 °C

有

1

活跃

MICROSEMI CORP

5.72

1.9 kW

+ 100 C

- 40 C

底座安装

1.2 kV

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

EAR99

绝缘栅BIP晶体管

compliant

半桥

1.9

1900 W

Standard

200 µA

1200 V

1900 W

2.4V @ 15V, 400A

625 A

625

沟渠现场停车

1200 V

有

20 V

24.6 nF @ 25 V

2.4 V

IGBT硅模块

APTGF300U120DG
APTGF300U120DG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

微芯片技术

Obsolete

IRKL71/12P

Vishay

Bulk

400 A

-

-

Single

1780 W

Standard

500 µA

1200 V

3.9V @ 15V, 300A

NPT

无

21 nF @ 25 V

APTGF200U120DG
APTGF200U120DG
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Chassis Mount, Screw

NO

5

5

SILICON

Obsolete

MICROSEMI CORP

5.72

MODULE

Honeywell-Microswitch

1.2 kV

Compliant

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

100 ns

400 ns

未说明

150 °C

有

APTGF200U120DG

RECTANGULAR

1

e1

有

EAR99

锡银铜

150 °C

-40 °C

绝缘栅BIP晶体管

1.136 kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

5

R-XUFM-X5

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Single

ISOLATED

通用开关

N-CHANNEL

Standard

1.2 kV

275 A

13.8 nF

1130 W

275 A

1200 V

无

20 V

3.7 V