类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

供应商器件包装

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

厂商

操作温度

包装

系列

类型

子类别

技术

配置

功率耗散

输出电流

功率 - 最大

上升时间

输入

产品类别

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

连续集电极电流

IGBT类型

NTC热敏电阻

输入电容(Cies)@Vce

产品

Vf-正向电压

产品类别

FP200R12N3T7B80BPSA1
FP200R12N3T7B80BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO3B

1.55 V

200 A

Infineon Technologies

200 A

20 V

20 mW

+ 175 C

- 40 C

10

PCB 安装

FP200R12N3T7_B80 SP005342688

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

Tape & Reel (TR)

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

Si

三相逆变器

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

5 μA

1200 V

1.55V @ 15V, 200A

沟渠现场停车

有

40.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FP25R12N2T7B16BPSA1
FP25R12N2T7B16BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-EASY2B

Infineon Technologies

FP25R12N2T7_B16 SP005354141

Infineon

Infineon Technologies

Details

Tape & Reel (TR)

活跃

15

-

Tray

IGBTs

-

Standard

IGBT模块

-

沟渠现场停车

无

IGBT模块

P2000DE45X168HPSA1
P2000DE45X168HPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Infineon Technologies

Infineon

Infineon Technologies

Details

Tape & Reel (TR)

活跃

1

P2000DE45X168 SP005729514

Tray

-

IGBTs

IGBT模块

IGBT模块

FP35R12N2T7B16BPSA1
FP35R12N2T7B16BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

Infineon Technologies

Tape & Reel (TR)

活跃

35 A

15

FP35R12N2T7_B16 SP005354148

Infineon

Infineon Technologies

Details

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

7 μA

1200 V

1.6V @ 15V, 35A

沟渠现场停车

有

6.62 nF @ 25 V

IGBT模块

NXH80T120L3Q0S3G
NXH80T120L3Q0S3G
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

1.7V

onsemi

24

onsemi

onsemi

Details

Tray

活跃

75 A

±20V

Q0PACK - Case 180AB (Pb-Free and Halide-Free)

1200 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

半桥

188W

188 W

Standard

IGBT模块

300 μA

1200 V

2.4V @ 15V, 80A

75A

沟渠现场停车

有

18.15 nF @ 20 V

IGBT模块

NXH300B100H4Q2F2S1G
NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

53-PIM/Q2PACK (93x47)

onsemi

Tray

活跃

73 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

Dual, Common Source

194 W

Standard

800 μA

1118 V

2.25V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

有

6.323 nF @ 20 V

NXH40T120L3Q1PTG
NXH40T120L3Q1PTG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

44-PIM (71x37.4)

onsemi

21

onsemi

onsemi

Details

Tray

活跃

42 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

三相逆变器

146 W

Standard

IGBT模块

400 μA

1200 V

2.2V @ 15V, 40A

-

有

7.753 nF @ 20 V

IGBT模块

VS-ENV020F65U
VS-ENV020F65U
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EMIPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Box

活跃

650 V

68 W

N-Channel

+ 175 C

100

压装

Vishay

Vishay Semiconductors

Details

Bulk

*

PressFit Power Module

Discrete Semiconductor Modules

1-Phase Bridge

Discrete Semiconductor Modules

Diode Power Modules

1.7 V

Discrete Semiconductor Modules

FS300R12N3E7BPSA1
FS300R12N3E7BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EconoPACK 3

1.5 V

Infineon Technologies

活跃

10

FS300R12N3E7 SP005558999

Infineon

Infineon Technologies

20 mW

+ 175 C

- 40 C

底座安装

1.2 kV

Tape & Reel (TR)

Tray

-

IGBTs

6-Pack

IGBT模块

IGBT硅模块

IGBT模块

FP75R07N2E4B16BPSA1
FP75R07N2E4B16BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO2B

1.75 V

95 A

Infineon Technologies

+ 150 C

- 40 C

15

底座安装

FP75R07N2E4_B16 SP005612711

Infineon

Infineon Technologies

650 V

Tape & Reel (TR)

活跃

95 A

20 mW

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tray

IGBTs

三相逆变器

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

1 mA

650 V

1.95V @ 15V, 75A

沟渠现场停车

有

4.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

NXH75M65L4Q1PTG
NXH75M65L4Q1PTG
onsemi 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

53-PIM/Q2PACK (93x47)

onsemi

onsemi

onsemi

Tray

活跃

59 A

21

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

半桥

86 W

Standard

300 μA

650 V

2.22V @ 15V, 75A

沟渠现场停车

有

5.665 nF @ 30 V

onsemi

VS-ENM040M60P
VS-ENM040M60P
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EMIPAK

2.7 V

45 mA

96 W

N-Channel

+ 150 C

- 30 V, + 30 V

100

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

压装

Vishay

Vishay Semiconductors

48 mOhms

Details

162 ns

42 A

Box

活跃

800 V

600 V

39 ns

Bulk

*

PressFit Power Module

Discrete Semiconductor Modules

1-Phase Bridge

44 A

29 ns

Discrete Semiconductor Modules

Diode Power Modules

1.72 V

Discrete Semiconductor Modules

FP75R12N3T7B81BPSA1
FP75R12N3T7B81BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

1.55 V

75 A

Infineon Technologies

-

+ 175 C

- 40 C

10

FP75R12N3T7_B81 SP005632512

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

Tray

活跃

Tray

*

IGBTs

3-Phase Inverter

IGBT模块

IGBT硅模块

IGBT模块

VS-ENW30S120T
VS-ENW30S120T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EMIPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1200 V

N-Channel

+ 175 C

100

压装

Vishay

Vishay Semiconductors

Details

活跃

Box

Bulk

*

Mosfet & Diode Power Modules

Discrete Semiconductor Modules

SiC

1-Phase Bridge

67 A

Discrete Semiconductor Modules

Diode Power Modules

1.35 V

Discrete Semiconductor Modules

MSCGLQ50DH120CTBL2NG
MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

2.4 V

110 A

微芯片技术

110 A

MSCGLQ

20 V

375 W

+ 175 C

- 55 C

1

Screw

Microchip

Microchip Technology / Atmel

1200 V

Bulk

活跃

-55°C ~ 175°C (TJ)

-

IGBTs

Si

不对称桥

375 W

Standard

IGBT模块

25 μA

1200 V

2.4V @ 15V, 50A

-

有

2.77 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

MSCGLQ50H120CTBL2NG
MSCGLQ50H120CTBL2NG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

-

2.4 V

110 A

微芯片技术

活跃

Bulk

20 V

375 W

+ 175 C

- 55 C

1

Screw

Microchip

Microchip Technology / Atmel

1200 V

MSCGLQ

110 A

-55°C ~ 175°C (TJ)

-

IGBTs

Si

全桥

375 W

Standard

IGBT模块

25 μA

1200 V

2.4V @ 15V, 50A

-

有

2.77 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

VS-GT55NA120UX
VS-GT55NA120UX
Vishay General Semiconductor - Diodes Division 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

SOT-227

2.39 V

68 A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

68 A

- 20 V, + 20 V

291 W

+ 150 C

- 40 C

160

螺钉安装

Vishay

Vishay Semiconductors

Details

1.2 kV

Tube

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

Si

单斩波器

291 W

Standard

IGBT晶体管

50 μA

1200 V

2.8V @ 15V, 50A

沟渠现场停车

无

IGBT晶体管

FP150R12N3T7B11BPSA1
FP150R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONO3

1.55V

150 A

Infineon Technologies

Tray

活跃

150 A

20V

1200 V

-

+ 175 C

- 40 C

10

PCB 安装

FP150R12N3T7_B11 SP005404168

Infineon

Infineon Technologies

1200 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

Si

三相逆变器

-

20 mW

三相桥式整流器

IGBT模块

12 μA

1200 V

1.8V @ 15V, 150A

150A

沟渠现场停车

有

30.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

P3000ZL45X168HPSA1
P3000ZL45X168HPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

TO-200AF

BG-P16826K-1

2.25V

3000 A

Infineon Technologies

Tray

活跃

3000 A

P3000Z

20 V

+ 150 C

- 40 C

1

电缆安装

P3000ZL45X168 SP005717389

Infineon

Infineon Technologies

Details

4500 V

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tray

-

IGBTs

Single

-

Standard

IGBT模块

200 μA

4500 V

2.5V @ 15V, 3000A

3kA

Trench

无

620 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

FMM7G30US60I
FMM7G30US60I
Fairchild Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

Module

-

Fairchild Semiconductor

Bulk

Obsolete

30 A

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

带制动器的三相逆变器

104 W

三相桥式整流器

250 μA

600 V

2.7V @ 15V, 30A

-

有

2.1 nF @ 30 V

IXYN140N120A4
IXYN140N120A4
IXYS 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

SOT-227B

1.7 V

380 A

IXYS

Details

1.2 kV

Tube

活跃

380 A

IXYN140

- 20 V, + 20 V

1.07 kW

+ 175 C

- 55 C

10

螺钉安装

IXYS

IXYS

380 A

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

IGBTs

Si

Single

1070 W

Standard

IGBT晶体管

25 μA

1200 V

1.7V @ 15V, 140A

PT

无

8.3 nF @ 25 V

IGBT晶体管

MSCGL40X120T3AG
MSCGL40X120T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

SP3F

微芯片技术

Microchip

Microchip Technology / Atmel

Details

Tube

活跃

40 A

MSCGL40

1200 V

1

-

Tube

MSC

三相

Discrete Semiconductor Modules

Si

全桥

Standard

Discrete Semiconductor Modules

40 A

1200 V

-

Trench

有

Diode Power Modules

Discrete Semiconductor Modules

MSCGTQ100HD65C1AG
MSCGTQ100HD65C1AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

SP1

微芯片技术

80 A

MSCGTQ100

650 V

+ 200 C

- 60 C

1

螺钉安装

Microchip

Microchip Technology / Atmel

Details

Tube

活跃

-

Tube

MSC

Trench

Discrete Semiconductor Modules

Si

半桥

Standard

Discrete Semiconductor Modules

80 A

650 V

-

Trench

无

功率MOSFET模块

Discrete Semiconductor Modules

FD800R17KE3B2NOSA1-IR
FD800R17KE3B2NOSA1-IR
International Rectifier 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

International Rectifier

Bulk

活跃

*

FF900R12ME7B11NPSA1
FF900R12ME7B11NPSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

AG-ECONOD-3

1.5

900 A

Infineon Technologies

活跃

Tray

-

+ 175 C

- 40 C

10

FF900R12ME7_B11 SP005422550

Infineon

Infineon Technologies

N

1200 V

FF900R12

900 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tray

IGBTs

2 Independent

-

20 mW

Standard

IGBT模块

100 μA

1200 V

1.8V @ 15V, 900A

900

沟渠现场停车

有

122 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块