N/A

-

Littelfuse Inc.

Bulk

Obsolete

-

N/A

-

N/A

-

N/A

-

N/A

-

Littelfuse Inc.

Bulk

Obsolete

-

N/A

-

N/A

-

N/A

-

N/A

-

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

4

SP4

1.7 V

75 A

微芯片技术

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

1.2 kV

Compliant

277 W

+ 100 C

- 40 C

底座安装

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

277 W

Single

Single

277 W

Standard

2.1 V

75 A

250 µA

1200 V

3.6 nF

2.1V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

N/A

-

底座安装

SP3

NO

SP3

25

SILICON

1.7

55 A

Details

1200 V

微芯片技术

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

140 ns

610 ns

未说明

150 °C

有

APTGT35X120T3G

RECTANGULAR

6

活跃

MICROSEMI CORP

5.68

Bulk

55 A

APTGT35

活跃

20 V

208 W

+ 100 C

- 40 C

1

底座安装

Microchip

Microchip Technology / Atmel

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

IGBTs

Si

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

25

R-XUFM-X25

不合格

三相逆变器

208

ISOLATED

208 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

IGBT模块

250 µA

1200 V

208 W

2.1V @ 15V, 35A

55 A

55

沟渠现场停车

1200 V

有

20 V

2.5 nF @ 25 V

2.1 V

IGBT硅模块

IGBT模块

N/A

-

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

ISOTOP

NO

4

SOT-227

30.000004 g

4

SILICON

2.1

140 A

底座安装

Microchip

微芯片技术

Microchip Technology / Atmel

ISOTOP

1200 V

ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

335 ns

ISOTOP

610 ns

未说明

150 °C

有

APT100GT120JU2

RECTANGULAR

1

活跃

MICROSEMI CORP

1.57

ISOTOP

1.2 kV

Compliant

Bulk

140 A

APT100

活跃

20 V

480 W

+ 150 C

1.058219 oz

- 55 C

1

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

有

EAR99

150 °C

-55 °C

AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS

IGBTs

480 W

Si

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

unknown

4

R-XUFM-X4

不合格

Single

Single

480

ISOLATED

480 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

IGBT模块

1.2 kV

140 A

- 55 C to + 150 C

5 mA

1200 V

7.2 nF

480 W

2.1V @ 15V, 100A

140 A

140

沟渠现场停车

1200 V

无

20 V

7.2 nF @ 25 V

2.1 V

IGBT硅模块

IGBT模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

无铅

N/A

-

底座安装

SP1

SP1

微芯片技术

Bulk

100 A

APTGT75

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

半桥

250 W

Standard

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 75A

100

沟渠现场停车

有

4.62 nF @ 25 V

N/A

-

底座安装

Module

SP3F

1.85 V

135 A

微芯片技术

APTGLQ100

活跃

20 V

350 W

+ 125 C

3.880136 oz

- 40 C

1

底座安装

Microchip

Microchip Technology / Atmel

650 V

Bulk

135 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

IGBTs

Si

全桥

350 W

Standard

IGBT模块

50 µA

650 V

2.3V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

有

6.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

IGBT模块

N/A

-

底座安装

SP6

SP6-P

1.7 V

100 A

微芯片技术

Bulk

100 A

APTGT75

活跃

350 W

+ 100 C

- 40 C

底座安装

1.2 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

-

三相

350 W

Standard

250 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 75A

100

沟渠现场停车

无

5.34 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

底座安装

ISOTOP

ISOTOP®

72 A

微芯片技术

- 20 V, + 20 V

379 W

+ 150 C

- 55 C

1

螺钉安装

Microchip

Microchip Technology / Atmel

Details

1.2 kV

Tube

72 A

Obsolete

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

Thunderbolt IGBT®

IGBTs

Single

379 W

Standard

IGBT晶体管

400 µA

1200 V

3.7V @ 15V, 50A

NPT

无

2.5 nF @ 25 V

IGBT晶体管

N/A

-

底座安装

Module

20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

onsemi

U26ART

Burndy

Tray

67 A

SNXH80

活跃

175°C (TJ)

-

三级逆变器

158 W

Standard

300 µA

1200 V

2.85V @ 15V, 80A

沟渠现场停车

有

19.4 nF @ 20 V

N/A

-

底座安装

ISOTOP

SOT-227

1.7

微芯片技术

Bulk

100 A

APT75GT120

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

Single

416

416 W

Standard

5 mA

1200 V

2.1V @ 15V, 75A

100

沟渠现场停车

无

5.34 nF @ 25 V

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

8

SP6

微芯片技术

Bulk

250 A

APTGT150

活跃

1.7 kV

Compliant

微芯片技术

Microchip

1

-

Tube

-

150 °C

-40 °C

IGBTs

890 W

不对称桥

Dual

890 W

Standard

IGBT模块

1.7 kV

250 A

350 µA

1700 V

13.5 nF

2.4V @ 15V, 150A

250

沟渠现场停车

无

13.5 nF @ 25 V

IGBT模块

N/A

-

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

D-3 Module

11

D3

1.8

610 A

微芯片技术

1.2 kV

Compliant

Bulk

610 A

APTGL475

活跃

2.08 kW

+ 125 C

- 40 C

底座安装

1.2 kV

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

175 °C

-40 °C

2.08 kW

Single

Single

2.08

2080 W

Standard

1.2 kV

610 A

5 mA

1200 V

24.6 nF

2.2V @ 15V, 400A

610

沟渠现场停车

无

24.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

底座安装

SP3

SP3

1.85

80 A

微芯片技术

Bulk

80 A

APTGL60

活跃

280 W

+ 100 C

- 40 C

底座安装

1.2 kV

-40°C ~ 175°C (TJ)

-

全桥

280

280 W

Standard

250 µA

1200 V

2.25V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

2.77 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

底座安装

SP3

SP3

微芯片技术

Microchip

微芯片技术

99 mOhms

Details

60 ns, 200 ns

22 A

Bulk

50 A

APTCV60

活跃

600 V

600 V

10 ns, 110 ns

2.5 V

110 W

N-Channel

+ 125 C

20 V

- 40 C

1

螺钉安装

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

3-Phase Inverter

Discrete Semiconductor Modules

Si

Three Level Inverter - IGBT, FET

90 W

5 ns, 45 ns

Standard

Discrete Semiconductor Modules

250 µA

600 V

1.9V @ 15V, 30A

沟渠现场停车

有

1.6 nF @ 25 V

功率MOSFET模块

2.2 V at 60 A

Discrete Semiconductor Modules

N/A

-

Infineon Technologies

Tray

活跃

30

Infineon

Infineon Technologies

Details

Tray

*

Infineon

N/A

-

底座安装

Module

AG-ECONO2B

Infineon Technologies

Details

Tray

活跃

70 A

DDB6U134

15

DDB6U134N16RR SP005422418

Infineon

Infineon Technologies

150°C (TJ)

Tray

-

Discrete Semiconductor Modules

单斩波器

500 W

Standard

Discrete Semiconductor Modules

500 μA

1200 V

2.75V @ 15V, 70A

-

1.6kV

有

5.1 nF @ 25 V

Discrete Semiconductor Modules

N/A

-

NO

SILICON

4

Infineon Technologies

Bulk

活跃

MODULE-4

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

-40 °C

未说明

125 °C

无

DD800S17K3B2NOSA1

RECTANGULAR

Infineon Technologies AG

2

Obsolete

INFINEON TECHNOLOGIES AG

2.2 V

5.78

*

EAR99

GENERAL PURPOSE

8541.10.00.80

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

unknown

R-XUFM-X4

SEPARATE, 2 ELEMENTS

接收电极

ISOLATED

800 A

1

1700 V