类别是'category.存储器' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | Current - Supply (Nom) | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源 | 温度等级 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 写入周期时间 - 最大值 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 电压 - 供电 (最大值) | 电压 - 供电 (最小值) | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 产品类别 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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CYD18S72V18-200BGXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 2510 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 484-FBGA | 484 | 1.03A | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 484 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V | 1.8V | BOTTOM | 260 | 1 | 1mm | CYD18S72 | 18Mb 256K x 72 | 2 | 200MHz | 3.3ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 72 | 18b | 18 Mb | 0.35A | COMMON | Synchronous | 72b | 1.4V | 1.58V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS61QDB22M18-250M3L | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | 10800 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | 700mA | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e1 | yes | Discontinued | 2 (1 Year) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.8V | BOTTOM | 260 | 1 | 1mm | 40 | 36Mb 2M x 18 | 2 | 250MHz | 7.5ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 20b | 36 Mb | SEPARATE | Synchronous | 18b | 1.71V | 1.89V | 1.71V | 1.7mm | 17mm | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX25L3233FMI-08G | Macronix | 数据表 | 100 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | MXSMIO™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 32M X 1 BIT | 3V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 32Mb 8M x 4 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 8MX4 | 4 | 50μs, 1.2ms | 33554432 bit | SERIAL | 3V | 2 | 3.6V | 2.65V | 2.65mm | 10.3mm | 7.52mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M29F400BT70N6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FS256SAGMFB003 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 2000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100, FS-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | ALSO CONFIGURABLE AS 256MX1 | 8542.32.00.51 | 1.8V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 64MX4 | 4 | 268435456 bit | SERIAL | 1.8V | 2 | 2V | 1.7V | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C109B-12ZXCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 32 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | 3A991.B.2.B | TIN | 8542.32.00.41 | 5V | DUAL | 1 | 0.5mm | unknown | 12GHz | CY7C109 | R-PDSO-G32 | 不合格 | 1Mb 128K x 8 | SRAM | Parallel | 128KX8 | 8 | 12ns | 1048576 bit | 12 ns | 5.5V | 4.5V | 1.2mm | 18.4mm | 8mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137CVSL-70BAXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 4000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 48-TFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2002 | MoBL® | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 3V | BOTTOM | 1 | 0.75mm | unknown | CY62137 | S-PBGA-B48 | 不合格 | 2Mb 128K x 16 | SRAM | Parallel | 128KX16 | 16 | 70ns | 2097152 bit | 70 ns | 3.6V | 2.7V | 1.2mm | 7mm | 7mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29GL064N11TAIV20 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 733 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 111 Weeks | TSOP | YES | NOR | Bulk | 2015 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | 3A991.B.1.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 85°C | -40°C | 8542.32.00.51 | 3V | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 0.5mm | 30 | R-PDSO-G56 | 1.8/3.33/3.3V | INDUSTRIAL | Parallel | 0.05mA | 4MX16 | 16 | 64 Mb | 0.000005A | 110 ns | 3V | 8 | YES | YES | 3.6V | 2.7V | 128 | 64K | 8/16words | YES | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY62157EV30LL-55ZSXET | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 1000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 48 | 35mA | Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | MoBL® | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V | DUAL | 260 | 1 | 0.8mm | 30 | CY62157 | R-PDSO-G44 | 8Mb 512K x 16 | 1 | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 55ns | 19b | 8 Mb | 0.00003A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 3.6V | 2.2V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C09369V-9AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 9 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | 230mA | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1997 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 3.3V | QUAD | 260 | 1 | 0.5mm | 20 | CY7C09369 | 288Kb 16K x 18 | 2 | 67MHz | 9ns | SRAM | Parallel | 16KX18 | 3-STATE | 18 | 14b | 288 kb | COMMON | Synchronous | 18b | 3V | 3.6V | 3V | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28C256E-15LM/883-815 | Microchip Technology | 数据表 | 2624 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 23 Weeks | 表面贴装 | 32-CLCC | YES | Non-Volatile | Military grade | -55°C~125°C TC | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 自动写入 | 5V | QUAD | 1 | 1.27mm | R-CQCC-N32 | 256Kb 32K x 8 | ASYNCHRONOUS | 150ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 8 | 10ms | 262144 bit | MIL-STD-883 Class C | 5V | 10ms | 5.5V | 4.5V | 2.54mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1361C-133AJXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | 4 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | 250mA | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 3.3V | QUAD | 260 | 1 | 0.65mm | 20 | CY7C1361 | 9Mb 256K x 36 | 4 | 133MHz | 6.5ns | SRAM | Parallel | 256KX36 | 3-STATE | 36 | 18b | 9 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 3.6V | 3.135V | 1.6mm | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAT24C128YIGT3JN | ON Semiconductor | 数据表 | 71503 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | Gold, Nickel | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.8V~5.5V | CAT24C128 | 2-Wire, I2C, Serial | 128Kb 16K x 8 | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 5ms | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS84018CGT-166I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | TQFP-100 | YES | 100 | Details | 166 MHz | Parallel | 2.3 V | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | SDR | 有 | 72 | SyncBurst | 3.6 V | LQFP, | FLATPACK, LOW PROFILE | 3 | 256000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 7 ns | 85 °C | 有 | GS84018CGT-166I | 262144 words | 3.3 V | LQFP | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.66 | Tray | GS84018CGT | 3A991.B.2.B | Pipeline/Flow Through | Pure Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | R-PQFP-G100 | INDUSTRIAL | 4 Mbit | SYNCHRONOUS | 145 mA, 170 mA | 6.5 ns | 256 k x 18 | 1.6 mm | 18 | 4718592 bit | PARALLEL | 缓存SRAM | 3.6 V | 3 V | 20 mm | 14 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS84036CB-166 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-119 | YES | 119 | 2.3 V | 0 C | + 70 C | SMD/SMT | SDR | 有 | 84 | SyncBurst | 3.6 V | BGA, | 网格排列 | 128000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 70 °C | 无 | GS84036CB-166 | 131072 words | 2.5 V | BGA | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.73 | 166 MHz | Parallel | Tray | GS84036CB | 3A991.B.2.B | Pipeline/Flow Through | IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | R-PBGA-B119 | COMMERCIAL | 4 Mbit | SYNCHRONOUS | 135 mA, 160 mA | 7 ns | 128 k x 36 | 1.99 mm | 36 | 4718592 bit | PARALLEL | 缓存SRAM | 2.7 V | 2.3 V | 22 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8182S08BD-167 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | SigmaSIO DDR-II | N | DDR | 有 | 167 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 18 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | Tray | GS8182S08BD | SigmaSIO DDR-II | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 315 mA | 2 M x 8 | SRAM | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS816218DD-250I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | SDR | 有 | 250 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Tray | GS816218DD | Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 230 mA, 250 mA | 5.5 ns | 1 M x 18 | SRAM | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8182D08BGD-200I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | - 40 C | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | 200 MHz | + 85 C | 1.9 V | 18 Mbit | 365 mA | 2 M x 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8672D18BGE-200 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | SigmaQuad-II | Details | QDR-II | 有 | 200 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | Tray | GS8672D18BGE | SigmaQuad-II | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 850 mA | 4 M x 18 | SRAM | 72 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8672D20BGE-500I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | SigmaQuad-II+ | Details | QDR-II | 有 | 500 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | Tray | GS8672D20BGE | SigmaQuad-II+ B4 | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 1.63 A | 4 M x 18 | SRAM | 72 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8342S09BGD-400 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | SigmaSIO-II | Details | DDR | 有 | 400 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | Tray | GS8342S09BGD | SigmaSIO DDR-II | Memory & Data Storage | 36 Mbit | 705 mA | 4 M x 9 | SRAM | 36 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8672T20BGE-633 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | SigmaDDR-II+ | Details | DDR-II | 有 | 633 MHz | + 70 C | 1.9 V | 0 C | 15 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | Tray | GS8672T20BGE | SigmaDDR-II+ B2 | Memory & Data Storage | 72 Mbit | 1.5 A | 4 M x 18 | SRAM | 72 | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8161E32DD-200I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | 有 | 200 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | SDR | Tray | GS8161E32DD | DCD Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 230 mA | 6.5 ns | 512 k x 32 | SRAM | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS8182D36BD-167I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | DDR | 有 | 167 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 18 | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-II | Tray | GS8182D36BD | SigmaQuad-II | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 390 mA | 512 k x 36 | SRAM | SRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS816236DGD-150I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | BGA-165 | SyncBurst | Details | SDR | 有 | 150 MHz | + 85 C | 3.6 V | - 40 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | Tray | GS816236DGD | Pipeline/Flow Through | Memory & Data Storage | 18 Mbit | 200 mA, 210 mA | 7.5 ns | 512 k x 36 | SRAM | SRAM |
CYD18S72V18-200BGXI
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
IS61QDB22M18-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类:Memory
MX25L3233FMI-08G
Macronix
分类:Memory
M29F400BT70N6
STMicroelectronics
分类:Memory
S25FS256SAGMFB003
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
CY7C109B-12ZXCT
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
CY62137CVSL-70BAXIT
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
S29GL064N11TAIV20
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
CY62157EV30LL-55ZSXET
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
CY7C09369V-9AXC
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
AT28C256E-15LM/883-815
Microchip Technology
分类:Memory
CY7C1361C-133AJXC
Cypress Semiconductor Corp
分类:Memory
CAT24C128YIGT3JN
ON Semiconductor
分类:Memory
5.211823
GS84018CGT-166I
GSI Technology
分类:Memory
GS84036CB-166
GSI Technology
分类:Memory
GS8182S08BD-167
GSI Technology
分类:Memory
GS816218DD-250I
GSI Technology
分类:Memory
GS8182D08BGD-200I
GSI Technology
分类:Memory
GS8672D18BGE-200
GSI Technology
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GS8672D20BGE-500I
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GS8672T20BGE-633
GSI Technology
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GS8161E32DD-200I
GSI Technology
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GS8182D36BD-167I
GSI Technology
分类:Memory
GS816236DGD-150I
GSI Technology
分类:Memory
