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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数						操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	最大电流源	输出的数量	资历状况	工作电源电压	温度等级	最大电源电压	最小电源电压	模拟 IC - 其他类型	功率耗散	输入类型	接通延迟时间	无卤素	上升时间	下降时间（典型值）	上升/下降时间(Typ)	接口IC类型	信道型	驱动器数量	输出峰值电流限制-名	闸门类型	峰值输出电流（源极，漏极）	高边驱动器	座位高度(最大)	长度	宽度	辐射硬化
HIP4083AB	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)			High-Side	1V 2.5V			-40°C~150°C TJ	Tube	1996	e3		Obsolete	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn) - annealed			7V~15V								HIP4083	16												Inverting				35ns 30ns	基于半桥的mosfet驱动器	3-Phase	3		N-Channel MOSFET			95V					Non-RoHS Compliant
ISL6612IBZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)			Half-Bridge	Industrial grade			-40°C~125°C TJ	Tube				Obsolete	3 (168 Hours)		EAR99				10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6612													Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					ROHS3 Compliant
ISL6612CR	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad		Half-Bridge				0°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	1 (Unlimited)		EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed			10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6612	10												Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					Non-RoHS Compliant
ISL6613AEIB	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad		Half-Bridge				-40°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn)			10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613AE	8												Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					Non-RoHS Compliant
ISL6613AECB	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad		Half-Bridge				0°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn)			10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613A													Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					Non-RoHS Compliant
ISL6613CRZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad		Half-Bridge				0°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	1 (Unlimited)		EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed			10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613	10												Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					ROHS3 Compliant
ISL6613BECBZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad			Half-Bridge	Commercial grade			0°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	3 (168 Hours)			Matte Tin (Sn)			7V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613B													Non-Inverting				26ns 18ns	全桥mosfet驱动器	Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					ROHS3 Compliant
ISL6613BEIB	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad		Half-Bridge				-40°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn)			7V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613B													Non-Inverting				26ns 18ns	全桥mosfet驱动器	Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					Non-RoHS Compliant
ISL6613CRZ-T	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad		Half-Bridge				0°C~125°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3		Obsolete	1 (Unlimited)		EAR99	Matte Tin (Sn) - annealed			10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613	10												Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					ROHS3 Compliant
ISL6613IR	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad		Half-Bridge				-40°C~125°C TJ	Tube				Obsolete	1 (Unlimited)		EAR99				10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613													Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					Non-RoHS Compliant
ISL6613ACBZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)			Half-Bridge	Commercial grade			0°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	3 (168 Hours)			Matte Tin (Sn)			10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6613A													Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					ROHS3 Compliant
ISL6614ACBZA	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)			Half-Bridge	Commercial grade			0°C~125°C TJ	Tube				Obsolete	3 (168 Hours)						10.8V~13.2V								ISL6614A													Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	4		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					ROHS3 Compliant
ISL6614IBZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)			Half-Bridge	Industrial grade			-40°C~125°C TJ	Tube		e3		Obsolete	3 (168 Hours)			Matte Tin (Sn)			10.8V~13.2V			未说明				未说明	ISL6614													Non-Inverting				26ns 18ns		Synchronous	4		N-Channel MOSFET	1.25A 2A		36V					ROHS3 Compliant
2ED21824S06JXUMA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	18 Weeks	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	1.1V 1.7V			-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)				活跃	3 (168 Hours)						10V~20V																					Non-Inverting				15ns 15ns		Synchronous	1		IGBT, N-Channel MOSFET	2.5A 2.5A		650V					ROHS3 Compliant
2ED21844S06JXUMA1	Infineon Technologies	数据表	5 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	18 Weeks	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	1.1V 1.7V			-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)				活跃	3 (168 Hours)						10V~20V																					Non-Inverting				15ns 15ns		Synchronous	1		IGBT, N-Channel MOSFET	2.5A 2.5A		650V					ROHS3 Compliant
HIP2106AIRZ	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad		Half-Bridge	1.3V 1.9V			-40°C~85°C TA	Tube				活跃	3 (168 Hours)						4.5V~5.5V									10																		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	- 4A							ROHS3 Compliant
HIP2106AIRZ-T	Renesas Electronics America Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	表面贴装	10-VFDFN Exposed Pad		Half-Bridge	1.3V 1.9V			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)				活跃	3 (168 Hours)						4.5V~5.5V									10																		Synchronous	2		N-Channel MOSFET	- 4A							ROHS3 Compliant
2ED21834S06JXUMA1	Infineon Technologies	数据表	65 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	18 Weeks	表面贴装	14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	1.1V 1.7V			-40°C~125°C TA	Tape & Reel (TR)				活跃	3 (168 Hours)						10V~20V																					Non-Inverting				15ns 15ns		Synchronous	1		IGBT, N-Channel MOSFET	2.5A 2.5A		650V					ROHS3 Compliant
DGD2181MS8-13	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	0.8V 2.5V			150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3		活跃	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn)			10V~20V			260				30														Non-Inverting				40ns 20ns		Independent	2		IGBT, N-Channel MOSFET	1.9A 2.3A		600V					ROHS3 Compliant
DGD2184MS8-13	Diodes Incorporated	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	22 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		Half-Bridge	0.8V 2.5V			150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3		活跃	1 (Unlimited)			Matte Tin (Sn)			10V~20V			260				30														Non-Inverting				40ns 20ns		Synchronous	2		IGBT, N-Channel MOSFET	1.4A 1.8A		600V					ROHS3 Compliant
LT1166CS8#PBF	Linear Technology/Analog Devices	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES			High-Side	-40°C~150°C TJ	Tube	1996	e3		活跃	1 (Unlimited)	8	EAR99	Matte Tin (Sn)				DUAL	鸥翼	260	1			30	LT1166	8	R-PDSO-G8			不合格						模拟电路		Non-Inverting						Synchronous	2		N-Channel MOSFET				1.75mm	4.9mm	3.9mm		ROHS3 Compliant
TCK401G,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	数据表	45 In Stock	1: ¥6.314052 10: ¥5.956653 100: ¥5.619485 500: ¥5.301400 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	表面贴装	6-UFBGA, WLCSP		High-Side	0.4V 1.6V			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)				活跃	1 (Unlimited)						2.7V~28V																					Non-Inverting				0.2ms 1.5μs		Single	1										符合RoHS标准
SLG55021-200010VTR	Dialog Semiconductor GmbH	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	8-WFDFN Exposed Pad		High-Side	0.4V 5.5V			-55°C~125°C	Tape & Reel (TR)				活跃	1 (Unlimited)						4.75V~5.25V																					CMOS					基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器	Single	1		N-Channel MOSFET	32μA 400μA							符合RoHS标准
IR2110L4	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	DIP	14		1.6W	220 ns										14	EAR99		125°C	-55°C		DUAL			1	15V						600μA			2A	15V	MILITARY	20V	10V	1.6W	150 ns		260 ps	35ns	25 ns		基于半桥的mosfet驱动器		2	2A			YES		4.44mm	19mm	无	无SVHC	符合RoHS标准	含铅
TLE6280GP	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	36	28mA					Tape & Reel			no		3 (168 Hours)	36	EAR99		150°C	-40°C		DUAL	鸥翼	未说明	1	14V	0.65mm	未说明		36			1	不合格		20V		8V		无刷直流电机控制器				无卤素											3.5mm				符合RoHS标准	含铅