类别是'category.门驱动器 ICs' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

Current - Supply (Nom)

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 供电

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

最大电流源

输出的数量

资历状况

最大输出电流

工作电源电压

输入电压-Nom

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

最大电源电压

最小电源电压

模拟 IC - 其他类型

工作电源电流

功率耗散

输出电流

传播延迟

输入类型

接通延迟时间

电压 - 输出

输入电压(Min)

输入电压(最大)

输出特性

控制技术

上升时间

下降时间(典型值)

输出极性

输入特性

上升/下降时间(Typ)

接口IC类型

开关频率-最大值

信道型

驱动器数量

接通时间

输出峰值电流限制-名

电源电压1-额定值

闸门类型

峰值输出电流(源极,漏极)

高边驱动器

关断时间

高压侧电压-最大值(自举)

座位高度(最大)

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

ISL89163FRTCZ-T
ISL89163FRTCZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8

33.3W

2010

e3

活跃

3 (168 Hours)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

125°C

-40°C

DUAL

无铅

260

1

12V

0.65mm

未说明

不合格

6A

AUTOMOTIVE

16V

7.5V

6A

20ns

20 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

0.05 μs

6A

YES

0.05 μs

3mm

3mm

符合RoHS标准

ISL89168FBEAZ-T
ISL89168FBEAZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

8

2.27W

25 ns

Tape & Reel (TR)

2010

e3

活跃

1 (Unlimited)

8

Matte Tin (Sn) - annealed

125°C

-40°C

DUAL

鸥翼

260

12V

未说明

不合格

6A

16V

4.5V

5mA

6A

25 ns

20ns

20 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

3.9005mm

符合RoHS标准

IR2182
IR2182
International Rectifier 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIP

NO

8

-40°C

2004

8

EAR99

DUAL

THROUGH-HOLE

1

15V

8

2

不合格

AUTOMOTIVE

10V

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

2A

YES

5.33mm

Non-RoHS Compliant

含铅

IR2102S
IR2102S
International Rectifier 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

8

50 ns

2004

e0

Discontinued

2 (1 Year)

8

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

125°C

-40°C

DUAL

鸥翼

245

1

15V

unknown

30

8

不合格

360mA

15V

AUTOMOTIVE

20V

10V

625mW

220 ns

50 ns

20V

TOTEM-POLE

170ns

90 ns

INVERTED

触发器

基于半桥的mosfet驱动器

2

0.36A

YES

1.75mm

4.9mm

3.9mm

符合RoHS标准

含铅

ISL6622IBZ-T
ISL6622IBZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5 Weeks

表面贴装

SOIC

8.2mA

2001

e3

活跃

3 (168 Hours)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

DUAL

鸥翼

260

1

12V

30

10, 8

R-PDSO-G8

不合格

3A

INDUSTRIAL

13.2V

6.8V

3A

26ns

18 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

3A

YES

1.75mm

4.9mm

3.9mm

符合RoHS标准

ISL6615IBZ-T
ISL6615IBZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

4.5mA

2006

e3

活跃

3 (168 Hours)

8

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

DUAL

鸥翼

未说明

1

12V

未说明

8

R-PDSO-G8

不合格

4A

INDUSTRIAL

13.2V

6.8V

4A

13ns

10 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

6A

12V

YES

1.75mm

4.9mm

3.9mm

符合RoHS标准

ISL6622IRZ-T
ISL6622IRZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

DFN

10

6.2mA

2001

e3

活跃

1 (Unlimited)

10

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

DUAL

无铅

260

1

12V

0.5mm

30

不合格

3A

INDUSTRIAL

13.2V

6.8V

3A

26ns

18 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

3A

YES

1mm

3mm

3mm

符合RoHS标准

ISL6614BIBZ-T
ISL6614BIBZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOIC

7.1mA

1W

Tape & Reel

2001

e3

yes

活跃

3 (168 Hours)

14

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

DUAL

鸥翼

260

2

12V

40

14

4

INDUSTRIAL

13.2V

7V

3A

26ns

18 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

YES

1.75mm

8.65mm

3.9mm

无

符合RoHS标准

ISL6622IRZ
ISL6622IRZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DFN

10

6.2mA

2001

e3

活跃

1 (Unlimited)

10

EAR99

Matte Tin (Sn) - annealed

85°C

-40°C

DUAL

无铅

260

1

12V

0.5mm

30

不合格

3A

INDUSTRIAL

13.2V

6.8V

3A

26ns

18 ns

和基于栅极的mosfet驱动器

2

3A

YES

1mm

3mm

3mm

符合RoHS标准

HIP2123FRTBZ-T
HIP2123FRTBZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

9

4mA

3.1W

2010

e3

活跃

9

哑光锡

125°C

-40°C

QUAD

1

12V

0.8mm

9

4mA

AUTOMOTIVE

14V

8V

2A

600ns

600 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

60 μs

2A

YES

60 μs

0.75mm

4mm

4mm

无

符合RoHS标准

HIP2122FRTBZ
HIP2122FRTBZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

9

4mA

3.1W

2010

e3

活跃

9

哑光锡

125°C

-40°C

QUAD

1

12V

0.8mm

9

4mA

AUTOMOTIVE

14V

8V

2A

600ns

600 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

60 µs

2A

YES

60 µs

0.75mm

4mm

4mm

无

符合RoHS标准

ISL89400AR3Z
ISL89400AR3Z
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5 Weeks

表面贴装

DFN

9

2.27W

2001

e3

活跃

1 (Unlimited)

9

Matte Tin (Sn) - annealed

125°C

-40°C

DUAL

无铅

260

1

12V

0.5mm

30

2.2mA

不合格

1.25A

AUTOMOTIVE

114V

9V

2.2mA

1.25A

1μs

1 μs

基于半桥的mosfet驱动器

2

60 µs

1.25A

YES

60 µs

1mm

3mm

3mm

符合RoHS标准

HIP2120FRTAZ-T
HIP2120FRTAZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

10

4mA

3W

2010

e3

活跃

2 (1 Year)

10

Matte Tin (Sn) - annealed

125°C

-40°C

SEATED HGT-NOM

DUAL

无铅

1

12V

0.8mm

4mA

不合格

2A

AUTOMOTIVE

14V

8V

2A

600ns

600 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

YES

60 µs

0.75mm

4mm

4mm

符合RoHS标准

HIP2121FRTAZ-T
HIP2121FRTAZ-T
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

10

4mA

3W

2010

e3

活跃

2 (1 Year)

10

Matte Tin (Sn) - annealed

125°C

-40°C

SEATED HGT-NOM

DUAL

无铅

1

12V

0.8mm

4mA

不合格

2A

AUTOMOTIVE

14V

8V

2A

600ns

600 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

YES

60 µs

0.75mm

4mm

4mm

符合RoHS标准

HIP2121FRTBZ
HIP2121FRTBZ
Intersil (Renesas Electronics America) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

9

4mA

3.1W

2010

e3

活跃

9

125°C

-40°C

DUAL

1

12V

0.8mm

9

4mA

AUTOMOTIVE

14V

8V

2A

600ns

600 ns

基于半桥的mosfet驱动器

2

YES

60 µs

0.75mm

4mm

4mm

无

符合RoHS标准

ISL6612IRZR5238
ISL6612IRZR5238
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

10-VFDFN Exposed Pad

10-DFN (3x3)

Half-Bridge

-40°C~125°C TJ

Tube

Obsolete

3 (168 Hours)

10.8V~13.2V

ISL6612

Non-Inverting

26ns 18ns

Synchronous

2

N-Channel MOSFET

1.25A 2A

36V

ROHS3 Compliant

ISL6614CRZR5238
ISL6614CRZR5238
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

16-VQFN Exposed Pad

Half-Bridge

0°C~125°C TJ

Tube

Obsolete

3 (168 Hours)

10.8V~13.2V

ISL6614

Non-Inverting

26ns 18ns

Synchronous

4

N-Channel MOSFET

1.25A 2A

36V

ROHS3 Compliant

ISL6612CBZ-TR5238
ISL6612CBZ-TR5238
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8-SOIC

Half-Bridge

0°C~125°C TJ

Tape & Reel (TR)

Discontinued

3 (168 Hours)

10.8V~13.2V

ISL6612

Non-Inverting

26ns 18ns

Synchronous

2

N-Channel MOSFET

1.25A 2A

36V

ROHS3 Compliant

ISL89411IPZ
ISL89411IPZ
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

8-DIP (0.300, 7.62mm)

0.8V 2.4V

Low-Side

-40°C~125°C TJ

Bulk

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

EAR99

Matte Tin (Sn)

4.5V~18V

未说明

未说明

ISL89411

8

Inverting

7.5ns 10ns

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

Independent

2

N-Channel, P-Channel MOSFET

2A 2A

ROHS3 Compliant

ISL6614CRZA-TR5214
ISL6614CRZA-TR5214
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

16-VQFN Exposed Pad

Half-Bridge

0°C~125°C TJ

Tape & Reel (TR)

Obsolete

3 (168 Hours)

10.8V~13.2V

ISL6614

Non-Inverting

26ns 18ns

Synchronous

4

N-Channel MOSFET

1.25A 2A

36V

ROHS3 Compliant

ZL1505ALNNT
ZL1505ALNNT
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

10-VFDFN Exposed Pad

YES

Half-Bridge

1.7V 3.4V

-40°C~125°C TJ

Tube

e4

Obsolete

2 (1 Year)

10

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

4.5V~7.5V

DUAL

无铅

未说明

1

0.5mm

未说明

ZL1505

S-PDSO-N10

6.5V

开关控制器

Non-Inverting

4.5V

7.5V

脉宽调制

5.3ns 4.8ns

1400kHz

Independent

2

N-Channel MOSFET

3.2A 3.2A

30V

1.05mm

3mm

3mm

ROHS3 Compliant

ISL89164FBECZ-T
ISL89164FBECZ-T
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

8-SOIC-EP

Low-Side

2.4V 9.6V

-40°C~125°C TJ

Tape & Reel (TR)

Obsolete

1 (Unlimited)

7.5V~16V

ISL89164

Inverting

20ns 20ns

Independent

2

N-Channel MOSFET

6A 6A

ROHS3 Compliant

ISL89165FRTCZ
ISL89165FRTCZ
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-VFDFN Exposed Pad

8-SOIC-EP

Low-Side

2.4V 9.6V

Industrial grade

-40°C~125°C TJ

Tube

Obsolete

3 (168 Hours)

7.5V~16V

ISL89165

Inverting, Non-Inverting

20ns 20ns

Independent

2

N-Channel MOSFET

6A 6A

ROHS3 Compliant

ISL6611AIRZ
ISL6611AIRZ
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

16-VQFN Exposed Pad

YES

Half-Bridge

0.8V 2V

-40°C~125°C TJ

Tube

Obsolete

1 (Unlimited)

16

使用专有相位加倍方案进行调制。

4.5V~5.5V

QUAD

无铅

1

0.65mm

ISL6611A

S-PQCC-N16

5V

双开关控制器

Non-Inverting

5.5V

脉宽调制

8ns 8ns

1000kHz

Synchronous

4

N-Channel MOSFET

- 4A

36V

1mm

ROHS3 Compliant

ISL89160FRTBZ-T
ISL89160FRTBZ-T
Renesas Electronics America Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-WDFN Exposed Pad

Low-Side

1.85V 3.15V

-40°C~125°C TJ

Tape & Reel (TR)

Obsolete

3 (168 Hours)

4.5V~16V

未说明

未说明

ISL89160

Non-Inverting

20ns 20ns

和基于栅极的mosfet驱动器

Independent

2

N-Channel MOSFET

6A 6A

ROHS3 Compliant