类别是'category.RF二极管' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 连接器类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 颜色 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 屏蔽/屏蔽 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 深度 | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 最大额定电流 | 速度 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 输出电流 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 最大反向漏电电流 | 工作温度 - 结点 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 阻抗-最大 | 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值) | 平均整流电流(Io) | 正向电压 | 最大反向电压(DC) | 平均整流电流 | 产品类别 | 相位的数量 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@Vr, F | 峰值非恢复性浪涌电流 | 最高频率 | 最大非代表Pk前进电流 | 二极管配置 | 反向电流-最大值 | 工作频率-最小值 | 电压 - 峰值反向(最大值) | 重复峰值反向电压 | 反向恢复时间-最大值 | 反向测试电压 | 频带 | 反向恢复时间(trr) | 电阻@If,F | 二极管电容-最大值 | 产品 | 少数载流子寿命 | 二极管正向电阻-最大值 | Vf-正向电压 | 马克斯噪声图 | 输入电压(交流电) | 产品类别 | 应力消除 | 阻抗-最小 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MBR8045 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | SILICON | 1 | MBR8045 | 有 | 接触制造商 | GENESIC SEMICONDUCTOR INC | O-MUPM-D1 | 5.05 | 0.75 V | 1 | 150 °C | -55 °C | METAL | ROUND | POST/STUD MOUNT | 未说明 | 有 | POWER | UPPER | SOLDER LUG | 未说明 | compliant | O-MUPM-D1 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 80 A | 1 | 45 V | DO-203AB | 1000 A | 1000 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDBFR0540-HF | Comchip Technology | 数据表 | 25000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 1005 (2512 Metric) | YES | 1005/SOD-323F | SILICON | 2 | 芯片技术 | Obsolete | CDBFR0540-HF | 有 | 活跃 | COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD | R-PDSO-F2 | 5.63 | 0.64 V | 1 | 125 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | Tape & Reel (TR) | - | DUAL | FLAT | 未说明 | compliant | 未说明 | R-PDSO-F2 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 20 µA @ 40 V | 510 mV @ 500 mA | 125°C | 0.5 A | 40 V | 500mA | 1 | 40 V | 170pF @ 0V, 1MHz | 5.5 A | 20 µA | 0.022 µs | 40 V | 22 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N6843CCU3 | Microchip | 数据表 | 2302 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 3-SMD, No Lead | YES | U3 | SILICON | 3 | 微芯片技术 | MICROSEMI CORP | R-CBCC-N3 | 5.51 | 0.6 V | 2 | 150 °C | -65 °C | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | RECTANGULAR | CHIP CARRIER | 1 | Microchip / Microsemi | N | Bulk | 1N6843 | 活跃 | JAN1N6843CCU3 | 有 | 活跃 | Tray | Military, MIL-PRF-19500/578 | e4 | EAR99 | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | GENERAL PURPOSE | LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS | 8541.10.00.80 | BOTTOM | 无铅 | compliant | 3 | MIL-19500 | R-CBCC-N3 | Qualified | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 500 nA @ 75 V | 1.2 V @ 100 mA | -65°C ~ 175°C | 10 A | 50 V | 300mA | Schottky Diodes & Rectifiers | 1 | 100 V | 5pF @ 0V, 1MHz | 100 A | 6 ns | Schottky Diodes & Rectifiers | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN1N7043CAT1 | Microchip | 数据表 | 2732 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-254-3, TO-254AA | NO | TO-254AA | SILICON | 3 | 微芯片技术 | MICROSEMI CORP | 5.5 | 1.3 V | 2 | 150 °C | -65 °C | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | SQUARE | FLANGE MOUNT | Bulk | 1N7043 | 活跃 | 35A | 1 | Microchip / Microsemi | N | JAN1N7043CAT1 | 无 | 活跃 | Tray | MIL-PRF-19500/730 | POWER | HIGH RELIABILITY | Diodes & Rectifiers | SINGLE | PIN/PEG | compliant | MIL-19500 | S-CSFM-P3 | Qualified | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 500 µA @ 100 V | 1.3 V @ 35 A | ISOLATED | -65°C ~ 150°C | 17.5 A | 100 V | Schottky Diodes & Rectifiers | 1 | 100 V | TO-254AA | 175 A | 1 Pair Common Anode | 500 µA | Schottky Diodes & Rectifiers | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N5711UBD | Microchip | 数据表 | 2265 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | YES | 3 | UB | SILICON | 3 | 微芯片技术 | 活跃 | MICROSEMI CORP | R-CDSO-N3 | 5.47 | 2 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | Bulk | 活跃 | 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080 | Compliant | JANS1N5711UBD | 有 | Bulk | Military, MIL-PRF-19500/444 | e4 | 有 | EAR99 | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | 150 °C | -65 °C | 8541.10.00.70 | DUAL | 无铅 | 未说明 | compliant | 3 | MIL-19500/444 | R-CDSO-N3 | Qualified | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 接收电极 | 200 nA @ 50 V | 1 V @ 15 mA | -65°C ~ 150°C | 0.033 A | 50 V | 70 V | 2pF @ 0V, 1MHz | 70 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSMS-280K-BLKG | AVAGO TECHNOLOGIES INC | 数据表 | 500 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | YES | 6 | SILICON | 6 | R-PDSO-G6 | 6.8 | 1 V | 1 | 2 | 150 °C | -65 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | 70 V | Compliant | HSMS-280K-BLKG | 有 | Obsolete | BROADCOM LTD | Bulk | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 150 °C | -65 °C | 8541.10.00.40 | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 1 A | R-PDSO-G6 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 1 A | 混频器芯片 | 1 A | 200 nA | 1 A | 1 V | 70 V | 0.2 µA | 50 V | 2 pF | 无 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSM160JE3/TR13 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214BA | YES | DO-214BA | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 有 | 活跃 | MICROSEMI CORP | DO-214BA | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 | 1.93 | 1 | 175 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | Tape & Reel (TR) | HSM160 | 活跃 | 3000 | 微芯片技术 | Details | HSM160JE3/TR13 | Reel | - | 有 | EAR99 | 8541.10.00.80 | Diodes & Rectifiers | DUAL | C 弯管 | 未说明 | compliant | 2 | R-PDSO-C2 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 100 µA @ 60 V | 690 mV @ 1 A | -55°C ~ 175°C | 1 A | 60 V | 1A | Schottky Diodes & Rectifiers | 60 V | DO-214BA | - | Single | 60 | Schottky Diodes & Rectifiers | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UPS160E3/TR7 | Microchip | 数据表 | 30000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-216AA | YES | Powermite 1 (DO216-AA) | 1 | 微芯片技术 | 1 | 125 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | SQUARE | 小概要 | 未说明 | 0.6 V | 5.42 | S-PDSO-G1 | MICROSEMI CORP | 活跃 | 有 | UPS160E3/TR7 | Tape & Reel (TR) | UPS160 | 活跃 | 3000 | 微芯片技术 | Details | Reel | - | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8541.10.00.80 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | S-PDSO-G1 | 不合格 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 100 µA @ 60 V | 600 mV @ 1 A | -55°C ~ 125°C | 1 A | 60 V | 1A | Schottky Diodes & Rectifiers | 60 V | DO-216AA | 55pF @ 4V, 1MHz | 50 A | Schottky Diodes & Rectifiers | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UPP1004/TR7 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | DO-216AA | YES | DO-216 | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 5.18 | 1 | UNSPECIFIED | SQUARE | 小概要 | Tape & Reel (TR) | UPP1004 | 2.5 W | 活跃 | 3000 | 微芯片技术 | N | UPP1004/TR7 | 无 | 活跃 | MICROSEMI CORP | S-XSSO-G1 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Reel | POWERMITE® | 无 | EAR99 | SWITCHING | LOW DISTORTION | 8541.10.00.80 | Diodes & Rectifiers | SINGLE | 鸥翼 | compliant | S-XSSO-G1 | SINGLE | 针形二极管 | ANODE | PIN 二极管 | 1.6pF @ 100V, 1MHz | 100V | 1Ohm @ 10mA, 100MHz | 1.6 pF | 3.5 µs | 1 Ω | PIN 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5819-1 | Microchip | 数据表 | 260 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | DO-204AL, DO-41, Axial | NO | DO-204AL (DO-41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 5 mA | - | + 150 C | 0.010935 oz | - 65 C | 1 | 通孔 | 45 V | 微芯片技术 | 1 A | N | 25 A | 1N5819-1 | 无 | 活跃 | MICROSEMI CORP | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | 1.35 | 1 | 125 °C | -65 °C | GLASS | ROUND | 长式 | 未说明 | Bulk | 1N5819 | 活跃 | Bulk | - | e0 | 无 | EAR99 | 锡铅 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | Diodes & Rectifiers | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | O-LALF-W2 | 不合格 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 50 µA @ 45 V | 340 mV @ 1 A | ISOLATED | -65°C ~ 125°C | 1 A | 45 V | 1A | Schottky Diodes & Rectifiers | 45 V | DO-41 | 70pF @ 5V, 1MHz | 40 | 肖特基整流器 | 490 mV | Schottky Diodes & Rectifiers | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N26R | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | SILICON | 2 | ROUND | 长式 | 1N26R | 活跃 | ASI SEMICONDUCTOR INC | DO-37 | O-LALF-W2 | 5.19 | 1 | 26 GHz | 150 °C | GLASS | EAR99 | 配对 | 8541.10.00.60 | AXIAL | WIRE | unknown | 2 | O-LALF-W2 | 不合格 | SINGLE | 混频器芯片 | ISOLATED | 600 Ω | DO-37 | 18 GHz | K带 | 13.1 dB | 300 Ω | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5819UR-1 | Microchip | 数据表 | 3447 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-213AB, MELF (Glass) | YES | DO-213AB (MELF, LL41) | SILICON | 2 | 0.49 V | 1 | 1 | 125 °C | -55 °C | GLASS | ROUND | 长式 | 未说明 | 微芯片技术 | 45(V) | 0.49(V) | DO-213AB | -65C to 125C | 肖特基二极管 | 表面贴装 | Bulk | 1N5819 | 活跃 | 5 mA | - | + 150 C | 0.029682 oz | - 65 C | 1 | 通孔 | 45 V | Microchip Technology / Atmel | 1 A | N | 25 A | 1N5819UR-1 | 无 | 活跃 | SENSITRON SEMICONDUCTOR | DO-213AB | O-LELF-R2 | 1.15 | Bag | - | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.10.00.80 | END | 环绕 | 未说明 | compliant | 2 | O-LELF-R2 | 不合格 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 50 µA @ 45 V | 490 mV @ 1 A | ISOLATED | -65°C ~ 150°C | 1 A | 45 V | 1A | Schottky Diodes & Rectifiers | 50(uA) | 45 V | DO-213AB | 70pF @ 5V, 1MHz | 25(A) | 25 A | Single | 45 | 肖特基整流器 | 490 mV | Schottky Diodes & Rectifiers | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5828R | Microchip | 数据表 | 38 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Stud Mount | DO-203AA, DO-4, Stud | NO | DO-4 (DO-203AA) | SILICON | 1 | 微芯片技术 | POST/STUD MOUNT | ROUND | METAL | -55 °C | 150 °C | 1 | 1 | 微芯片技术 | Bulk | 活跃 | 1N5828R | 有 | 活跃 | GENESIC SEMICONDUCTOR INC | O-MUPM-D1 | 2.14 | 0.5 V | - | 有 | EAR99 | POWER | 8541.10.00.80 | Diodes & Rectifiers | UPPER | SOLDER LUG | compliant | O-MUPM-D1 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 2 mA @ 40 V | 870 mV @ 40 A | ANODE | -55°C ~ 150°C | 15 A | 40 V | 15A | 齐纳二极管 | 1 | 40 V | DO-203AA | - | 500 A | 10000 µA | 齐纳二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
43CTQ080GSTRLP | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | SILICON | 2 | 2 | 175 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | 43CTQ080GSTRLP | 有 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | TO-263 | R-PSSO-G2 | D Squared PAK | 5.29 | 0.67 V | 有 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 3 | R-PSSO-G2 | 不合格 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 接收电极 | CATHODE | 20 A | 1 | 80 V | 850 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
43CTQ100GSTRRP | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | SILICON | 2 | 小概要 | 未说明 | 43CTQ100GSTRRP | 有 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | TO-263 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 | 5.15 | 0.67 V | 2 | 175 °C | -55 °C | D Squared PAK | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | EAR99 | GENERAL PURPOSE | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 3 | R-PSSO-G2 | 不合格 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 接收电极 | CATHODE | 20 A | 1 | 100 V | 850 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5821SMGE3/TR13 | Microchip | 数据表 | 20 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | 2 | DO-215AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 1 | 150 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | Tape & Reel (TR) | 5821SMGE3 | 活跃 | Compliant | 3000 | 微芯片技术 | 5821SMGE3/TR13 | 有 | 活跃 | MICROSEMI CORP | SMCG, 2 PIN | 5.75 | 0.67 V | Tape & Reel (TR) | - | GENERAL PURPOSE | HIGH RELIABILITY | Diodes & Rectifiers | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | R-PDSO-G2 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 1.5 mA @ 30 V | 480 mV @ 3 A | -55°C ~ 150°C | 3 A | 30 V | 3A | 30 V | 3 A | Schottky Diodes & Rectifiers | 1 | 30 V | DO-215AB | - | 150 A | 1500 µA | 30 V | Schottky Diodes & Rectifiers | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5821SMJE3/TR13 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 有 | 活跃 | MICROSEMI CORP | SMCJ, 2 PIN | 5.75 | 0.67 V | 1 | 150 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | Tape & Reel (TR) | 5821SMJE3 | 活跃 | 3000 | 微芯片技术 | Details | 5821SMJE3/TR13 | Reel | - | GENERAL PURPOSE | HIGH RELIABILITY | Diodes & Rectifiers | DUAL | J BEND | 未说明 | compliant | R-PDSO-J2 | SINGLE | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 1.5 mA @ 30 V | 480 mV @ 3 A | -55°C ~ 150°C | 3 A | 30 V | 3A | Schottky Diodes & Rectifiers | 1 | 30 V | DO-214AB | - | 150 A | 1500 µA | 30 V | Schottky Diodes & Rectifiers | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
8TQ100GSTRRPBF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | SILICON | 2 | 5.27 | 1 | 1 | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 30 | D Squared PAK | 8TQ100GSTRRPBF | 有 | Transferred | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP | TO-263 | R-PSSO-G2 | e3 | EAR99 | 镍外哑光锡 | GENERAL PURPOSE | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | compliant | 3 | R-PSSO-G2 | 不合格 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 8 A | 1 | 100 V | 850 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
8TQ080GSTRRPBF | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | SILICON | 2 | 8TQ080GSTRRPBF | 有 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | SFM | R-PSSO-G2 | 5.33 | 0.58 V | 1 | 1 | 175 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 30 | D Squared PAK | e3 | EAR99 | 哑光锡 | HIGH POWER | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | unknown | 3 | R-PSSO-G2 | 不合格 | SINGLE | 接收电极 | CATHODE | 8 A | 1 | 80 V | 850 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
16CTQ080GSTRRP | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | SILICON | 2 | 16CTQ080GSTRRP | 有 | Obsolete | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | TO-263 | R-PSSO-G2 | 5.23 | 0.58 V | 1 | 2 | 175 °C | -55 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | D Squared PAK | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | HIGH POWER | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 3 | R-PSSO-G2 | 不合格 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 接收电极 | CATHODE | 8 A | 1 | 80 V | 650 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MSD7804 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Die | Die | 微芯片技术 | JHSN_DRIV_VSD-II | VS240422B-S0000 | Johnson Controls | Panel | 活跃 | -55°C ~ 125°C | - | 21.3125 | PIN - Single | - | 320 Hz | 18V | - | 480 VAC | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4385 | Silicon Storage Tech | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | HMX7D5C1NAPEL3SA | Cutler Hammer, Div of Eaton Co | Non-Compliant | 208 VAC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GC4721-30 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Stud | - | ITT Cannon, LLC | 5 W | Bulk | 075-8 | 活跃 | -55°C ~ 150°C | * | PIN - Single | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 120V | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GC4371-30 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Stud | - | 微芯片技术 | Bag | 活跃 | 1pc(s) | 1 | Microchip | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C | - | Diodes & Rectifiers | PIN - Single | Diodes - General Purpose, Power, Switching | 0.1pF @ 10V, 1MHz | 70V | 900mOhm @ 20mA, 1GHz | Diodes - General Purpose, Power, Switching | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UES1106SM | Microchip | 数据表 | 5 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SQ-MELF, A | YES | A, SQ-MELF | SILICON | 2 | 微芯片技术 | U-79128 | UL | Turck | TPE | Cat 5e | Bulk | 活跃 | 1 | 微芯片技术 | N | MELF-2 | 长式 | GLASS | 未说明 | 无 | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.39 | MELF | - | e0 | 无 | EAR99 | RJ45 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Teal | 超快恢复 | 8541.10.00.80 | Diodes & Rectifiers | Standard | END | 环绕 | 无 | 未说明 | unknown | 2 | O-LELF-R2 | 不合格 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 接收电极 | 1.25 V @ 1 A | ISOLATED | - | 2 A | 400 V | 2A | Rectifiers | 1 | 100 V | - | 20 A | 0.05 µs | 50 ns | Rectifiers | Rectifiers | 无 | 0.65 Feet |
MBR8045
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
分类:Diodes - RF
CDBFR0540-HF
Comchip Technology
分类:Diodes - RF
JAN1N6843CCU3
Microchip
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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AVAGO TECHNOLOGIES INC
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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分类:Diodes - RF
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Microchip
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Vishay
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分类:Diodes - RF
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分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Silicon Storage Tech
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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Microchip
分类:Diodes - RF
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