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首页 全部分类 1B22AN vs FAN7392N

1B22AN备选型号: FAN7392N

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 类型
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 输出类型
  • 工作电源电压
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 输出电流
  • 输入类型
  • 电流源
  • 带宽
  • 负电源电压(Vsup)
  • 线性
  • 转换器数量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 最大输出电流
  • 工作电源电流
  • 功率耗散
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 座位高度(最大)
  • Analog Devices Inc.
    1B22AN
    Analog Devices Inc.
    ANALOG DEVICES 1B22AN.VOLTAGE-TO-CURRENT CONVERTER, 12 DIP
    PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)
    12 Weeks
    Lead, Tin
    通孔
    通孔
    38-DIP (0.800, 20.32mm), 12 Leads
    12
    -40°C~85°C
    Bulk
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    电流变送器
    DUAL
    未说明
    1
    15V
    2.54mm
    not_compliant
    未说明
    1B22
    12
    不合格
    Current
    15V
    15.75V
    14.25V
    30mA
    Analog Voltage
    7.5mA
    400 Hz
    -15V
    0.02 %
    1
    8.91mm
    53.3mm
    25.4mm
    无SVHC
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAN7392N
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FAN7392N DRIVER, GATE, HIGH/LOW SIDE, 3A, 14DIP
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    -
    -
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    14
    -
    DUAL
    未说明
    1
    15V
    -
    -
    未说明
    FAN7392
    -
    不合格
    -
    -
    -
    -
    3A
    Non-Inverting
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    19.18mm
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    1.620005g
    Half-Bridge
    2009
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.6W
    10V~20V
    3A
    430μA
    1.6W
    200 ns
    35 ns
    25ns
    20 ns
    25ns 20ns
    Independent
    2
    0.18 µs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    3A 3A
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    5.33mm
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