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首页 全部分类 1N5402RLG vs 1N5404RLG

1N5402RLG备选型号: 1N5404RLG

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  • 终止次数
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  • HTS代码
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  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 速度
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  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 无卤素
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ON Semiconductor
    1N5402RLG
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    通孔
    DO-201AA, DO-27, Axial
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    GENERAL PURPOSE
    8541.10.00.80
    200V
    WIRE
    260
    3A
    40
    1N5402
    2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    3A
    1V @ 3A
    ISOLATED
    3A
    -65°C~150°C
    200A
    无卤素
    1V
    200V
    3A
    1
    10μA
    200V
    200A
    200V
    200A
    5.3mm
    9.5mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    1N5404RLG
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    5 Weeks
    通孔
    DO-201AA, DO-27, Axial
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    150°C
    -65°C
    GENERAL PURPOSE
    8541.10.00.80
    400V
    WIRE
    260
    3A
    40
    1N5404
    2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 400V
    3A
    1V @ 3A
    ISOLATED
    3A
    -65°C~150°C
    200A
    无卤素
    1V
    400V
    3A
    1
    10μA
    400V
    200A
    400V
    200A
    5.3mm
    9.5mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
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