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首页 全部分类 1N5550 vs GBU6J

1N5550备选型号: GBU6J

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  • 工厂交货时间
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  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • HTS代码
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 操作温度
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 平均整流电流（Io）
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Semtech Corporation
    1N5550
    Semtech Corporation
    DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    Axial
    2
    SILICON
    1
    Bulk
    2008
    活跃
    不适用
    2
    EAR99
    175°C
    -65°C
    GENERAL PURPOSE
    8541.10.00.80
    WIRE
    unknown
    1N5550
    2
    不合格
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 200V
    1V @ 3A
    ISOLATED
    5A
    3A
    1V
    5A
    1
    2 μs
    1μA
    200V
    92pF @ 5V 1MHz
    150A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    GBU6J
    ON Semiconductor
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    4-SIP, GBU
    4
    -
    1
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    GBU6J
    -
    -
    Single
    -
    单相
    5μA @ 600V
    1V @ 6A
    -
    6A
    -
    1V
    6A
    -
    -
    5μA
    600V
    -
    175A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    GBU
    5.4g
    -55°C~150°C TJ
    400pF
    600V
    6A
    12W
    6A
    5μA
    175A
    6A
    175A
    600V
    18.8mm
    22.3mm
    3.56mm
    无SVHC
    无
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