1N5614备选型号: 1N4007G-T
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 二极管元件材料
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 箱体转运
- 正向电流
- 工作温度 - 结点
- 输出电流-最大值
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 电容@Vr, F
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- 电容量
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输出电流
- 最大浪涌电流
- 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 恢复时间
- 反向电压(直流电)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL12 Weeks通孔通孔AxialSILICON1Bulke0no活跃不适用2EAR99锡铅175°C-65°C冶金结合8541.10.00.80WIRE2O-XALF-W2SingleStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)Standard500nA @ 200V1.1V @ 1AISOLATED2A-65°C~175°C1A2 μs500nA200V23pF @ 5V 1MHz30A无符合RoHS标准---------------------
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO4123 Weeks通孔通孔DO-204AL, DO-41, AxialSILICON1Tape & Reel (TR)e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Bright Tin (Sn)175°C-65°C-8541.10.00.80WIRE2-SingleStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)Standard5μA @ 1000V1V @ 1AISOLATED1A-65°C~175°C-2 μs5μA1kV8pF @ 4V 1MHz30A无ROHS3 Compliant2299.994654mg20008pF1kV2601A401N40071A30A1000V1V1kV1A2 μs1kV2.71mm4.7mm2.71mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|




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