1N5614备选型号: 1N4007G-T

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 已出版
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 输出电流
  • 最大浪涌电流
  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
  • 正向电压
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 恢复时间
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Semtech Corporation
    DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    Axial
    SILICON
    1
    Bulk
    e0
    no
    活跃
    不适用
    2
    EAR99
    锡铅
    175°C
    -65°C
    冶金结合
    8541.10.00.80
    WIRE
    2
    O-XALF-W2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    500nA @ 200V
    1.1V @ 1A
    ISOLATED
    2A
    -65°C~175°C
    1A
    2 μs
    500nA
    200V
    23pF @ 5V 1MHz
    30A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
    23 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-204AL, DO-41, Axial
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Bright Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    -
    8541.10.00.80
    WIRE
    2
    -
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 1000V
    1V @ 1A
    ISOLATED
    1A
    -65°C~175°C
    -
    2 μs
    5μA
    1kV
    8pF @ 4V 1MHz
    30A
    ROHS3 Compliant
    2
    299.994654mg
    2000
    8pF
    1kV
    260
    1A
    40
    1N4007
    1A
    30A
    1000V
    1V
    1kV
    1A
    2 μs
    1kV
    2.71mm
    4.7mm
    2.71mm
    无铅
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