1N5619备选型号: RGP10J

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • JEDEC-95代码
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 已出版
  • 附加功能
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)
  • 恢复时间
  • 自然的热阻
  • 直径
  • 高度
  • 无铅
  • Semtech Corporation
    DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    Axial
    SILICON
    1
    Bulk
    e0
    no
    活跃
    不适用
    2
    EAR99
    锡铅
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    WIRE
    2
    E-XALF-W2
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    500nA @ 600V
    1.2V @ 1A
    ISOLATED
    2A
    -65°C~175°C
    1A
    250 ns
    500nA
    600V
    DO-7
    27pF @ 5V 1MHz
    25A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-41 T/R
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    DO-204AL, DO-41, Axial
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    WIRE
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 600V
    1.3V @ 1A
    ISOLATED
    1A
    -65°C~175°C
    -
    250 ns
    5μA
    600V
    -
    15pF @ 4V 1MHz
    30A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2
    245mg
    2001
    冶金结合
    15pF
    600V
    1A
    RGP10J
    3W
    1A
    30A
    1.3V
    600V
    1A
    600V
    30A
    250 ns
    50 °C/W
    2.72mm
    5.2mm
    无铅
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