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首页 全部分类 1N5811TR vs DLE30E

1N5811TR备选型号: DLE30E

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 基本部件号
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 工作温度 - 结点
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 自然的热阻
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 输出电流-最大值
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    1N5811TR
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
    通孔
    通孔
    B, Axial
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    1N5811
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 150V
    875mV @ 4A
    -65°C~175°C
    150V
    6A
    150V
    6A
    30 ns
    22 °C/W
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DLE30E
    ON Semiconductor
    Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    20μA @ 400V
    1.25V @ 1A
    150°C Max
    -
    -
    400V
    3A
    30 ns
    -
    符合RoHS标准
    2
    SILICON
    1
    1998
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -40°C
    超快恢复
    8541.10.00.80
    WIRE
    Single
    ISOLATED
    3A
    1.5A
    1
    20μA
    400V
    60A
    无
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