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首页 全部分类 1SS361FV,L3F vs NSVBAS21M3T5G

1SS361FV,L3F备选型号: NSVBAS21M3T5G

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  • 端子位置
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  • 反向恢复时间
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  • 二极管配置
  • 恢复时间
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  • RoHS状态
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 平均整流电流（Io）
  • 电容@Vr, F
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    1SS361FV,L3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    SWITCHING DIODE 80V CC 3 VESM
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    3
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    150°C
    -55°C
    150mW
    DUAL
    FLAT
    共阴极
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    500nA @ 80V
    1.2V @ 100mA
    100mA
    150°C Max
    2A
    0.1A
    900mV
    80V
    100mA
    4 ns
    500nA
    85V
    2A
    1 Pair Common Cathode
    1.6 ns
    80V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSVBAS21M3T5G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    -
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 200V
    1.25V @ 200mA
    -
    -55°C~150°C
    -
    0.2A
    -
    250V
    200mA
    50 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Automotive, AEC-Q101
    2009
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F3
    SINGLE
    200mA DC
    5pF @ 0V 1MHz
    无铅
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