23LC512T-I/SN备选型号: AS6C62256-55SCNTR
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- 端子表面处理
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- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 端子间距
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- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
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- 电源
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- 内存大小
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- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
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- I/O类型
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- 长度
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- RoHS状态
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- IC SRAM 512KBIT 20MHZ 8SOIC6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YESVolatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn) - annealed2.5V~5.5VDUAL26015V1.27mm4023LC512R-PDSO-G8不合格5.5V3/5V2.5VSPI, Serial512Kb 64K x 81, (3 LINE)SYNCHRONOUS20MHzSRAMSPI - Quad I/O64KX880.000004A524288 bitTS 16949SEPARATE2.5V4.9mm1.75mm3.9mmROHS3 Compliant无铅--------
- SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM8 Weeks表面贴装28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)-Volatile0°C~70°C TATape & Reel (TR)2005-活跃3 (168 Hours)--2.7V~5.5V------------Parallel256Kb 32K x 8---SRAMParallel----------ROHS3 Compliant-2828-SOP70°C0°C5.5V2.7V55ns55ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C6264-55SCNTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 28-SOIC (0.330, 8.38mm Width) | SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
| CY7C1009D-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | IC, SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, SOJ-32 | 对比 | |
![]() | AS6C62256-55SINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 28-SOIC (0.330, 8.38mm Width) | SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM | 对比 |




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