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首页 全部分类 2N1613A vs MC1413BDR2G

2N1613A备选型号: MC1413BDR2G

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 极性
  • 配置
  • 输出电流
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N1613A
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    8 Weeks
    通孔
    3
    Bulk
    2007
    活跃
    3W
    70V
    500mA
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC1413BDR2G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    15 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    16
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    -
    50V
    500mA
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    1.1V
    1.6V
    150°C TJ
    e3
    yes
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    逻辑电平兼容
    50V
    DUAL
    鸥翼
    260
    500mA
    40
    MC1413B
    16
    50V
    NPN
    COMPLEX
    500mA
    SWITCHING
    无卤素
    7 NPN Darlington
    1000 @ 350mA 2V
    1.6V @ 500μA, 350mA
    3.9878mm
    9.9822mm
    1.4986mm
    无SVHC
    无铅
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