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首页 全部分类 2N5116 vs JAN2N2222A

2N5116备选型号: JAN2N2222A

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  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
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  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
  • 电阻-RDS(On)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 功率耗散
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 无铅
  • Central Semiconductor Corp
    2N5116
    Central Semiconductor Corp
    JFET P-CH 30V 0.5W TO18
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    3
    SILICON
    1
    -65°C~200°C TJ
    Box
    2001
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.21.00.95
    500mW
    BOTTOM
    WIRE
    Single
    DEPLETION MODE
    500mW
    P-Channel
    SWITCHING
    25pF @ 15V
    30V
    150Ohm
    JUNCTION
    7 pF
    5mA @ 15V
    1V @ 1nA
    150Ohm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    JAN2N2222A
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-18
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    3
    -
    50V
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    2002
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    500mW
    -
    -
    -
    -
    500mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    Non-RoHS Compliant
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    TO-218
    Military, MIL-PRF-19500/255
    200°C
    -65°C
    NPN
    500mW
    NPN
    50V
    800mA
    100 @ 150mA 10V
    50nA
    1V @ 50mA, 500mA
    50V
    75V
    6V
    含铅
  • 添加型号
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