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首页 全部分类 2N5885G vs MJ11012G

2N5885G备选型号: MJ11012G

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
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  • 转换频率
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 极性
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    2N5885G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    60V
    1V
    -65°C~200°C TJ
    Tray
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    60V
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    260
    600mA
    4MHz
    40
    2N5885
    2
    Single
    200W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    4MHz
    NPN
    NPN
    60V
    25A
    20 @ 10A 4V
    2mA
    4V @ 6.25A, 25A
    4MHz
    60V
    5V
    8.51mm
    39.37mm
    26.67mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJ11012G
    ON Semiconductor
    Trans Darlington NPN 60V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-3 Tray
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    2 Weeks
    -
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    60V
    4V
    -55°C~200°C TJ
    Tray
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    60V
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    260
    30A
    -
    40
    -
    2
    Single
    200W
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    -
    -
    NPN - Darlington
    60V
    30A
    1000 @ 20A 5V
    1mA
    4V @ 300mA, 30A
    4MHz
    60V
    5V
    26.67mm
    39.37mm
    8.509mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    NPN
    4MHz
    30A
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