2N6782备选型号: ZVN4310A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 制造商包装标识符
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V TO-205AF通孔通孔TO-205AF Metal Can3SILICON3.5A Tc-55°C~150°C TJBulk2015e0noObsolete1 (Unlimited)3EAR99锡铅BOTTOMWIRE未说明unknown未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel600m Ω @ 2.25A, 10V4V @ 250μA8.1nC @ 10V100V±20V3.5A20V0.61Ohm100VNon-RoHS Compliant------------------------
- MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3SILICON900mA Ta-55°C~150°C TJBulk1997e3no活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)BOTTOMWIRE260-40-增强型MOSFET-N-Channel500m Ω @ 3A, 10V3V @ 1mA--±20V900mA20V--ROHS3 Compliant17 Weeks453.59237mgE-Line500mOhm100V900mA31Single850mW8 ns350pF @ 25V25ns25 ns3V0.9A100V150°C6.51mm4.77mm2.41mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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