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首页 全部分类 2N7002K-7 vs DMN65D8L-7

2N7002K-7备选型号: DMN65D8L-7

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Diodes Incorporated
    2N7002K-7
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. - 2N7002K-7 - MOSFET Transistor, N Channel, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1.6 V
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    7.994566mg
    SILICON
    380mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2Ohm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    350mW
    3.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    50pF @ 25V
    0.3nC @ 4.5V
    3.4ns
    ±20V
    9.9 ns
    300mA
    1.6V
    20V
    60V
    1.6 V
    5 pF
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN65D8L-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    7.994566mg
    SILICON
    310mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    540mW
    2.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 115mA, 10V
    2V @ 250μA
    22pF @ 25V
    0.87nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    -
    310mA
    2V
    20V
    60V
    -
    -
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    0.27A
    4Ohm
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