2SAR523MT2L备选型号: RN2119MFV(TPL3)

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 极性
  • 功率耗散
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 50V 0.1A VMT3
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    3
    SILICON
    50V
    -150mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150mW
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    3
    不合格
    Single
    150mW
    SWITCHING
    300MHz
    PNP
    PNP
    400mV
    100mA
    120 @ 1mA 6V
    100nA ICBO
    400mV @ 5mA, 50mA
    300MHz
    50V
    -50V
    -5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
    11 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    3
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 500μA, 5mA
    -
    50V
    -
    -5V
    符合RoHS标准
    -
    150°C
    -65°C
    RN211*
    PNP
    150mW
    1 k Ω
    -100mA
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