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首页 全部分类 2SB1216T-TL-E vs 2SB1216S-TL-E

2SB1216T-TL-E备选型号: 2SB1216S-TL-E

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 频率
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    2SB1216T-TL-E
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 100V 4A TP-FA
    6 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    100V
    150°C TJ
    2011
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8541.29.00.75
    1W
    not_compliant
    2SB1216
    3
    1W
    PNP
    100V
    4A
    200 @ 500mA 5V
    1μA ICBO
    500mV @ 200mA, 2A
    130MHz
    120V
    -6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SB1216S-TL-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    100V
    150°C TJ
    2012
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1W
    not_compliant
    2SB1216
    3
    -
    PNP
    100V
    4A
    140 @ 500mA 5V
    1μA ICBO
    500mV @ 200mA, 2A
    130MHz
    120V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    YES
    SILICON
    -500mV
    e6
    2
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    鸥翼
    180MHz
    R-PSSO-G2
    Single
    1W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    PNP
    130MHz
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
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