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首页 全部分类 2SC2812N6-TB-E vs 2SC2712-Y,LF

2SC2812N6-TB-E备选型号: 2SC2712-Y,LF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    2SC2812N6-TB-E
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 50V 0.15A CP
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    100mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    200mW
    3
    Single
    100MHz
    NPN
    500mV
    150mA
    135 @ 1mA 6V
    100nA ICBO
    500mV @ 5mA, 50mA
    55V
    5V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC2712-Y,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    50V
    100mV
    125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    150mW
    -
    Single
    80MHz
    NPN
    50V
    150mA
    120 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    60V
    5V
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    3
    低噪音
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    2SC2712
    R-PDSO-G3
    AMPLIFIER
    NPN
    80MHz
    50V
    150mA
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2SC2712-GR,LF 2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 对比