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首页 全部分类 2SC3646S-P-TD-E vs FMMT493TA

2SC3646S-P-TD-E备选型号: FMMT493TA

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    2SC3646S-P-TD-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    100V
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    500mW
    500mW
    NPN
    400mV
    1A
    140 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    400mV @ 40mA, 400mA
    120MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    FMMT493TA
    Diodes Incorporated
    TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    1
    Cut Tape (CT)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    500mW
    -
    NPN
    100V
    1A
    100 @ 250mA 10V
    100nA
    600mV @ 100mA, 1A
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    7.994566mg
    SILICON
    600mV
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    60V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1A
    150MHz
    40
    FMMT493
    100V
    Single
    1A
    500mW
    SWITCHING
    150MHz
    NPN
    150MHz
    100V
    120V
    5V
    1A
    3mm
    1.1mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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