2SC4135S-TL-E备选型号: 2SD1816T-TL-H
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- HTS代码
- 终端形式
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 辐射硬化
- Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FAACTIVE (Last Updated: 2 days ago)2 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633100V400mV150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1Wnot_compliant2SC41353SingleNPN100V2A140 @ 100mA 5V100nA ICBO400mV @ 100mA, 1A390MHz120MHz120V6V5.5mm6.5mm2.3mmROHS3 Compliant无铅-------------
- Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN SingleACTIVE (Last Updated: 3 days ago)13 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633100V400mV150°C TJTape & Reel (TR)2017e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1W-2SD18163SingleNPN100V4A200 @ 500mA 5V1μA ICBO400mV @ 200mA, 2A180MHz180MHz120V6V2.3mm6.5mm5.5mmROHS3 Compliant无铅YESSILICON28541.29.00.75鸥翼R-PSSO-G2COLLECTORSWITCHING无卤素NPN180MHz100V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC4135T-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN 100V 2A TP-FA | 对比 |
![]() | ZXTN04120HKTC | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252 | 对比 |
![]() | 2SD1816S-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single | 对比 |




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