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2SC5066-O,LF备选型号: 2SC5065-Y(TE85L,F)

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最大功率耗散
Reach合规守则
功率 - 最大
晶体管类型
最大集电极电流
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
最大击穿电压
频率转换
噪音数字(分贝类型@ f)
RoHS状态
触点镀层
元素配置
集电极发射器电压(VCEO)
增益
集电极基极电压(VCBO)
发射极基极电压 (VEBO)

2SC5066-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
SC-75, SOT-416
12V
125°C TJ
Tape & Reel (TR)
2014
yes
活跃
1 (Unlimited)
100mW
unknown
100mW
NPN
30mA
80 @ 10mA 5V
12V
7GHz
1dB @ 500MHz
符合RoHS标准
-
-
-
-
-
-
2SC5065-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 30mA 100mW 12V

16 Weeks
表面贴装
表面贴装
SC-70, SOT-323
12V
125°C TJ
Cut Tape (CT)
2009
-
活跃
1 (Unlimited)
100mW
unknown
100mW
NPN
30mA
120 @ 10mA 5V
12V
7GHz
1.1dB @ 1GHz
符合RoHS标准
Copper, Silver, Tin
Single
12V
12dB ~ 17dB
20V
3V
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