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首页 全部分类 2SD2701TL vs MT3S20TU(TE85L)

2SD2701TL备选型号: MT3S20TU(TE85L)

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 增益
  • 频率转换
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • ROHM Semiconductor
    2SD2701TL
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 12V 2A TUMT3
    13 Weeks
    Copper, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    3
    SILICON
    12V
    140mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡铜
    12V
    800mW
    DUAL
    260
    2A
    300MHz
    10
    2SD2701
    3
    Single
    800mW
    AMPLIFIER
    300MHz
    NPN
    NPN
    12V
    2A
    270 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    350mV @ 50mA, 1A
    300MHz
    12V
    15V
    6V
    2A
    770μm
    2mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MT3S20TU(TE85L)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    -
    12V
    -
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    900mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    NPN
    NPN
    12V
    80mA
    100 @ 50mA 5V
    -
    -
    5000MHz
    12V
    -
    1.5V
    80mA
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    unknown
    12dB
    7GHz
    1.45dB @ 20mA, 5V
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