2SK3048备选型号: FDPF4N60NZ
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON3A Tc150°C TJBulk2004e6noObsolete1 (Unlimited)3Tin/Bismuth (Sn/Bi)8541.29.00.95600VSINGLE未说明unknown3A未说明R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING2.5 Ω @ 2A, 10V5V @ 1mA750pF @ 20V25ns±30V3ATO-220AB3A6A22.5 mJ符合RoHS标准-----------------
- MOSFET Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver通孔通孔TO-220-3 Full PackSILICON3.8A Tc-55°C~150°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)----------增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING2.5 Ω @ 1.9A, 10V5V @ 250μA510pF @ 25V15.1ns±25V3.8ATO-220AB---ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)7 Weeks32.27gUniFET-II™EAR99Single28W12.7 ns10.8nC @ 10V12.8 ns25V600V16.07mm10.36mm4.9mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF5N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F | 对比 | |
| TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS | 对比 | |
| TK4A60DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS | 对比 |



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