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首页 全部分类 2SK3700(F) vs FQP6N90C

2SK3700(F)备选型号: FQP6N90C

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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 无铅代码
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  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SK3700(F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-3PN
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    5A Ta
    4V @ 1mA
    150°C TJ
    Bulk
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    150W
    N-Channel
    2.5 Ω @ 3A, 10V
    1150pF @ 25V
    28nC @ 10V
    30ns
    900V
    60 ns
    5A
    30V
    19mm
    15.9mm
    4.8mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP6N90C
    ON Semiconductor
    MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    Single
    167W
    N-Channel
    2.3 Ω @ 3A, 10V
    1770pF @ 25V
    40nC @ 10V
    90ns
    -
    60 ns
    6A
    30V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.8g
    SILICON
    QFET®
    e3
    yes
    3
    通孔
    EAR99
    2.3Ohm
    Tin (Sn)
    900V
    6A
    增强型MOSFET
    35 ns
    SWITCHING
    ±30V
    5V
    TO-220AB
    6A
    900V
    24A
    900V
    650 mJ
    5 V
    无SVHC
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