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首页 全部分类 2SK3737-5-TL-E vs BF1100WR,115

2SK3737-5-TL-E备选型号: BF1100WR,115

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  • 晶体管类型
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  • 噪声图
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    2SK3737-5-TL-E
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 15V 30MA 3MCP
    SC-70, SOT-323
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    12mA
    100MHz
    15V
    N-Channel
    30mA
    35dB
    2dB
    10V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BF1100WR,115
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 14V 0.03A 4-Pin(3 Tab) CMPAK T/R
    SC-82A, SOT-343
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30mA
    800MHz
    -
    N-Channel Dual Gate
    -
    -
    2dB
    9V
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    2
    1995
    e3
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低噪音
    8541.21.00.75
    鸥翼
    260
    unknown
    40
    BF1100
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    COMPLEX
    DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    SOURCE
    10mA
    AMPLIFIER
    0.03A
    14V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.035 pF
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