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2SK4065-DL-1E备选型号: FDB045AN08A0
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES8 WeeksLIFETIME (Last Updated: 1 week ago)YESTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装21.65W Ta 90W Tc2013Tape & Reel (TR)150°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)2Single1.65W80 nsN-Channel6m Ω @ 50A, 10V12200pF @ 20V220nC @ 10V460ns75V±20V640 ns100A20V符合RoHS标准无铅--------------------------
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK11 WeeksACTIVE (Last Updated: 4 days ago)-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装319A Ta 90A Tc2001Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99--Single310W18 nsN-Channel4.5m Ω @ 80A, 10V6600pF @ 25V138nC @ 10V88ns-±20V45 ns80A20VROHS3 Compliant无铅Tin表面贴装1.31247gSILICONPowerTrench®24.5MOhm75V鸥翼未说明not_compliant19A未说明R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING4V @ 250μA4V75V600 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFS3307Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
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