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首页 全部分类 4N32M vs H11AA2

4N32M备选型号: H11AA2

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  • 生命周期状态
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  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 电压-隔离度
  • 输出电压
  • 输出类型
  • 通道数量
  • 电路数量
  • 功率耗散
  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)
  • 输入类型
  • 正向电流
  • 最大输出电压
  • 每个通道的输出电流
  • 正向电压
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向击穿电压
  • 最大输入电流
  • 最大直流驱动电流（If）
  • 输入电流
  • 接通 / 关断时间（典型值）
  • Vce 饱和度（最大值）
  • 反向电压(直流电)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    4N32M
    ON Semiconductor
    OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.300, 7.62mm)
    6
    6-DIP
    855mg
    1V
    500% @ 10mA
    -40°C~100°C
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    100°C
    -40°C
    250mW
    4N32
    4170Vrms
    30V
    带底座的达林顿
    1
    1
    250mW
    1.2V
    DC
    80mA
    30V
    150mA
    1.5V
    1V
    150mA
    3V
    80mA
    80mA
    80mA
    5μs, 100μs (Max)
    1V
    3V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    H11AA2
    ON Semiconductor
    Transistor Output Optocouplers DIP-6 PHOTO TRANS
    -
    -
    -
    -
    通孔
    6-DIP (0.300, 7.62mm)
    -
    6-DIP
    -
    -
    10% @ 10mA
    -55°C~100°C
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    5300Vrms
    -
    带基极晶体管
    1
    -
    -
    1.2V
    AC, DC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100mA
    -
    -
    400mV
    -
    -
    -
    -
    -
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