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首页 全部分类 4N35-W00E vs H11AA3M

4N35-W00E备选型号: H11AA3M

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  • 配置
  • 功率耗散
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  • 最大集电极电流
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  • 反向击穿电压
  • 最大输入电流
  • 输入电流
  • 电流传输比
  • 暗电流（最大）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 电路数量
  • 正向电压
  • 最大直流驱动电流（If）
  • Vce 饱和度（最大值）
  • Broadcom Limited
    4N35-W00E
    Broadcom Limited
    Transistor Output Optocouplers 3550 Vrms 60mA
    17 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.400, 10.16mm)
    6
    300mV
    100% @ 10mA
    -55°C~100°C
    Tube
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    UL 认证
    350mW
    4N35
    3550Vrms
    30V
    带基极晶体管
    SINGLE
    350mW
    100mA
    1.2V
    DC
    晶体管输出光耦合器
    60mA
    30V
    100mA
    10μs
    10 μs
    30V
    100mA
    3μs 3μs
    6V
    60mA
    10mA
    100%
    500000nA
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    H11AA3M
    ON Semiconductor
    Transistor Output Optocouplers MOT AC IN-TRANS OUT
    -
    -
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.300, 7.62mm)
    6
    400mV
    50% @ 10mA
    -40°C~100°C
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    250mW
    -
    7500Vpk
    30V
    带基极晶体管
    -
    250mW
    -
    1.17V
    AC, DC
    -
    60mA
    -
    -
    -
    -
    30V
    50mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    6-DIP
    100°C
    -40°C
    1
    1
    1.5V
    60mA
    400mV
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